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DDR4瘋狂漲價(jià),DRAM廠商爆賺
- 據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道,由于DDR4供應(yīng)減少,再加上市場神秘買家大舉出手掃貨,最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價(jià)等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報(bào)價(jià)已翻漲一倍以上,不僅跨過DRAM廠損益平衡點(diǎn),更達(dá)到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報(bào)價(jià)大漲,甚至比更高規(guī)格的DDR5報(bào)價(jià)更高,呈現(xiàn)“價(jià)格倒掛”,業(yè)界直言:“至少十年沒看過現(xiàn)貨價(jià)單日漲幅這么大。”根據(jù)DRAM專業(yè)報(bào)價(jià)網(wǎng)站DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示,6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價(jià)全面暴漲,DDR4 8Gb(1G×8)3200大漲7.8%,
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英偉達(dá)Arm PC芯片亮相即巔峰?
- 一塊搭載了英偉達(dá)N1X處理器的惠普開發(fā)板(HP 83A3)在Geekbench上亮相。在Geekbench的測試中,運(yùn)行Linux(Ubuntu 24.04.1)的N1X處理器在單核測試中獲得了3096分,在多核測試中獲得了18837分,平均頻率為4GHz。數(shù)據(jù)顯示這款處理器為20線程配置,由于Arm通常沒有像英特爾那樣的超線程技術(shù),因此很可能是20個(gè)物理核心,類似于英偉達(dá)迷你超算所搭載的GB10。同時(shí),該開發(fā)板可能配備128GB系統(tǒng)內(nèi)存,其中8GB預(yù)留給GPU。其性能已經(jīng)接近甚至超過了當(dāng)前市場上的一些頂
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AI PC新突破 端側(cè)首次支持128K上下文窗口 實(shí)現(xiàn)2.2倍推理優(yōu)化
- 端側(cè)AI里程碑:面壁大模型+英特爾酷睿Ultra首日協(xié)同優(yōu)化效率提升220%;面壁智能端側(cè)大模型首日上線,英特爾工程師聯(lián)合優(yōu)化實(shí)現(xiàn)2.2倍推理效率躍升;AI PC時(shí)代加速:面壁智能端側(cè)大模型適配酷睿Ultra,效率提升220%;推理速率提升2.2倍!面壁推出MiniCPM 4.0系列LLM模型,英特爾助力帶來端側(cè)性能體驗(yàn);英特爾銳炫B60聯(lián)合面壁MiniCPM 4.0,端側(cè)首次支持高達(dá)128K上下文窗口
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英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM
- 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手,合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案,以替代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)。據(jù)報(bào)道,雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品,該項(xiàng)目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數(shù)據(jù)傳輸專利,軟銀則以30億日元注資成為最大股東(總投資約100億日元)。該合作計(jì)劃于2027年完成原型開發(fā)并評(píng)估量產(chǎn)可行性,目標(biāo)是在2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設(shè)計(jì)工作以及專利管理,而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負(fù)責(zé)這種分工模式有助于充分發(fā)揮
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Microsoft希望各USB-C版本在所有PC上都能一致地工作
- 自從 USB Implementers Forum 技術(shù)演示以來,我們一直在介紹小型、可逆的 USB Type-C 連接器,從那時(shí)起的十多年里,該端口逐漸風(fēng)靡全球。它逐漸從筆記本電腦遷移到游戲機(jī)、PC 配件、Android 手機(jī)、電子閱讀器和 iPhone。盡管存在一些問題和缺點(diǎn),但與十年前相比,我們更接近于一個(gè)可以做所有事情的單一連接器。但其中一些困惑仍然存在。USB-C 從一開始就內(nèi)置的一個(gè)弱點(diǎn)是,物理連接器的規(guī)格總是與 USB 協(xié)議本身的規(guī)格(即給定端口能夠達(dá)到的數(shù)據(jù)傳輸速度)、用于充電的
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三星考慮進(jìn)行大規(guī)模內(nèi)部重組
- 據(jù)韓媒SEDaily報(bào)道,三星半導(dǎo)體部門(即DS設(shè)備解決方案部)正對(duì)系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)的組織運(yùn)作方式的調(diào)整計(jì)劃進(jìn)行最終審議,相關(guān)決定將在不久后公布。預(yù)計(jì)在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負(fù)責(zé)人全永鉉做出最終決定之前,還將進(jìn)行更多高層討論,并聽取董事長李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)主要負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì),在三星半導(dǎo)體體系中承擔(dān)著為移動(dòng)業(yè)務(wù)(MX)部門開發(fā)Exynos手機(jī)SoC的核心任務(wù)。然而,近年來Exynos 2x00系列應(yīng)用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機(jī)中的采用率明顯下降,不僅削弱了MX部門的利潤空間,
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DDR5上升趨勢放緩;DRAM價(jià)格在第三季度將適度上漲
- 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢報(bào)告,DRAM 方面,DDR5 價(jià)格已顯現(xiàn)放緩跡象,預(yù)計(jì) 25 年第三季度整體 DRAM 價(jià)格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存,現(xiàn)貨價(jià)格在 2 月下旬以來上漲后已達(dá)到相對(duì)較高的水平,購買勢頭現(xiàn)在正在降溫。詳情如下:DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格:與 DDR4 產(chǎn)品相比,DDR5 產(chǎn)品仍然會(huì)出現(xiàn)小幅現(xiàn)貨價(jià)格上漲。然而,DDR5 產(chǎn)品的平均現(xiàn)貨價(jià)格已經(jīng)相當(dāng)高,在某些情況下甚至高于合同價(jià)格。因此,上升趨勢最近有所緩和。組件公司和現(xiàn)貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
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傳英特爾考慮剝離網(wǎng)絡(luò)和邊緣業(yè)務(wù),以專注于PC和數(shù)據(jù)中心
- 據(jù)路透社報(bào)道,據(jù)報(bào)道,英特爾正在考慮剝離其網(wǎng)絡(luò)和邊緣業(yè)務(wù)組 (NEX),以專注于 PC 和數(shù)據(jù)中心。計(jì)劃包括出售該部門并將其與另一家公司合作。據(jù)說英特爾已經(jīng)與其他公司談過這個(gè)計(jì)劃。4 月,它以 87.5 億美元的價(jià)格將 Altera 51% 的股份出售給 Silver Lake。之前的合作伙伴關(guān)系銷售是與投資公司 Apollo 進(jìn)行的,Apollo 斥資 110 億美元收購了英特爾在愛爾蘭的 Fab 34 49% 的股份,另一家是英特爾將其 IMS 納米制造業(yè)務(wù) 20% 的股份出售給貝恩資本據(jù)說英特爾已經(jīng)
- 關(guān)鍵字: 英特爾 網(wǎng)絡(luò)和邊緣業(yè)務(wù) PC 數(shù)據(jù)中心
華為發(fā)布可折疊PC:全球最大雙層OLED顯示屏
- 5月19日下午,華為召開新品發(fā)布會(huì),其中最重磅的產(chǎn)品當(dāng)然是形態(tài)頗為另類的 —— MateBook Fold折疊電腦,有32GB+1TB和32GB+1TB兩個(gè)版本,售價(jià)分別為23999元和26999元。超大折MateBook Fold華為MateBook Fold采用了全球最大的雙層OLED顯示屏,也是行業(yè)中首次采用LTPO技術(shù)的電腦顯示屏,支持自適應(yīng)刷新率。這塊屏幕HDR峰值亮度為1600nits,分辨率為3.3K。屏幕展開后屏幕尺寸為18英寸,比例為4:3 ,折疊狀態(tài)下尺寸為13英寸,比例為3:2,整機(jī)
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Rambus推出下一代內(nèi)存模塊,提升AI PC性能
- 5 月 14 日,Rambus 宣布推出專為客戶端芯片組設(shè)計(jì)的下一代 AI PC 內(nèi)存模塊的完整陣容。這包括兩個(gè)為客戶端計(jì)算量身定制的新型電源管理 IC (PMIC):用于 LPDDR5 CAMM2 (LPCAMM2) 內(nèi)存模塊的 PMIC5200 和用于 DDR5 CSODIMM 和 CUDIMM 內(nèi)存模塊的 PMIC5120。PMIC5200 針對(duì) LPDDR 電源軌進(jìn)行了優(yōu)化,可提供出色的電源轉(zhuǎn)換精度和效率。PMIC5120 目前支持高達(dá) 7200 MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率,并且旨在在未來擴(kuò)展到更高
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Rambus推出面向下一代AI PC內(nèi)存模塊的業(yè)界領(lǐng)先客戶端芯片組
- 作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:RMBS)今日宣布推出面向下一代人工智能(AI)個(gè)人電腦( PC)內(nèi)存模塊的完整客戶端芯片組,包含兩款用于客戶端計(jì)算的全新電源管理芯片(PMIC)。PMIC是實(shí)現(xiàn)高效供電的關(guān)鍵,能夠?yàn)橄冗M(jìn)的計(jì)算應(yīng)用提供突破性的性能表現(xiàn)。這兩款業(yè)界領(lǐng)先的全新Rambus PMIC分別是適用于LPDDR5 CAMM2(LPCAMM2)內(nèi)存模塊的PMIC5200,以及適用于DDR5 CSODIMM和CUDIMM的PMIC
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Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中
- 存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.(加利福尼亞州圣何塞)推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物(IGZO)變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示,它已經(jīng)開發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器 (1T1C) 和三個(gè)晶體管、零電容器 (3T0C) X-DRAM 單元,這些單元是可堆疊的。該公司表示,TCAD 仿真預(yù)測該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時(shí)間,芯片容量高達(dá) 512Gbit。這些設(shè)計(jì)的測試芯片預(yù)計(jì)將于 2026 年推出
- 關(guān)鍵字: Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
三星因關(guān)稅前囤積而提高DRAM價(jià)格,DDR4上漲20%
- 在特朗普加征關(guān)稅之前囤積數(shù)據(jù)推動(dòng)的 DRAM 需求激增似乎是真實(shí)的。據(jù)韓國 Etnews 報(bào)道,三星一年多來首次提高了 DRAM 價(jià)格,其中 DDR4 的漲幅最大。該報(bào)告表明,三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價(jià)條款,已將 DDR4 價(jià)格提高了約 20%。與此同時(shí),該報(bào)告補(bǔ)充說,DDR5 價(jià)格的漲幅較小,約為 5%。三星第二季度利潤或?qū)⒌玫教嵴裰档米⒁獾氖?,Etnews 表示,由于 DRAM 價(jià)格是以數(shù)月為基礎(chǔ)進(jìn)行談判的,因此最近的上漲預(yù)計(jì)將在一段時(shí)間內(nèi)支持盈利能力,從而為三星第二
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Vishay推出通過AEC-Q200認(rèn)證的新款厚膜功率電阻器可選配NTC熱敏電阻和PC-TIM
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款通過AEC-Q200認(rèn)證、采用緊湊型薄形SOT-227封裝并可安裝在散熱片上的全新厚膜功率電阻器---ISOA200。Vishay MCB ISOA200可選配用于內(nèi)部溫度監(jiān)測的NTC熱敏電阻和用于更高效安裝的預(yù)涂相變熱接口材料(PC-TIM),在80°C底殼溫度下可提供高脈沖處理能力和高達(dá)200W的高功率耗散。日前發(fā)布的器件采用裸露鋁襯底取代金屬片,可用作預(yù)充電、放電、主動(dòng)放電或緩沖電阻,降低汽車、工業(yè)和航空航天等應(yīng)用的
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英偉達(dá)和聯(lián)發(fā)科技可能會(huì)在 Computex 上推出聯(lián)合開發(fā)的適用于 Windows PC 的“N1”Arm 芯片
- 據(jù) ComputerBase 稱,英偉達(dá)和聯(lián)發(fā)科預(yù)計(jì)將在 2025 年臺(tái)北國際電腦展上推出他們聯(lián)合開發(fā)的基于 Arm 的 PC 處理器。即將推出的芯片 N1X 和 N1 針對(duì)臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦,標(biāo)志著 Nvidia 更深入地進(jìn)入 Windows-on-Arm 生態(tài)系統(tǒng)。然而,由于未解決的技術(shù)障礙,零售可用性可能會(huì)推遲到 2026 年,Heise 援引 SemiAccurate 的話說。兩家公司的首席執(zhí)行官 — 英偉達(dá)的黃仁勛和聯(lián)發(fā)科技的 Rick Tsai
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