美光公司今天發(fā)布了截至5月30日的2019財(cái)年Q3財(cái)季報(bào)告，當(dāng)季營(yíng)收47.9億美元，同比下滑了40%，凈利潤(rùn)8.4億美元，同比暴跌了78%。美光營(yíng)收、盈利雙雙暴跌與閃存、內(nèi)存芯片跌價(jià)有關(guān)，特別是內(nèi)存芯片。

根據(jù)美光財(cái)報(bào)，DRAM內(nèi)存芯片占了公司64%的營(yíng)收，當(dāng)季營(yíng)收環(huán)比下滑了19%，同比下滑了45%，ASP均價(jià)環(huán)比下跌了20%，出貨量與上季度基本持平。

NAND閃存方面，營(yíng)收占了公司31%，當(dāng)季營(yíng)收環(huán)比下滑了19%，同比下跌了25%，ASP均價(jià)下滑沒(méi)有給出具體數(shù)據(jù)，說(shuō)的是mid-teens（中等級(jí)別的十位數(shù)）下滑，位容量出貨環(huán)比下滑則是中等單位數(shù)下滑，也就是10%以內(nèi)。

在產(chǎn)能方面，美光在財(cái)報(bào)中表達(dá)了進(jìn)一步削減投資的意向，今年早些時(shí)候是閃存、內(nèi)存各自削減5%的產(chǎn)能，不過(guò)這次開(kāi)始美光調(diào)降產(chǎn)能的幅度更大了，內(nèi)存維持5%的產(chǎn)能削減，但NADN閃存削減幅度會(huì)從5%提升到10%。

在技術(shù)方面，1ynm工藝的內(nèi)存芯片持續(xù)提升產(chǎn)能，1znm工藝的下一代內(nèi)存芯片進(jìn)展良好，預(yù)計(jì)在下個(gè)財(cái)年加速量產(chǎn)。閃存方面，96層堆棧的3D閃存正在加速量產(chǎn)中，使用代柵極技術(shù)的128層3D閃存進(jìn)展良好。