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          長江存儲(chǔ) 文章 最新資訊

          長江存儲(chǔ)全面完成股改,估值已超1600億元

          • 總部位于武漢的長江存儲(chǔ)科技控股有限責(zé)任公司(長存集團(tuán))召開股份公司成立大會(huì)并選舉首屆董事會(huì),此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨(dú)角獸榜》中,長江存儲(chǔ)以1600億元估值首次入圍,位列中國十大獨(dú)角獸第9、全球第21,成為半導(dǎo)體行業(yè)估值最高的新晉獨(dú)角獸。根據(jù)公開信息,2025年4月,養(yǎng)元飲品子公司泉泓、農(nóng)銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產(chǎn)、工融金投等15家機(jī)構(gòu)同步參與;7月,長存集團(tuán)新增股東員工持股平臺(tái) —— 武漢市智芯計(jì)劃一號至六號企業(yè)管理合伙企業(yè)(有限合伙),上述兩筆
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲(chǔ)  半導(dǎo)體  3D NAND  晶棧  Xtacking  

          長江存儲(chǔ)加速產(chǎn)能擴(kuò)張:新公司注冊資本達(dá)207億,其認(rèn)繳出資104億元

          • 現(xiàn)在,國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片龍頭長江存儲(chǔ)(YMTC)迎來了一個(gè)重磅消息。9月5日,長存三期(武漢)集成電路有限責(zé)任公司正式注冊成立,注冊資本高達(dá)207.2億元人民幣,法定代表人為長江存儲(chǔ)董事長陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設(shè)計(jì)、銷售及芯片產(chǎn)品進(jìn)出口,并涉及技術(shù)服務(wù)、貨物進(jìn)出口、技術(shù)進(jìn)出口等全鏈條業(yè)務(wù),引起了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。股權(quán)結(jié)構(gòu)方面,長存三期(武漢)集成電路有限責(zé)任公司由長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司與湖北長晟三期投資發(fā)展有限責(zé)任公司共同持股 —— 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司持股比例為50.19%、認(rèn)繳104億元;湖北長
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲(chǔ)  YMTC  NAND  三星  

          半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化迎來關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn) :長江存儲(chǔ)首條「全國產(chǎn)化」產(chǎn)線今年試產(chǎn)

          • 據(jù)報(bào)道,為了減少對外國設(shè)備的依賴,長江存儲(chǔ)技術(shù)有限公司(YMTC)在推動(dòng)“全國產(chǎn)化”制造設(shè)備方面取得了重大突破,首條全國產(chǎn)化的產(chǎn)線將于2025年下半年導(dǎo)入試產(chǎn)。2016年,長江存儲(chǔ)在武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)正式注冊成立,專注于3D NAND閃存芯片的設(shè)計(jì)、制造與銷售。2022年底,長江存儲(chǔ)被列入美國商務(wù)部的實(shí)體清單,在無法取得美系先進(jìn)晶圓制造設(shè)備的情況下,仍靠既有工具維持先進(jìn)NAND Flash產(chǎn)品線的開發(fā)與制造,依然積極推進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。目前,長江存儲(chǔ)的產(chǎn)能已接近每月13萬片晶圓,約占全球產(chǎn)能的8%,計(jì)劃在
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體設(shè)備  國產(chǎn)化  長江存儲(chǔ)  

          中國長江存儲(chǔ)計(jì)劃通過使用國產(chǎn)工具建立生產(chǎn)線來擺脫美國制裁

          • (圖片來源:YMTC)長江存儲(chǔ)技術(shù)有限公司(YMTC),中國領(lǐng)先的 NAND 存儲(chǔ)器生產(chǎn)商,自 2022 年底以來一直被美國商務(wù)部列入實(shí)體清單,這基本上禁止了其獲取先進(jìn)制造設(shè)備。盡管面臨制裁和限制,YMTC 計(jì)劃今年擴(kuò)大其生產(chǎn)能力,目標(biāo)是在 2026 年底前占據(jù) NAND 存儲(chǔ)器生產(chǎn)市場的 15%,據(jù)《Digitimes》報(bào)道。該公司還計(jì)劃建設(shè)一條僅使用中國制造設(shè)備的試驗(yàn)生產(chǎn)線。YMTC 將擴(kuò)大產(chǎn)能至每月 15 萬片晶圓啟動(dòng)據(jù) DigiTimes 報(bào)道,預(yù)計(jì)到 2024 年底,YMTC 的月產(chǎn)能將達(dá)到每月
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲(chǔ)  NAND  內(nèi)存  

          長江存儲(chǔ)主導(dǎo)混合鍵合專利,韓存儲(chǔ)巨頭三星和SK海力士壓力山大

          • 隨著存儲(chǔ)器巨頭加速布局HBM4和多層NAND產(chǎn)品,混合鍵合技術(shù)越來越受到關(guān)注。根據(jù) ZDNet 的一份報(bào)告,韓國三星電子和SK海力士在關(guān)鍵專利方面仍然落后。該報(bào)告強(qiáng)調(diào),三星和SK海力士披露的混合鍵合相關(guān)專利相對較少,大幅低于競爭對手長江存儲(chǔ)。 據(jù)報(bào)道,三星電子已與長江存儲(chǔ)簽署了一項(xiàng)許可協(xié)議,在其下一代NAND中采用混合鍵合技術(shù)。此舉反映了三星希望規(guī)避長江存儲(chǔ)的專利的挑戰(zhàn),這些專利被認(rèn)為難以避免。報(bào)告指出,長江存儲(chǔ)在其“Xtacking”品牌下大規(guī)模生產(chǎn)基于混合鍵合的NAND已有大約四年
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲(chǔ)  混合鍵合  三星  SK海力士  

          長江存儲(chǔ)首款PCIe 5.0企業(yè)級SSD PE511:首次32TB、性能提升100%

          • 3月13日消息,除了首款商用級PCIe 5.0 SSD PC450,長江存儲(chǔ)還披露了首款企業(yè)級PCIe 5.0 SSD,型號為“PE511”。它采用長江存儲(chǔ)新一代晶棧4.0閃存,相比于現(xiàn)有的PE321首次增加了16TB、32TB的大容量版本,同時(shí)保留3.84他、7.68TB,而最小的1.92TB直接淘汰。接口形態(tài)在U.2之外,還新增加了E3.S。由于采用了PCIe 5.0接口,整體性能可提升多達(dá)100%,直接翻番,但暫未公開具體數(shù)據(jù)。在耐久度方面也提升了20%,支持每天4次全盤寫入。發(fā)布時(shí)間暫時(shí)不詳,估計(jì)
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲(chǔ)  PCIe5.0  SSD  存儲(chǔ)  

          十年磨一劍:三星引入長江存儲(chǔ)專利技術(shù)

          • 近日,三星與長江存儲(chǔ)(YMTC)簽署了3D NAND混合鍵合(Hybrid Bonding)相關(guān)專利許可協(xié)議。不過,目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND(V10)將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨(dú)立的硅片上制造,因此需要長江存儲(chǔ)的專利技術(shù)W2W(Wafer-to-Wafer)混合鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)?——?通過直接將兩片晶圓貼合,省去了傳統(tǒng)的凸點(diǎn)連接,形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短,顯著提高了傳輸
          • 關(guān)鍵字: 三星  長江存儲(chǔ)  NAND  混合鍵合  晶棧  Xtacking  閃存  

          歷史首次!三星將使用長江存儲(chǔ)專利技術(shù)

          • 據(jù)韓國媒體ZDNet Korea 2月24日報(bào)道稱,三星電子近期已與中國存儲(chǔ)芯片廠商長江存儲(chǔ)簽署了開發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”(Hybrid Bonding)技術(shù)的專利許可協(xié)議,以便從其第10代(V10)NAND Flash產(chǎn)品(430層)開始使用該專利技術(shù)來進(jìn)行制造。報(bào)道稱,三星之所以選擇向長江存儲(chǔ)獲取“混合鍵合”專利授權(quán),主要由于目前長江存儲(chǔ)在“混合鍵合”技術(shù)方面處于全球領(lǐng)先地位。并且三星經(jīng)過評估認(rèn)為,從下一代V10 NAND開始,其已經(jīng)無法再避免長江存儲(chǔ)專利的影
          • 關(guān)鍵字: 三星  存儲(chǔ)  長江存儲(chǔ)  

          稱三星與長江存儲(chǔ)合作,新一代NAND將采用中國企業(yè)專利

          • 據(jù)韓媒報(bào)道,三星已確認(rèn)從V10(第10代)開始,將使用長江存儲(chǔ)(YMTC)的專利技術(shù),特別是在新的先進(jìn)封裝技術(shù)“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專利的許可協(xié)議,達(dá)成合作。據(jù)悉,V10是三星電子計(jì)劃最早在今年下半年開始量產(chǎn)的下一代NAND,該產(chǎn)品預(yù)計(jì)將具有約420至430層。將采用多項(xiàng)新技術(shù),其中最重要的是W2W(Wafer-to-Wafer)混合鍵合技術(shù)。據(jù)了解,長江存儲(chǔ)是最早將混合鍵合應(yīng)用于3D NAND的企業(yè),并將這項(xiàng)技術(shù)命名為“晶棧Xtacking”。該技術(shù)可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)
          • 關(guān)鍵字: 三星  長江存儲(chǔ)  NAND  

          應(yīng)對降價(jià):三星大幅減產(chǎn)西安工廠NAND閃存!

          • 1月13日消息,據(jù)媒體報(bào)道,三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產(chǎn),以此應(yīng)對全球NAND供應(yīng)過剩導(dǎo)致的價(jià)格下跌,確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,截至2024年10月底,用于存儲(chǔ)卡和U盤的通用NAND閃存產(chǎn)品的價(jià)格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息,三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%,每月平均產(chǎn)量預(yù)計(jì)將從20萬片減少至約17萬片。此外,三星韓國華城的12號和17號生產(chǎn)線也將調(diào)整其供應(yīng),導(dǎo)致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實(shí)施過類似的減產(chǎn)措施,當(dāng)時(shí)
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  閃存  存儲(chǔ)卡  U盤  晶圓  SK海力士  鎧俠  西部數(shù)據(jù)  美光  長江存儲(chǔ)  

          美國國防部將騰訊、寧德時(shí)代、長鑫存儲(chǔ)等134家中企列入黑名單

          • 當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月6日,美國國防部通過《聯(lián)邦公報(bào)》發(fā)布最新版的“中國涉軍企業(yè)”清單(Communist Chinese military company,“CMC”,根據(jù)美國法律正式規(guī)定為“第1260H條名單”),將騰訊控股、寧德時(shí)代、長鑫存儲(chǔ)、移遠(yuǎn)通信,以及無人機(jī)制造商深圳市道通智能航空技術(shù)股份有限公司(Autel Robotics Co.,Ltd.)等中企新增列入該清單,完整清單包括134家中企,其中還涵蓋了長江存儲(chǔ)、中芯國際等眾多中國半導(dǎo)體企業(yè)。根據(jù)美國《2024財(cái)年國防授權(quán)法》的相關(guān)規(guī)定,被列
          • 關(guān)鍵字: 美國清單  長鑫存儲(chǔ)  移遠(yuǎn)通信  道通智能  長江存儲(chǔ)  中芯國際  

          首款晶棧Xtacking 2.0技術(shù)!

          • 12月18日消息,長江存儲(chǔ)近日推出了PE321固態(tài)硬盤,憑借其第三代三維閃存技術(shù),以高達(dá)6.4TB的容量引起了廣泛關(guān)注。現(xiàn)在這款SSD已經(jīng)來到我們評測室,下面為大家?guī)韴D賞。PE321是長江存儲(chǔ)首款采用晶棧Xtacking 2.0 技術(shù)的PCIe 4.0企業(yè)級固態(tài)硬盤。其最大順序?qū)懭胨俣冗_(dá)到6400MB/s,讀取速度更是高達(dá)6800MB/s,這在處理大容量數(shù)據(jù)時(shí)無疑是巨大的優(yōu)勢。隨機(jī)讀寫性能方面同樣不俗,在進(jìn)行4K隨機(jī)讀寫測試時(shí),其寫入性能穩(wěn)步達(dá)到650k IOPS,讀取性能為580k IOPS,這使得它
          • 關(guān)鍵字: SSD  長江存儲(chǔ)  三維閃存  

          國產(chǎn)存儲(chǔ)之光!長江存儲(chǔ):沒打算上市 更不會(huì)借殼

          • 12月9日消息,針對外界的傳聞,長江存儲(chǔ)公開回應(yīng)稱,他們沒有上市的打算。長江存儲(chǔ)發(fā)布聲明稱,近期多家媒體捏造、散布和傳播長江存儲(chǔ)“借殼上市”的不實(shí)傳聞。為澄清事實(shí),我司發(fā)表聲明如下:一、長江存儲(chǔ)從無任何“借殼上市”的意愿。     二、長江存儲(chǔ)與“萬潤科技”等上市公司無直接業(yè)務(wù)合作。三、請相關(guān)單位自重并立即停止一切失實(shí)報(bào)道。我司將保留追究相關(guān)單位法律責(zé)任的權(quán)利。作為國產(chǎn)存儲(chǔ)之光,之前有消息稱長江存儲(chǔ)在面臨美國出口限制和被列入實(shí)體清單的雙重壓力下,已成功采用國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備替代部
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲(chǔ)  上市  萬潤科技  

          長江存儲(chǔ)再度“亮劍”,在美國起訴美光侵犯其 11 項(xiàng)專利

          • IT之家 7 月 22 日消息,據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道,中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲(chǔ),日前再次將美光告上法院,在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲(chǔ)的 11 項(xiàng)專利,涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長江存儲(chǔ)還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權(quán)的存儲(chǔ)產(chǎn)品,并支付專利使用費(fèi)。長江存儲(chǔ)指控稱,美光的 96 層(B27A)、128 層(B37R)、176 層(B47R)和 232 層(B58R)3D NAND Flash,以及美光的一些 DDR5 SDRA
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲(chǔ)  NAND  美光  內(nèi)存  

          國產(chǎn)閃存受阻:三星馬上就漲價(jià)!

          • 在閃存領(lǐng)域突飛猛進(jìn)的長江存儲(chǔ),還是遭到了美國的制裁,被列入“實(shí)體清單”,幾乎是同一時(shí)間,三星就開始漲價(jià)了!DigiTimes報(bào)道稱, 隨著長江存儲(chǔ)遭到制裁,部分PC廠商不得不暫停合作,而面對突然增加的市場需求,三星將其3D NAND閃存的報(bào)價(jià)提高了10%。當(dāng)然,同樣作為NAND閃存巨頭,SK海力士、美光、鎧俠/西部數(shù)據(jù)也有機(jī)會(huì)獲得更多市場,但 三星畢竟是全球第一大NAND閃存供應(yīng)商,今年第二季度份額為33% ,雖然下跌了2.3個(gè)百分點(diǎn)但依然遙遙領(lǐng)先。 相比之下,SK
          • 關(guān)鍵字: 閃存  長江存儲(chǔ)  三星  
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          長江存儲(chǔ)介紹

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