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          3d閃存 文章 最新資訊

          鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲(chǔ)器開始送樣

          • 全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布,其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術(shù)的?512Gb TLC存儲(chǔ)器已開始送樣(1)。該產(chǎn)品計(jì)劃于?2025?年投入量產(chǎn),旨在為中低容量存儲(chǔ)市場(chǎng)提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外,這款產(chǎn)品也將集成到鎧俠的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤中,特別是需要提升?AI?系統(tǒng)?GPU?性能的應(yīng)用。為應(yīng)對(duì)尖端應(yīng)用市場(chǎng)的多樣化需求,同時(shí)提供兼具投資效益與競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品,鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行
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          鎧俠與閃迪合作研發(fā)出332層NAND閃存

          • 自鎧俠官網(wǎng)獲悉,日前, 鎧俠公司和閃迪公司宣布率先推出了最先進(jìn)的3D閃存技術(shù),以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度樹立了行業(yè)標(biāo)桿。據(jù)悉,鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術(shù),分別制造CMOS控制電路、NAND存儲(chǔ)陣列,然后鍵合在一起,類似長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking晶棧架構(gòu)。3D堆疊層數(shù)達(dá)到空前的332層,對(duì)比第8代的218層增加了多達(dá)38%。兩家公司的新一代3D閃存較目前量產(chǎn)的第八代產(chǎn)品(BiCS FLASH? generation 8)實(shí)現(xiàn)了33%的NAND接口速度提升,達(dá)到4.8G
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          紫光64層3D閃存正式亮相 國(guó)產(chǎn)1TB硬盤有望

          • 在日前召開的2019中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上,紫光集團(tuán)展出了旗下芯片及云計(jì)算等領(lǐng)域的最新進(jìn)展,其中首次公開展出了旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的64層堆棧3D閃存,采用了Xstacking堆棧結(jié)構(gòu),核心容量也提升到了256Gb。
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          長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期于年底量產(chǎn)64層3D閃存:加劇市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)

          •   SSD的價(jià)格迎來(lái)一些新變數(shù)?! ‘a(chǎn)業(yè)鏈消息,中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片,此舉將把國(guó)產(chǎn)顆粒與世界頂級(jí)品牌的技術(shù)差距縮短到兩年左右?! ⊥瑫r(shí),在閃存價(jià)格不斷下探的2019年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的入局將進(jìn)一步加劇競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì),使得價(jià)格爭(zhēng)奪更猛烈?! ?duì)于這樣的新面孔,美光執(zhí)行副總裁Sumit Sadana最近表示,他和公司密切關(guān)注中國(guó)存儲(chǔ)新星的動(dòng)態(tài)。不過(guò),他同時(shí)指出,無(wú)論品質(zhì)還是良率,新企業(yè)還有很大的提升空間,包括滿足客戶的各種需求?! adana認(rèn)為,位列前茅的閃存企業(yè)不會(huì)被趕出市
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          低功耗SSD控制器:X1支持可靠的3D閃存

          •   2019年2月12日,德國(guó)康斯坦茨--今天Hyperstone宣布推出型號(hào)為X1的新型SATA III SSD控制器。X1的設(shè)計(jì)完全滿足工業(yè)領(lǐng)域需求,目標(biāo)產(chǎn)品應(yīng)用包括高可靠性的SSD, M.2及U.2模組,CFast卡和eSSD的系統(tǒng)封裝盤以及板載控制器和閃存芯片的閃存盤等?! 』谙冗M(jìn)的以閃存子頁(yè)轉(zhuǎn)換層為基礎(chǔ)的hyMap技術(shù),X1在不需外部DRAM器件的情況下實(shí)現(xiàn)了出眾的隨機(jī)寫入性能,最小的寫入放大系數(shù)以及高耐久性。新推出的FlashXE (耐久力擴(kuò)展)技術(shù)具備校準(zhǔn)、軟解碼的錯(cuò)誤校正和錯(cuò)
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          鎂光:3D閃存芯片能讓手機(jī)擁有更多內(nèi)存容量

          •   近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上,鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲(chǔ)存空間。據(jù) PCWorld 報(bào)道,鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB,其目標(biāo)市場(chǎng)為中高端的智能手機(jī)。該產(chǎn)品基于新的 UFS 2.1 標(biāo)準(zhǔn),市面上的智能手機(jī)均未使用這種理論上更快的儲(chǔ)存協(xié)議。        鎂光認(rèn)為智能手機(jī)對(duì)內(nèi)存容量的需求越來(lái)越高,虛擬現(xiàn)實(shí)應(yīng)用和流媒體都將占用大量的儲(chǔ)存空間。他們表示,在幾年
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          3d閃存介紹

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