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          GaN是5G最好選擇 手機端應用現(xiàn)實嗎？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　超密集組網(wǎng)通過增加基站部署密度，可實現(xiàn)頻率復用效率的巨大提升，并且?guī)砜捎^的容量增長，未來隨著基站數(shù)量的增加，基站內(nèi)射頻器件的需求也將隨之大幅提升。高通預測，射頻前端的市場規(guī)模預估到2020年將達到180億美元。Small Cell Forum預測，全球小基站市場空間有望在2020年超過60億美元。

　　Qorvo亞太區(qū)FAE高級經(jīng)理楊嘉
　　有業(yè)內(nèi)分析師就表示，3.5GHz以上所有宏基站部署將看到GaN逐步取代LDMOS，同時，GaAs也將從小型基站網(wǎng)絡的需求增長中受益。Qorvo亞太區(qū)FA
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          • 關鍵字：
                        GaN  5G                          
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          慕展：功率電子、微波通信、阻容感、材料、結(jié)構(gòu)件領域的最新產(chǎn)品 都在世強
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會吸引了數(shù)萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學習。而全球先進的元件分銷商——世強元件電商，則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動化、結(jié)構(gòu)件、阻容感、材料、測試測量等九大領域的最新產(chǎn)品及方案亮相?！　{借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門市場的最新產(chǎn)品的展示，世強元件電商吸引了大批工程師
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          • 關鍵字：
                        SiC  GaN                          
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          5G和交通電氣化的核心是SiC和GaN功率射頻器件
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　據(jù)麥姆斯咨詢報道，一些非常重要的市場趨勢正在推動化合物半導體器件在關鍵行業(yè)的應用，化合物半導體正在強勢回歸。這些趨勢主要包括第五代(5G)無線網(wǎng)絡協(xié)議、無人駕駛和自動汽車、交通電氣化、增強現(xiàn)實和虛擬現(xiàn)實(AR/VR)。這些應用正在推動3D傳感的應用，提高功率模塊效率和更高頻率的通信應用。所有這些新發(fā)展背后的關鍵器件都是由化合物半導體制造而成。科銳(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告，還僅僅是化合物半導體應用的冰山一角。
　　我們
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          • 關鍵字：
                        5G  SiC                          
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          TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動器，擴展其GaN電源產(chǎn)品組合
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)驅(qū)動器，進一步擴展了其業(yè)內(nèi)領先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡追蹤等速度關鍵應用中實現(xiàn)更高效、性能更高的設計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關頻率的同時提高效率，并可實現(xiàn)以往硅MOSFET無法實現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息，請訪問www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
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          • 關鍵字：
                        TI  GaN                          
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          ADI用于Microsemi SiC功率模塊的隔離驅(qū)動器板加快產(chǎn)品上市時間
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯(lián)合推出市場首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評估板，在200kHz開關頻率時該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設計旨在提高設計可靠性，同時減少創(chuàng)建額外原型的需求，為電源轉(zhuǎn)換和儲能客戶節(jié)省時間、降低成本并縮短上市時間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會上展示該評估
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          • 關鍵字：
                        ADI  SiC                          
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          2018年全球十大突破性技術(shù)是如何產(chǎn)生的？
          
                                                            
            
                    	
          • 　　《麻省理工科技評論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術(shù)”，這份全球新興科技領域的權(quán)威榜單至今已經(jīng)有 17 年的歷史。
　　1、給所有人的人工智能 AI for everyone
　　入選理由：將機器學習工具搬上云端，將有助于人工智能更廣泛的傳播
　　重大意義：目前，人工智能的應用是受到少數(shù)幾家公司統(tǒng)治的。但其一旦與云技術(shù)相結(jié)合，那它將可以對許多人變得觸手可及，從而實現(xiàn)經(jīng)濟的爆發(fā)式增長。
　　主要研究者：Google,亞馬遜，阿里云，騰訊云，百度云，金山云，京東云
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          • 關鍵字：
                        機器學習  GAN                          
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          安森美半導體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體?(ON?Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開關性能、更低的功率損耗，并輕松實現(xiàn)器件并聯(lián)?！　“采腊雽w最新發(fā)布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容
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          • 關鍵字：
                        安森美  SiC                          
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          氮化鎵襯底晶片實現(xiàn)“中國造”
          
                                                            
            
                    	
          • 　　一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件，是理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡稱蘇州納維)的主打產(chǎn)品。
　　“不會游泳的時候就跳下了水”
　　蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應商， 團隊從氮化鎵單晶材料氣相生長的設備開始研發(fā)，逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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          • 關鍵字：
                        GaN  氮化鎵                          
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          納微半導體將在中國臺灣的電源設計技術(shù)論壇活動上
          
                                                            
            
                    	
          • 　　納微 (Navitas)半導體宣布其現(xiàn)場應用及技術(shù)營銷總監(jiān)黃萬年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設計與功率組件技術(shù)論壇”上發(fā)表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實現(xiàn)下一代電源適配器設計”的主題演講。他將分享如何利用業(yè)內(nèi)首個及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統(tǒng)中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見解。納微是這項活動的銀級贊助商，該活動為具有創(chuàng)新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個交互論壇，以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專業(yè)知識?！　↑S萬年
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          • 關鍵字：
                        納微  SiC                          
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          ROHM贊助上海同濟大學“DIAN Racing”電動方程式車隊
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　近年來，出于地球溫室化對策和減少空氣污染的考慮，對汽車的環(huán)保性能要求越來越高。世界各國均已制定了新能源汽車的開發(fā)和引進計劃，未來新能源汽車的普及將會進一步加速。其中，中國新能源汽車市場發(fā)展勢頭最為迅猛。隨著中國新能源汽車市場的迅速壯大和新能源汽車技術(shù)的快速發(fā)展，越來越多的中國新能源汽車品牌開始走出國門，投身到波瀾壯闊的世界新能源汽車市場?！　∽鳛槿蛑雽w制造商， ROHM一直以來都將汽車市場為主要目標領域，通過開發(fā)并提供SiC元器件、電源IC、控制IC等滿足最新汽車電子化需求的創(chuàng)新型高
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          • 關鍵字：
                        ROHM  SiC                          
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          宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）于CES? 2018展覽展示基于GaN技術(shù)的大面積無線電源及高分辨率激光雷達應用
          
                                                            
            
                    	
          • 　　EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術(shù)如何實現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費電子應用 -- 分別是無線充電及自動駕駛汽車的激光雷達應用。　　EPC將在AirFuel聯(lián)盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無線充電系統(tǒng)，可以在桌面上任何位置對多種設備同時充電，可傳送高達300 W功率。可傳送這么大功率使得我們可以同時對電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
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          • 關鍵字：
                        宜普  GaN                          
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          電動汽車打開應用窗口：SiC產(chǎn)品要來了！
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 隨著技術(shù)的不斷更新?lián)Q代，以及電動汽車市場的巨大助力，SiC產(chǎn)品有望迎來快速增長期。
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          • 關鍵字：
                        電動汽車  SiC                          
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          我國第三代半導體材料制造設備取得新突破
          
                                                            
            
                    	
          • 　　近日，863計劃先進制造技術(shù)領域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術(shù)研究”課題通過了技術(shù)驗收。
　　通常，國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導體材料的制造裝備對設備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場分布、設備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質(zhì)量和成品率的關鍵技術(shù)有很高的
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          • 關鍵字：
                        半導體  SiC                          
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          在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　摘要　　本文評測了主開關采用意法半導體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開關管提升了開關性能標桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設計影響較大?！　∏把浴　∈袌鰧﹂_關速度、功率、機械應力和熱應力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限?！　拵栋雽w器件因電、熱、機械等各項性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認為是硅半導體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中，兼容硅
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  SiC                          
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          gan+sic介紹
          
      			
          
		      	
          
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