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          ARM11 S3C6410系列教程之三:內(nèi)存使用

          —— ARM11S3C6410系列教程之三內(nèi)存使用
          作者:Machinnneee 時間:2013-12-24 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            當在S3C6410跑操作系統(tǒng)的時候,我們不太會注意S3C6410的使用情況,但是,當我們做裸板測試時,該處理器的8K的片內(nèi)的使用就不得不注意,一旦編寫的程序大小超過了片內(nèi)的大小,我們就不能得到正確的結果,究其原因,我們先看一下S3C6410的啟動過程。

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/203124.htm

            S3C6410如果選用啟動,在我們燒寫裸板程序是,先將程序燒寫至中,S3C6410通過硬件將中前8K的程序完整復制到S3C6410片內(nèi)內(nèi)存中。若裸板程序較小,程序可以正常運行,若果程序超過了8K,那么裸板測試程序不能完整的復制到片內(nèi)內(nèi)存,使得程序出現(xiàn)未知的結果。這時,我們需要關注S3C6410的各種內(nèi)存的使用情況了。

            我們知道,在一個程序文件中,擁有代碼段、數(shù)據(jù)段和bss段,而一個程序的bin文件中是沒有bss段,因此,在程序的bin文件中主要完成:

           ?、儆布某跏蓟?br />  ?、?a class="contentlabel" href="http://yuyingmama.com.cn/news/listbylabel/label/DDR">DDR的初始化
           ?、跾3C6410程序的重定位
            ④拷貝程序至
           ?、萸宄?a class="contentlabel" href="http://yuyingmama.com.cn/news/listbylabel/label/DDR">DDR中bss段
            ⑥程序鏈接至DDR中

            為進一步說明啟動過程,現(xiàn)在進行詳細的說明:

            S3C6410為NANDflash啟動,同時S3C6410外掛DDR,這樣,就能解決程序超過8K之后的正常運行。三者之間的連接示意圖如下圖所示:

            我們知道,S3C6410啟動的時候,將NANDflash中前8K的程序完整拷貝至S3C6410片內(nèi)內(nèi)存中,在這8K程序中,必須完成硬件初始化、DDR初始化和程序從NANDflash中拷貝到DDR中,這樣才能保證S3C6410cpu程序可以跳轉(zhuǎn)到DDR,保證程序的順利進行。在這過程中會涉及到程序的鏈接地址和程序的重定位方面的知識,如果你對這方面知識不熟悉,請查閱該方面的知識。

            三者之間的操作步驟如下:

            1、系統(tǒng)上電,S3C6410為NANDflash啟動,硬件自動將NANDflash中前8k的程序復制到S3C6410片內(nèi)內(nèi)存中;

            2、系統(tǒng)從S3C6410片內(nèi)內(nèi)存0地址開始執(zhí)行,此時程序需要完成DDR初始化、將bin程序從S3C6410片內(nèi)內(nèi)存或者NANDflash拷貝到DDR鏈接地址起始位置;

            3、將NANDflash程序拷貝到DDR中,通過程序重定位和鏈接到DDR鏈接地址開始位置(此時注意,在程序的編寫中需要用位置無關跳轉(zhuǎn)指令進行編寫,否則程序會因為跳轉(zhuǎn)后找不到鏈接起始地址和變量而出現(xiàn)錯誤)

            4、當系統(tǒng)完成以上操作后,通過位置相關指令將PC值鏈接到DDR重定位位置,完成程序的運行(注意此時應使用位置相關指令完成PC值的跳轉(zhuǎn),若使用位置無關指令,則程序一直循環(huán)在S3C6410片內(nèi)內(nèi)存中)。



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