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碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測量值，對短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
關(guān)鍵字：碳化硅(SiC)MOSFET 短路熱模型

Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器，可最大程度提高效率及安全性

　　深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動(dòng)級。新品件經(jīng)過設(shè)定后可支持不同的門極驅(qū)動(dòng)電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應(yīng)用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動(dòng)器、電焊機(jī)和電源?！　IC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8
關(guān)鍵字： Power Integrations SiC-MOSFET

SiC市場趨勢及應(yīng)用動(dòng)向

介紹了SiC的市場動(dòng)向，SiC市場不斷擴(kuò)大的原因，SiC技術(shù)及解決方案的突破，以及羅姆公司在SiC方面的特點(diǎn)。
關(guān)鍵字： SiC 市場應(yīng)用汽車 201903

MACOM推出寬帶多級硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊具備靈活安裝性能，實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先的設(shè)計(jì)敏捷性

　　全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴(kuò)展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 產(chǎn)品組合。該寬帶PA模塊經(jīng)過優(yōu)化改良，適用于陸地移動(dòng)無線電系統(tǒng)(LMR)、無線公共安全通信以及軍事戰(zhàn)術(shù)通信和電子對抗 (ECM) 領(lǐng)域。MAMG-100227-010 PA模塊兼具50Ω 全匹配、兩級PA架構(gòu)的高效設(shè)計(jì)，以及頂端和底端安
關(guān)鍵字： MACOM GaN

ST將收購Norstel 55％股權(quán)，擴(kuò)大SiC器件供應(yīng)鏈

意法半導(dǎo)體(ST)近日與瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商N(yùn)orstel AB公司簽署協(xié)議，收購后者55%股權(quán)。Norstel公司于2005年從Link?ping大學(xué)分拆出來，開發(fā)和生產(chǎn)150mm SiC裸晶圓和外延晶圓。ST表示，在交易完成之后，它將在全球產(chǎn)能受限的情況下控制部分SiC器件的整個(gè)供應(yīng)鏈，并為自己帶來一個(gè)重要的增長機(jī)會(huì)。
關(guān)鍵字： ST Norstel SiC

GaN逐步向RF領(lǐng)域的發(fā)展之路

目前，氮化鎵(GaN)技術(shù)已經(jīng)不再局限于功率應(yīng)用，其優(yōu)勢也在向射頻/微波行業(yè)應(yīng)用的各個(gè)角落滲透，而且對射頻/微波行業(yè)的影響越來越大，不容小覷。因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)從太空、軍用雷達(dá)到蜂窩通信的應(yīng)用。雖然GaN通常與功率放大器(PA)相關(guān)度很高，但它也有其他用例。自推出以來，GaN的發(fā)展歷程令人矚目，隨著5G時(shí)代的到來，它可能會(huì)更加引人關(guān)注。
關(guān)鍵字： GaN RF

射頻前端市場潛力巨大 GaN發(fā)展優(yōu)勢明顯

目前射頻前端元器件基本均由半導(dǎo)體工藝制備，如手機(jī)端的功率放大器(PA)和低噪聲放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射頻(RF)開關(guān)主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料，從目前的材料工藝角度來看，主要針對5G的Sub-6GHz范圍。以PA為例，許多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，GaN技術(shù)的運(yùn)用將能為PA帶來高效低功耗的優(yōu)勢。
關(guān)鍵字：射頻 GaN

盤點(diǎn)2018年全球電子產(chǎn)業(yè)最具代表性的十大“黑科技”

今年整個(gè)產(chǎn)業(yè)在技術(shù)上也是節(jié)節(jié)攀升，2018年可以說是產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的一年，全球電子產(chǎn)業(yè)也產(chǎn)生了眾多技術(shù)突破。
關(guān)鍵字：芯片，GaN

第三代半導(dǎo)體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點(diǎn)？

　　目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實(shí)現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會(huì)有非常廣闊的發(fā)展前景?！　∪欢?，SiC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來?！　?shí)際上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 SiC GaN

北汽新能源聯(lián)手羅姆半導(dǎo)體，推動(dòng)SiC產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)

　　11月30日，北汽新能源(北汽藍(lán)谷 600733)與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)合作成立SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。北汽新能源執(zhí)行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)董事末永良明現(xiàn)場簽署了合作協(xié)議書，并共同為SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合試驗(yàn)室揭牌?！　　　≡撀?lián)合實(shí)驗(yàn)室的成立，是北汽新能源在新能源汽車領(lǐng)域不斷加強(qiáng)自主技術(shù)實(shí)力的重要舉措，聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)共同深入到碳化硅等新技術(shù)的預(yù)研中，并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進(jìn)行全面合作開發(fā)。　　　　近年來，以SiC為代表的第三代功率半導(dǎo)體材料，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在新能源
關(guān)鍵字：北汽新能源羅姆半導(dǎo)體 SiC

QORVO?憑借行業(yè)首款28 GHZ GAN前端模塊增強(qiáng)其5G領(lǐng)先優(yōu)勢

　　移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天應(yīng)用RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼：QRVO)憑借行業(yè)首款 28 Ghz 氮化鎵 (GaN) 前端模塊 (FEM) --- QPF4001 FEM，擴(kuò)大了其 5G 業(yè)務(wù)范圍。在基站設(shè)備制造商涉足 5G 之后，這款新 FEM 可以幫助他們降低總體系統(tǒng)成本。　　據(jù) SNS Telecom & IT 介紹，28 GHz 頻段是早期基于 5G 的固定無線接入 (FWA) 部署的首選頻段，使運(yùn)營商能夠滿足 5G 對速度、延遲、可靠性和容量的
關(guān)鍵字： QORVO GAN

羅姆為汽車、工業(yè)領(lǐng)域提供更多SiC解決方案

羅姆（ROHM）作為一個(gè)日本企業(yè)，很早便打入歐洲市場，豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)、值得信賴的產(chǎn)品品質(zhì)和口碑讓歐洲本土企業(yè)成為羅姆（ROHM）的合作伙伴。在本次的elecronica 2018展上，我們也見到了很多羅姆（ROHM）的得意之作。
關(guān)鍵字： ROHM SiC 羅姆

德州儀器用2000萬小時(shí)給出使用氮化鎵（GaN）的理由

在多倫多一個(gè)飄雪的寒冷日子里?！　∥覀儙讉€(gè)人齊聚在本地一所大學(xué)位于地下的高級電力電子研究實(shí)驗(yàn)室中，進(jìn)行一場頭腦風(fēng)暴。有點(diǎn)諷刺意味的是，話題始終圍繞著熱量，當(dāng)然不是要生熱取暖，而是如何減少功率轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的熱量。我們已經(jīng)將MOSFET和IGBT分別做到了極致，但是我們中沒有人對此感到滿意。在這個(gè)探討過程中，我們盤點(diǎn)了一系列在高壓環(huán)境中失敗的設(shè)備?！　≡谀莻€(gè)雪花漫天飛舞的日子里，我們聚焦于選擇新方法和拓?fù)洌詫で螳@得更高的效率和密度，當(dāng)然也要找到改進(jìn)健全性的途徑。一位高級研究員幫助總
關(guān)鍵字：德州儀器 GaN

使用SiC技術(shù)攻克汽車挑戰(zhàn)

　　摘要 – 在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項(xiàng)目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項(xiàng)目提供資金支持，實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢互補(bǔ)的研發(fā)活動(dòng)。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牽頭，20個(gè)項(xiàng)目合作方將在技術(shù)研究、制造工藝、封裝測試和應(yīng)用方面展開為期36個(gè)月的開發(fā)合作。本文將討論本項(xiàng)目中與汽車相關(guān)的內(nèi)容，重點(diǎn)介紹有關(guān)SiC技術(shù)和封
關(guān)鍵字： SiC WInSiC4AP

尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術(shù)給機(jī)器人、可再生能源和電信等領(lǐng)域帶來革新

　　從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。　　硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸規(guī)格下，硅材料無法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對于即將推出的5G無線網(wǎng)絡(luò)，以及未來的機(jī)器人、可再生能源直至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率都是一個(gè)至關(guān)重要的因素?！　　肮こ處煬F(xiàn)在處于一個(gè)非常尷尬的境地，一方面他們無法在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Behe
關(guān)鍵字： GaN，機(jī)器人