據(jù)國外媒體報道，在5nm工藝順利量產(chǎn)之后，芯片代工商臺積電在工藝量產(chǎn)及研發(fā)方面的重點，已經(jīng)放在了更先進的3nm和2nm上。

5nm之后就將投入量產(chǎn)的3nm工藝方面，臺積電是計劃在2021年風險試產(chǎn)，2022年上半年開始大規(guī)模量產(chǎn)。

在3nm生產(chǎn)線方面，外媒在今年3月底的報道中，是表示臺積電在今年10月份就會開始安裝相關的生產(chǎn)設備。

而在最新的報道中，出現(xiàn)了臺積電已提前開始安裝3nm生產(chǎn)線的消息。外媒在報道中表示，臺積電已經(jīng)開始安裝3nm生產(chǎn)線及相關的設施，正在按進度推進。

包括創(chuàng)始人張忠謀、現(xiàn)任CEO魏哲家在內(nèi)的臺積電高管，此前曾多次談及3nm工藝。

在退休前8個月，也就是在2017年的10月份，張忠謀在接受采訪時曾談到3nm工藝，當時他是透露采用3nm工藝的芯片制造工廠計劃在2022年建成，有可能在2022年量產(chǎn)。

在今年4月16日的一季度財報分析師電話會議上，魏哲家也曾談及3nm工藝，他透露3nm工藝的研發(fā)正在按計劃推進，計劃2021年風險試產(chǎn)，2022年上半年大規(guī)模量產(chǎn)。

魏哲家在財報分析師電話會議上還透露，同第一代的5nm工藝（N5）相比，第一代的3nm工藝（N3），晶體管的密度將提升約70%，速度提升10%到15%，能耗改進25%到30%。