非易失性存儲(chǔ) 文章 最新資訊
Intel傲騰死了 中國非易失性存儲(chǔ)重大突破！容量128Gb
- 2月24日消息，Intel放棄了廣為看好的傲騰存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，與之合作的美光也結(jié)束了3DX Point存儲(chǔ)技術(shù)的研發(fā)，但是來自中國的新存科技，卻在非易失性存儲(chǔ)方面取得了重大突破，無論容量還是性能都是一流水準(zhǔn)。新存科技2022年7月成立于武漢，是一家專注于新型存儲(chǔ)芯片研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高科技企業(yè)，主要產(chǎn)品包括阻變存儲(chǔ)、相變存儲(chǔ)、鐵電存儲(chǔ)、磁阻存儲(chǔ)，目前員工約200人，其中約90％為研發(fā)人員，碩士及以上學(xué)歷占比77％。去年9月，新存科技發(fā)布了中國首款最大容量新型存儲(chǔ)芯片“NM101”，現(xiàn)在又宣布了非易失性新型存儲(chǔ)芯
- 關(guān)鍵字： 英特爾 傲騰 內(nèi)存 非易失性存儲(chǔ) 新存科技
FRAM在醫(yī)療設(shè)備中的應(yīng)用現(xiàn)狀
- 在最近熱映的影片《環(huán)太平洋》中，面對(duì)怪獸的沖擊波，采用數(shù)字電路控制的機(jī)甲戰(zhàn)士瞬間就癱瘓了，而只有模擬電路扛了下來。這可以形象地用來說明，電子元器件能否抗輻射有時(shí)候是人命關(guān)天的事兒！回到現(xiàn)實(shí)，在醫(yī)療電子應(yīng)用領(lǐng)域，將能夠抵抗高達(dá)50kGy伽瑪射線消毒的非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)器FRAM用于一些與生命息息的關(guān)鍵醫(yī)療設(shè)備就再合適不過
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ST推出2 x 3mm封裝的512-Kbit串口EEPROM
- 串口EEPROM全球市場領(lǐng)先供應(yīng)商意法半導(dǎo)體運(yùn)用先進(jìn)的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，推出兩款在當(dāng)前市場上最高密度的采工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)2 x 3 x 0.6mm 8-引腳微型引線框架封裝(MLP)的512-Kbit器件，再度寫下業(yè)界第一。新產(chǎn)品引腳兼容低密度的存儲(chǔ)器，讓設(shè)計(jì)人員無需重新設(shè)計(jì)電路板即可直接更換芯片，產(chǎn)品升級(jí)更快速、高效。 串口EEPROM器件具有非易失性存儲(chǔ)功能，采用引腳數(shù)量很少的封裝，適合眾多的消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療和通信產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體的新產(chǎn)品內(nèi)置的字節(jié)模式擦除功能使參數(shù)升級(jí)變得更加容易，128字
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瞄準(zhǔn)亞洲存儲(chǔ)增長商機(jī) 恒憶積極開拓經(jīng)銷商網(wǎng)絡(luò)
- 全球非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)導(dǎo)廠商恒憶(Numonyx)今天宣布與益登、聯(lián)強(qiáng)、世平、文曄、東棉、金龍等授權(quán)經(jīng)銷商合作，在中國大陸地區(qū)銷售恒憶產(chǎn)品，并提供支持服務(wù)。通過這個(gè)穩(wěn)固的經(jīng)銷商網(wǎng)絡(luò)，恒憶在亞洲區(qū)的產(chǎn)品與技術(shù)布局將更加完整，足以滿足亞洲快速增長的嵌入式與無線市場需求，尤其是在數(shù)字消費(fèi)電子、通信和手持裝置等領(lǐng)域。 亞洲市場規(guī)模龐大且具備驚人的發(fā)展?jié)摿?，在恒憶的全球布局中始終占有關(guān)鍵性地位，中國大陸及臺(tái)灣地區(qū)更是其中最具代表性、成長最快、爆發(fā)力最強(qiáng)的市場。根據(jù)iSuppli與Web Feet的研究顯示，2
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非易失性存儲(chǔ)介紹
一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法，實(shí)現(xiàn)原理后是，它包括在介電材料襯底上形成的一個(gè)交叉點(diǎn)存儲(chǔ)陣列。交叉點(diǎn)存儲(chǔ)陣列包括第一和第二組橫向電極，它們被一個(gè)包含至少一個(gè)半導(dǎo)體層的存儲(chǔ)層所分隔。在每個(gè)由第一和第二組電極形成的交叉點(diǎn)處，存儲(chǔ)層形成一個(gè)非易失性存儲(chǔ)元件。通過對(duì)經(jīng)過存儲(chǔ)元件的預(yù)定電流形式的寫入信號(hào)的應(yīng)用，每個(gè)存儲(chǔ)元件可以在低和高阻抗?fàn)顟B(tài)之間切換，表示對(duì)應(yīng)的二進(jìn)制狀態(tài)。每個(gè)存儲(chǔ)元件都包括在存儲(chǔ)層上形成的二極管結(jié)點(diǎn)，至 [ 查看詳細(xì) ]
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