據(jù)美國亞利桑那州鳳凰城消防局消息，當(dāng)?shù)貢r間5月15日下午，位于鳳凰城北部的臺積電晶圓廠發(fā)生了危險品爆炸事故，多個部門的消防隊員在接到呼叫后做出快速響應(yīng)。

據(jù)鳳凰城消防官員稱，鳳凰城、格倫代爾和黛西山消防部門的消防員于當(dāng)?shù)貢r間下午2:30左右被派往臺積電晶圓廠進(jìn)行處理。

據(jù)當(dāng)?shù)孛襟w報道稱，此次事故當(dāng)中，現(xiàn)場的一名成年男性工人因傷勢嚴(yán)重被送往了醫(yī)院。

目前尚不清楚臺積電晶圓廠此次事故的具體原因，臺積電方面尚未對此事做出回應(yīng)。

資料顯示，目前臺積電正在美國亞利桑那州鳳凰城建設(shè)的兩座晶圓廠由于缺乏熟練工人等問題，導(dǎo)致進(jìn)度已經(jīng)延后。其中，4nm制程的晶圓一廠（Fab21）量產(chǎn)時間從2024年推遲到2025年。2024年1月，臺積電又宣布原定于2026年開始量產(chǎn)3nm的晶圓二廠，也要等到2028年才會量產(chǎn)。兩座晶圓廠完工后，合計將年產(chǎn)能超過60萬片晶圓，換算至終端產(chǎn)品市場價值預(yù)估超過400億美元。

今年4月，美國商務(wù)部在宣布將依據(jù)《芯片與科學(xué)法案》向臺積電提供高達(dá)66億美元的補(bǔ)貼資金和50億美元的低息貸款，用以支持臺積電在美國亞利桑那州鳳凰城建設(shè)先進(jìn)的半導(dǎo)體制造設(shè)施的同時，臺積電宣布將增加250億美元投資，在亞利桑那州新建第三座晶圓廠，預(yù)計將在21世紀(jì)20年代底（2029～2030年），采用2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn)。

編輯：芯智訊-浪客劍