臺積電12日宣布，以29億元買下力晶竹科三五路興建中的12寸晶圓廠房，做為20納米以下先進制程的新基地。力晶29億元落袋，可提升現(xiàn)金部位，抵抗DRAM市況寒冬。

　　市場原估計交易金額逾30億元，實際以29億元成交。外界認為，力晶此次「認賠賣廠」，帳面損失約4.18億元，透露DRAM價格暴跌，顯示業(yè)者壓力甚大，急需現(xiàn)金挹注。

　　臺積電指出，這次交易金額將采分期方式付款，力晶預期，第一批帳款最快本季即可入帳。

　　DRAM價格去年第四季大跌逾五成，元月上旬1GbDDR3合約均價下探0.91美元的歷史低點，價格僅剩去年同期約三成。力晶表示，DRAM市況低迷，公司短期內暫無新增產能需求，將竹科三五路興建中的建物出售。力晶近期并陸續(xù)處分非核心事業(yè)持股求現(xiàn)，第一波處分力積持股3,571張，獲利2.56 億元，昨天并申報轉讓晶相光持股1,189張。

　　臺積電表示，買下力晶竹科三五路建物與建地后，將是旗下Fab12第七期基地，以 20納米以下先進制程為主要技術，裝機時間視客戶需求。加上去年8月向世界先進購入的Fab12第六期，三年前竹科管理局釋出的竹科三五路22公頃土地，全數(shù)由臺積電統(tǒng)包。設備商預估，以一期12寸廠月產能平均4萬至5萬片估計，臺積電取得世界先進、力晶兩塊地后，位于竹科Fab12，總月產能最高上看 25萬片，超過去年竹科與南科月產能總和，可紓解臺積電12寸產能吃緊。

　　力晶去年前三季手中現(xiàn)金與約當現(xiàn)金約53億元，去年第四季DRAM價格大跌，現(xiàn)金流入瞬間大減。力晶原規(guī)劃發(fā)行全球存托憑證(GDR)籌資，但遭主管機關退件，力晶賣廠后可進一步強化公司現(xiàn)金水位。