之前我們曾經(jīng)提到過美光開發(fā)的“夾心餅干”內(nèi)存技術(shù)即HMC(Hyper Memory Cube)，該公司還聯(lián)合Intel在IDF 2011舊金山開發(fā)者論壇上展示了相關(guān)樣品。10月6日，美光宣布將和存儲芯片業(yè)界龍頭韓國三星電子一起研發(fā)HMC這種新的內(nèi)存架構(gòu)，目標是盡快使其實用化，進入工業(yè)化生產(chǎn)階段。

　　HMC是采用硅穿孔(TSV，Through Silicon Via)技術(shù)，將多個芯片堆疊在一起，采用一個邏輯層控制的新內(nèi)存架構(gòu)方案?？蓸O大提高內(nèi)存帶寬，能耗比效率是目前低電壓版DDR3內(nèi)存的7倍，性能是其15倍之多。

　　而HMC技術(shù)最大的挑戰(zhàn)就是內(nèi)存的實際封裝問題，相信在業(yè)界龍頭Intel、美光、三星的合力攻關(guān)之下一定會有對應(yīng)的解決方法。