接近62%的能源被白白浪費
美國制造創(chuàng)新網絡(目前稱為MgfUSA)已經闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網自不必說,而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關注到了汽車減重設計,本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關注點同樣在于能源的問題。這是一個關于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。
圖1:整體的能源轉換效率約在38
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SiC GaN
近年來,SiC(碳化硅)因其優(yōu)異的節(jié)能效果和對產品小型化、輕量化的貢獻,在新能源汽車、城市基礎設施、環(huán)境/能源,以及工業(yè)設備領域的應用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產品相比,SiC產品憑借更低的開關損耗,可實現(xiàn)設備中冷卻機構的小型化。同時,通過更高頻率的開關動作,還可實現(xiàn)線圈和電容器等周邊元器件的小型化??梢?,SiC是可以同時實現(xiàn)設備節(jié)能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
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ROHM SiC 汽車
未來五年,通信產業(yè)向5G時代的革命性轉變正在深刻重塑RF(射頻)技術產業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對智能手機市場,還包括3W應用RF通信基礎設施應用,并且,5G將為RF功率市場的化合物半導體技術帶來重大市場機遇。
未來幾年,據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術趨勢-2017版》報告預計,隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長,RF功率市場將獲得強勁增長。2016~2022年期間,整體RF功率市場營收或將增長75%,帶來9.8%的復合年增長率。這意味著市場營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至202
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GaN 5G
展望未來,采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術,LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。
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5G GaN
在經過多年的疑慮和猶豫之后,SiC器件終于迎來了春天。
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SiC Cree
SiC在電源轉換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當然,要進行大批量生產,逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外,還必須具備適當?shù)目煽啃裕约白銐虻拈撝惦妷汉鸵詰脼閷虻亩搪纺褪苣芰Φ???膳cIGBT兼容的VGS=15V導通驅動電壓,以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
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電源轉換器 SiC MOSFET 逆變器 201707
什么是MOCVD?
MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延,生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
MOCVD設備主要用于半導體材料襯底的外延生長,是LED以及半導體器件的關鍵設備。
根據(jù)Technavio統(tǒng)計,全球MOCVD市場的復合年平均增長率將在2021年之前增長到14%,市場規(guī)模將從201
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MOCVD GaN
人體信息監(jiān)控是一個新興的領域,人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間,并最終通過因特網實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經有了.
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SiC 集成技術 生物電信號 采集方案
人體信息監(jiān)控是一個新興的領域,人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間,并最終通過因特網實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經有了,但如何
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EEG SiC 生物電信號采集 IMEC
隨著無線通信的帶寬、用戶數(shù)目以及地理覆蓋范圍擴展,基地臺收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對于更高效率的需求也不斷成長。無線功率放大器所消耗的功率超過了基地臺運作所需功率的一半。透過提高效率來減少功耗具有多項優(yōu)勢,首先,最明顯的好 處是降低運營成本;同時,更少的熱意味著更低的設備冷卻需求以及更高的可靠性。
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GaN AMO 放率放大器 LINC DPDm
GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
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GaN SiC 第三代半導體材料
<概要> 全球知名半導體制造商ROHM面向工業(yè)設備用的電源、太陽能發(fā)電功率調節(jié)器及UPS等的逆變器、轉換器,開發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”?! ”井a品通過ROHM獨有的模塊內部結構及散熱設計優(yōu)化,實現(xiàn)了600A額定電流,由此,在工業(yè)設備用大容量電源等更大功率產品中的應用成為可能。另外,與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比,開關損耗降低了64%(芯片溫度150℃時),這非常有助于應
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ROHM SiC
MACOM是半導體行業(yè)的支柱型企業(yè),在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中,公司敢于采用大膽的技術手段,為客戶提供真正的競爭優(yōu)勢并為投資者帶來卓越的價值,致力于構筑更加美好的世界。
在基礎設施的建設領域中,MACOM的技術提高了移動互聯(lián)網的速度和覆蓋率,讓光纖網絡得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無法想象的巨大通信量,讓數(shù)百萬人在生活中每時每刻方便地交流溝通。
日前在上海舉辦的EDICON展會上,MACOM展出了一系列應用在基礎設施領域中的射頻功率晶體管產品,根據(jù)客戶的需求及痛點提供一站式解決方案。
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MACOM GaN
汽車功率電子產品正成為半導體行業(yè)的關鍵驅動因素之一。這些電子產品包括功率元器件,是支撐新型電動汽車續(xù)航里程達到至少200英里的核心部件。
雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015-2020年該行業(yè)的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源
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SiC GaN
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