碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊
英飛凌推出針對工業(yè)與消費類應用優(yōu)化的OptiMOS? 7功率MOSFET
- 各行業(yè)高功耗應用的快速增長對功率電子技術(shù)提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在這方面發(fā)揮著關鍵作用，而針對應用優(yōu)化的設計思路為進一步提升已高度成熟的MOSFET技術(shù)帶來了新的可能性。通過采用這種以具體應用場景為核心的設計理念，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于工業(yè)與消費市場的OptiMOS? 7功率MOSFET系列，進一步擴展其現(xiàn)有的OptiMOS? 7汽車應用產(chǎn)品組合。新OptiMOS
- 關鍵字： 英飛凌 MOSFET
英飛凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列
- 電動汽車充電、電池儲能系統(tǒng)，以及商用、工程和農(nóng)用車輛（CAV）等大功率應用場景，正推動市場對更高系統(tǒng)級功率密度與效率的需求，以滿足日益提升的性能預期。同時，這些需求也帶來了新的設計挑戰(zhàn)，例如，如何在嚴苛環(huán)境條件下實現(xiàn)可靠運行、在應對瞬態(tài)過載時如何保持穩(wěn)定性，以及如何優(yōu)化整體系統(tǒng)性能。為應對這些挑戰(zhàn)，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列。該器件支持更高的直流母線電壓，可實現(xiàn)更優(yōu)異的熱性能、
- 關鍵字： 英飛凌 MOSFET
體積更小且支持大功率！ROHM開始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務器電源、ESS（儲能系統(tǒng)）以及要求扁平化設計的薄型電源等工業(yè)設備。與以往封裝產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產(chǎn)品的
- 關鍵字： ROHM SiC MOSFET
Wolfspeed順利完成財務重組，增強財務實力
- 全球碳化硅技術(shù)引領者 Wolfspeed, Inc. 公司近日宣布已成功完成其財務重整流程，并已退出美國《破產(chǎn)法》第 11 章的保護。通過此次重整，Wolfspeed 將其總債務削減了約 70%，債務到期日延長至 2030 年，年度現(xiàn)金利息支出也隨之降低了約 60%。此外，公司認為其保持有充足的流動性，可繼續(xù)為客戶提供領先的碳化硅解決方案。憑借由自由現(xiàn)金流生成能力支撐的自籌資金商業(yè)計劃，Wolfspeed 已蓄勢待發(fā)，將充分利用其垂直整合的 200 mm 制造基地，并以安全、可擴展的本土供應鏈為后盾，來推
- 關鍵字： Wolfspeed 碳化硅
英飛凌與羅姆攜手推進SiC功率器件封裝兼容性，為客戶帶來更高靈活度
- ●? ?英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為采用特定碳化硅（SiC）半導體產(chǎn)品的客戶提供第二供應商支持●? ?未來，客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應產(chǎn)品間輕松切換，從而提升設計與采購的靈活性●? ?此類產(chǎn)品能提高汽車車載充電器、可再生能源及AI數(shù)據(jù)中心等應用場景中的功率密度英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer（左）羅姆董事兼常務執(zhí)行官伊野和英（右）全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以
- 關鍵字： 英飛凌 羅姆 ROHM SiC功率器件 SiC
羅姆與英飛凌攜手推進SiC功率器件封裝兼容性
- 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）近日宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。雙方旨在對應用于車載充電器、太陽能發(fā)電、儲能系統(tǒng)及AI數(shù)據(jù)中心等領域的SiC功率器件封裝展開合作，推動彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應商。未來，用戶可同時從羅姆與英飛凌采購兼容封裝的產(chǎn)品，既能靈活滿足客戶的各類應用需求，亦可輕松實現(xiàn)產(chǎn)品切換。此次合作將顯著提升用戶在設計與采購環(huán)節(jié)的便利性。英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁 Peter
- 關鍵字： 羅姆 英飛凌 SiC
175℃極限突破！SiC JFET 讓固態(tài)斷路器（SSCB）無懼高溫工況
- 斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊，而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置（RCD） 或接地故障斷路器（GFCI） 。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。機電式斷路器的設計可追溯至 20 世紀 20 年代，如今仍被廣泛應用。與早期的熔斷器設計相比，斷路器具有顯著優(yōu)勢 ——可重復使用，而早期的熔斷器使用一次后就必須更換。如今，隨著寬禁帶半導體技術(shù)的發(fā)展，固態(tài)斷路器正占據(jù)更大的市場份額。與硅基半導體相比，寬禁帶半導體開關在正常運行期間具有更低的通態(tài)損耗和更高的效率
- 關鍵字： 安森美 SiC JFET 固態(tài)斷路器
SiC推動電動汽車向800V架構(gòu)轉(zhuǎn)型，細數(shù)安森美的核心SiC方案
- 隨著電動汽車(EV)逐漸成為主流，人們對電動汽車的性能、充電時間和續(xù)航里程的期望持續(xù)攀升。要滿足這些需求，不僅需要在用戶界面層面進行創(chuàng)新，更要深入動力系統(tǒng)架構(gòu)展開革新。而推動這一演進的關鍵趨勢之一，便是電池系統(tǒng)從400V向800V（乃至1200V）的升級。這種轉(zhuǎn)變能實現(xiàn)充電提速、功率提升與能源高效利用，但同時也帶來了新的設計挑戰(zhàn)。安森美(onsemi)正處于這一變革的前沿。安森美提供一系列碳化硅(SiC) 解決方案，包括650V 和1200V M3S EliteSiC MOSFET和汽車功率模塊(APM)
- 關鍵字： 安森美 SiC 電動汽車 800V
韓國在釜山啟動首個8英寸碳化硅工廠，年產(chǎn)量預計達3萬片晶圓
- 碳化硅（SiC）在耐高溫、耐電壓和電力效率方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅，全球領導者如英飛凌和 Wolfspeed 正在爭先?，F(xiàn)在，韓國也加大了力度——Maeil 商業(yè)報紙報道，釜山已開啟了韓國首個 8 英寸碳化硅功率半導體工廠。據(jù)報道，釜山廣域市政府于 17 日宣布，EYEQ Lab 在釜山吉昌完成了其新的總部和生產(chǎn)設施。該工廠投資了 1000 億韓元，使韓國首次能夠完全本土化生產(chǎn) 8 英寸碳化硅功率半導體。如《韓國先驅(qū)報》所強調(diào)，釜山廣域市政府將項目的完成視為一個關鍵里程碑，旨在提升國內(nèi)8英寸碳化硅功率半導體的生產(chǎn)并
- 關鍵字： 碳化硅 MOSFET 電源 功率半導體
SiC和GaN技術(shù)重塑電力電子行業(yè)前景
- 電力電子行業(yè)將進入增長的最后階段，預計到 2025 年評估市場價值將達到 517.3 億美元，到 2030 年將達到 674.2 億美元。5.4% 的穩(wěn)定復合年增長率源于對能源效率、可再生能源集成和半導體先進技術(shù)的需求穩(wěn)步增長。增長動力：市場的積極勢頭源于相互關聯(lián)的現(xiàn)象：清潔能源勢在必行隨著世界試圖實現(xiàn)碳中和，包括太陽能光伏和風電場在內(nèi)的可再生能源系統(tǒng)將成為主流。因此，電力電子設備被用于這些系統(tǒng)，以實現(xiàn)高效的能源轉(zhuǎn)換、電網(wǎng)集成和實時管理。交通電氣化隨著電動汽車和混合動力汽車不再被視為小眾市場，現(xiàn)在對高性能
- 關鍵字： SiC GaN 電力電子
iDEAL推出具有行業(yè)領先性價比的200 V SuperQ? MOSFET系列
- ?iDEAL半導體近日宣布，其200 V SuperQ? MOSFET系列中的首款產(chǎn)品已進入量產(chǎn)階段，另外四款200 V器件現(xiàn)已提供樣品。SuperQ是硅MOSFET技術(shù)在超過25年來的首次重大進步，突破了長期存在的開關和導通限制。它在性能和效率方面實現(xiàn)了階躍式提升，同時保留了硅的核心優(yōu)勢：堅固性、高產(chǎn)量制造能力，以及在175 °C下的可靠表現(xiàn)。首款進入量產(chǎn)的200 V器件是iS20M028S1P，這是一款25 mΩ的MOSFET，采用TO-220封裝。iDEAL的最低電阻200 V器件現(xiàn)已在T
- 關鍵字： iDEAL MOSFET
英飛凌OptiMOS? 6產(chǎn)品組合新增TOLL、TOLG和TOLT封裝的150V MOSFET
- 隨著全球汽車行業(yè)電氣化進程的加速，市場對高效、緊湊且可靠的功率系統(tǒng)的需求持續(xù)增長——不僅乘用車領域如此，電動兩輪車領域亦是如此。這些車輛需要特殊的系統(tǒng)支持，例如xEV上的高壓-低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器和電動兩輪車上的牽引逆變器。此類系統(tǒng)必須在滿足高質(zhì)量標準的同時，能夠應對技術(shù)、商業(yè)和制造方面的多重挑戰(zhàn)。為滿足上述需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日宣布擴展其OptiMOS? 6產(chǎn)品組合，推出新型車規(guī)級150V MOSFET產(chǎn)品系列。新產(chǎn)品專為滿足現(xiàn)代電動汽車的嚴苛要求量身打造，并
- 關鍵字： 英飛凌 MOSFET 汽車電氣化
iDEAL 半導體宣布推出基于 SuperQ?的 200V MOSFET 系列，具有行業(yè)領先的成本×性能
- iDEAL 半導體宣布其首批基于 SuperQ?的 200V MOSFET 已進入量產(chǎn)階段，另外還有四個 200V 器件正在進行樣品測試。SuperQ 是過去 25 年來硅 MOSFET 技術(shù)的第一個重大進步，突破了長期存在的開關和導通限制。它在提供性能和效率飛躍的同時，保留了硅的核心優(yōu)勢：堅固性、大規(guī)?？芍圃煨院驮?175°C 下經(jīng)過驗證的可靠性。首個進入大規(guī)模生產(chǎn)的 200 V 器件 iS20M028S1P 是一款 TO-220 封裝的 25 mΩ MOSFET。iDEAL 的最低電阻 200 V 器
- 關鍵字： MOSFET 選型MOS 新品 iDEAL
三安宣布 8 英寸 SiC 芯片生產(chǎn)線投產(chǎn)完成
- 8 月 27 日，三安在投資者關系平臺上宣布，其湖南三安半導體基地的 8 英寸碳化硅（SiC）芯片生產(chǎn)線正式投產(chǎn)。湖南三安的 8 英寸 SiC 芯片線從建設到投產(chǎn)不到一年，進展比預期更快。截至 2025 年 8 月，湖南三安已建立起相對完整的 SiC 產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能：6 英寸 SiC 產(chǎn)能為每月 16000 片，8 英寸襯底和外延產(chǎn)能分別為每月 1000 片和 2000 片。此外，該公司還有氮化鎵-on-Silicon 產(chǎn)能為每月 2000 片。湖南三安碳化硅項目的總投資額為160億元人民幣，目標是建立一個兼
- 關鍵字： 碳化硅 芯片 晶圓廠
東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET
- 中國上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設備。三款器件于今日開始支持批量出貨。 三款新產(chǎn)品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)
- 關鍵字： 東芝 SiC MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
碳化硅(sic)mosfet電路
碳化硅(sic)mosfet相關帖子
碳化硅(sic)mosfet資料下載
碳化硅(sic)mosfet專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473