在7nm節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電已經(jīng)是雄心勃勃，除了AMD官方提到的7nm Vega芯片之外，臺(tái)積電還手握50多個(gè)7nm芯片流片，新工藝性能可提升35%或者功耗降低65%，未來升級(jí)到5nm之后性能還能再提升15%，功耗降低20%。

　　英特爾在14nm、10nm工藝上的難產(chǎn)給了其他半導(dǎo)體公司趕超的機(jī)會(huì)，由于2019年之前都無法推出10nm芯片，而三星、臺(tái)積電的7nm工藝今年就會(huì)量產(chǎn)了，這一輪競(jìng)爭(zhēng)中英特爾真的輸了，哪怕官方多次宣布自家的10nm工藝在性能、晶體管密度上比其他家的7nm節(jié)點(diǎn)還好也沒用了。在7nm節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電已經(jīng)是雄心勃勃，除了AMD官方提到的7nm Vega芯片之外，臺(tái)積電還手握50多個(gè)7nm芯片流片，新工藝性能可提升35%或者功耗降低65%，未來升級(jí)到5nm之后性能還能再提升15%，功耗降低20%。

　　EEtimes今天報(bào)道了臺(tái)積電的工藝路線圖，官方公布了7nm及未來的5nm工藝細(xì)節(jié)，首先是第一代7nm工藝，今年將會(huì)量產(chǎn)，后面還有50多個(gè)芯片陸續(xù)流片，涉及到CPU、GPU、AI芯片、加密貨幣芯片、網(wǎng)絡(luò)、游戲、5G、自動(dòng)駕駛芯片等等行業(yè)。

　　7nm工藝的性能將提升35%，或者功耗降低65%，芯片密度達(dá)到3倍水平——原文這里沒提到是跟誰對(duì)比，不過不可能是10nm，臺(tái)積電官網(wǎng)上跟10nm工藝對(duì)比的結(jié)果是性能提升20%或者功耗降低40%，芯片密度1.6倍，因此這里對(duì)比的很可能是臺(tái)積電的16nm工藝。

　　第一代7nm工藝沒有使用EUV光刻工藝，N7+節(jié)點(diǎn)才會(huì)用上EUV光刻機(jī)，不過這個(gè)是制造過程的改變，N7+工藝的性能沒什么變化，晶體管密度提升大概20%，功耗降低10%。

　　此外，N7+工藝雖然目前的良率不錯(cuò)，但是還有一些關(guān)鍵單元要到今年底或者明年初才能搞定，完整用于N7+工藝的EDA工具大概要等到8月份。

　　7nm之后臺(tái)積電今年還要風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)5nm工藝，與最初7nm工藝相比，臺(tái)積電的5nm工藝大概能再降低20%的能耗，晶體管密度再高1.8倍，至于性能，預(yù)計(jì)能提升15%，不過使用新設(shè)備的話可能會(huì)提升25%。