根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于 DRAM，DDR4 模塊的價(jià)格已經(jīng)超過了 DDR5 模塊的價(jià)格。展望未來，短期內(nèi)一個(gè)關(guān)鍵的關(guān)注點(diǎn)是新的美國關(guān)稅是否會(huì)被實(shí)施——這可能會(huì)引發(fā)又一波恐慌性購買。至于 NAND 閃存，由于國家補(bǔ)貼驅(qū)動(dòng)的早期需求拉動(dòng)，618 購物節(jié)對(duì) NAND 閃存現(xiàn)貨價(jià)格和交易的影響弱于預(yù)期。詳情如下：

DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：

現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格顯著上漲。此外，DDR4 模塊價(jià)格已超過 DDR5 模塊價(jià)格，從而本周需求略有放緩。然而，DDR4 產(chǎn)品的供應(yīng)緊張程度遠(yuǎn)比 DDR5 產(chǎn)品嚴(yán)重。展望未來，美國可能對(duì)中國發(fā)布新的關(guān)稅或與生產(chǎn)能力限制相關(guān)的措施。這反過來又可能引發(fā)新一輪恐慌性購買。此類事件是否發(fā)生將是短期內(nèi)觀察的關(guān)鍵點(diǎn)。主流芯片（即 DDR4 1Gx8 3200MT/s）的平均現(xiàn)貨價(jià)格上漲了 12.7%，從上周的 4.575 美元上漲至本周的 5.155 美元。

NAND 閃存現(xiàn)貨價(jià)格：

從今年的 618 購物節(jié)來看，電子產(chǎn)品銷售不及預(yù)期，因?yàn)樘崆暗膰已a(bǔ)貼政策導(dǎo)致需求上升。NAND 閃存現(xiàn)貨價(jià)格和交易低迷，表明現(xiàn)貨市場(chǎng)目前對(duì)后續(xù)發(fā)展持觀望態(tài)度。本周 512Gb TLC 晶圓現(xiàn)貨價(jià)格下降了 0.37%，達(dá)到 2.683 美元。