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英飛凌推出針對(duì)工業(yè)與消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS? 7功率MOSFET

各行業(yè)高功耗應(yīng)用的快速增長(zhǎng)對(duì)功率電子技術(shù)提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在這方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，而針對(duì)應(yīng)用優(yōu)化的設(shè)計(jì)思路為進(jìn)一步提升已高度成熟的MOSFET技術(shù)帶來(lái)了新的可能性。通過(guò)采用這種以具體應(yīng)用場(chǎng)景為核心的設(shè)計(jì)理念，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于工業(yè)與消費(fèi)市場(chǎng)的OptiMOS? 7功率MOSFET系列，進(jìn)一步擴(kuò)展其現(xiàn)有的OptiMOS? 7汽車(chē)應(yīng)用產(chǎn)品組合。新OptiMOS
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英飛凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列

電動(dòng)汽車(chē)充電、電池儲(chǔ)能系統(tǒng)，以及商用、工程和農(nóng)用車(chē)輛（CAV）等大功率應(yīng)用場(chǎng)景，正推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)更高系統(tǒng)級(jí)功率密度與效率的需求，以滿(mǎn)足日益提升的性能預(yù)期。同時(shí)，這些需求也帶來(lái)了新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，例如，如何在嚴(yán)苛環(huán)境條件下實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)行、在應(yīng)對(duì)瞬態(tài)過(guò)載時(shí)如何保持穩(wěn)定性，以及如何優(yōu)化整體系統(tǒng)性能。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列。該器件支持更高的直流母線(xiàn)電壓，可實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的熱性能、
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體積更小且支持大功率！ROHM開(kāi)始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務(wù)器電源、ESS（儲(chǔ)能系統(tǒng)）以及要求扁平化設(shè)計(jì)的薄型電源等工業(yè)設(shè)備。與以往封裝產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產(chǎn)品的
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英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性，為客戶(hù)帶來(lái)更高靈活度

●? ?英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為采用特定碳化硅（SiC）半導(dǎo)體產(chǎn)品的客戶(hù)提供第二供應(yīng)商支持●? ?未來(lái)，客戶(hù)可在英飛凌與羅姆各自的對(duì)應(yīng)產(chǎn)品間輕松切換，從而提升設(shè)計(jì)與采購(gòu)的靈活性●? ?此類(lèi)產(chǎn)品能提高汽車(chē)車(chē)載充電器、可再生能源及AI數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場(chǎng)景中的功率密度英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer（左）羅姆董事兼常務(wù)執(zhí)行官伊野和英（右）全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以
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羅姆與英飛凌攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）近日宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。雙方旨在對(duì)應(yīng)用于車(chē)載充電器、太陽(yáng)能發(fā)電、儲(chǔ)能系統(tǒng)及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的SiC功率器件封裝展開(kāi)合作，推動(dòng)彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應(yīng)商。未來(lái)，用戶(hù)可同時(shí)從羅姆與英飛凌采購(gòu)兼容封裝的產(chǎn)品，既能靈活滿(mǎn)足客戶(hù)的各類(lèi)應(yīng)用需求，亦可輕松實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品切換。此次合作將顯著提升用戶(hù)在設(shè)計(jì)與采購(gòu)環(huán)節(jié)的便利性。英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁　Peter
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175℃極限突破！SiC JFET 讓固態(tài)斷路器（SSCB）無(wú)懼高溫工況

斷路器是一種用于保護(hù)電路免受過(guò)流、過(guò)載及短路損害的裝置。它不用于保護(hù)人員免受電擊，而用于防范此類(lèi)電擊的裝置被稱(chēng)為剩余電流裝置（RCD）或接地故障斷路器（GFCI）。該裝置可檢測(cè)泄漏電流并切斷電路。機(jī)電式斷路器的設(shè)計(jì)可追溯至 20 世紀(jì) 20 年代，如今仍被廣泛應(yīng)用。與早期的熔斷器設(shè)計(jì)相比，斷路器具有顯著優(yōu)勢(shì) ——可重復(fù)使用，而早期的熔斷器使用一次后就必須更換。如今，隨著寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，固態(tài)斷路器正占據(jù)更大的市場(chǎng)份額。與硅基半導(dǎo)體相比，寬禁帶半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)在正常運(yùn)行期間具有更低的通態(tài)損耗和更高的效率
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SiC推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)向800V架構(gòu)轉(zhuǎn)型，細(xì)數(shù)安森美的核心SiC方案

隨著電動(dòng)汽車(chē)(EV)逐漸成為主流，人們對(duì)電動(dòng)汽車(chē)的性能、充電時(shí)間和續(xù)航里程的期望持續(xù)攀升。要滿(mǎn)足這些需求，不僅需要在用戶(hù)界面層面進(jìn)行創(chuàng)新，更要深入動(dòng)力系統(tǒng)架構(gòu)展開(kāi)革新。而推動(dòng)這一演進(jìn)的關(guān)鍵趨勢(shì)之一，便是電池系統(tǒng)從400V向800V（乃至1200V）的升級(jí)。這種轉(zhuǎn)變能實(shí)現(xiàn)充電提速、功率提升與能源高效利用，但同時(shí)也帶來(lái)了新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。安森美(onsemi)正處于這一變革的前沿。安森美提供一系列碳化硅(SiC) 解決方案，包括650V 和1200V M3S EliteSiC MOSFET和汽車(chē)功率模塊(APM)
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韓國(guó)在釜山啟動(dòng)首個(gè)8英寸碳化硅工廠(chǎng)，年產(chǎn)量預(yù)計(jì)達(dá)3萬(wàn)片晶圓

碳化硅（SiC）在耐高溫、耐電壓和電力效率方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅，全球領(lǐng)導(dǎo)者如英飛凌和 Wolfspeed 正在爭(zhēng)先?，F(xiàn)在，韓國(guó)也加大了力度——Maeil 商業(yè)報(bào)紙報(bào)道，釜山已開(kāi)啟了韓國(guó)首個(gè) 8 英寸碳化硅功率半導(dǎo)體工廠(chǎng)。據(jù)報(bào)道，釜山廣域市政府于 17 日宣布，EYEQ Lab 在釜山吉昌完成了其新的總部和生產(chǎn)設(shè)施。該工廠(chǎng)投資了 1000 億韓元，使韓國(guó)首次能夠完全本土化生產(chǎn) 8 英寸碳化硅功率半導(dǎo)體。如《韓國(guó)先驅(qū)報(bào)》所強(qiáng)調(diào)，釜山廣域市政府將項(xiàng)目的完成視為一個(gè)關(guān)鍵里程碑，旨在提升國(guó)內(nèi)8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)并
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SiC和GaN技術(shù)重塑電力電子行業(yè)前景

電力電子行業(yè)將進(jìn)入增長(zhǎng)的最后階段，預(yù)計(jì)到 2025 年評(píng)估市場(chǎng)價(jià)值將達(dá)到 517.3 億美元，到 2030 年將達(dá)到 674.2 億美元。5.4% 的穩(wěn)定復(fù)合年增長(zhǎng)率源于對(duì)能源效率、可再生能源集成和半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)的需求穩(wěn)步增長(zhǎng)。增長(zhǎng)動(dòng)力：市場(chǎng)的積極勢(shì)頭源于相互關(guān)聯(lián)的現(xiàn)象：清潔能源勢(shì)在必行隨著世界試圖實(shí)現(xiàn)碳中和，包括太陽(yáng)能光伏和風(fēng)電場(chǎng)在內(nèi)的可再生能源系統(tǒng)將成為主流。因此，電力電子設(shè)備被用于這些系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)高效的能源轉(zhuǎn)換、電網(wǎng)集成和實(shí)時(shí)管理。交通電氣化隨著電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)不再被視為小眾市場(chǎng)，現(xiàn)在對(duì)高性能
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iDEAL推出具有行業(yè)領(lǐng)先性?xún)r(jià)比的200 V SuperQ? MOSFET系列

?iDEAL半導(dǎo)體近日宣布，其200 V SuperQ? MOSFET系列中的首款產(chǎn)品已進(jìn)入量產(chǎn)階段，另外四款200 V器件現(xiàn)已提供樣品。SuperQ是硅MOSFET技術(shù)在超過(guò)25年來(lái)的首次重大進(jìn)步，突破了長(zhǎng)期存在的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通限制。它在性能和效率方面實(shí)現(xiàn)了階躍式提升，同時(shí)保留了硅的核心優(yōu)勢(shì)：堅(jiān)固性、高產(chǎn)量制造能力，以及在175 °C下的可靠表現(xiàn)。首款進(jìn)入量產(chǎn)的200 V器件是iS20M028S1P，這是一款25 mΩ的MOSFET，采用TO-220封裝。iDEAL的最低電阻200 V器件現(xiàn)已在T
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英飛凌OptiMOS? 6產(chǎn)品組合新增TOLL、TOLG和TOLT封裝的150V MOSFET

隨著全球汽車(chē)行業(yè)電氣化進(jìn)程的加速，市場(chǎng)對(duì)高效、緊湊且可靠的功率系統(tǒng)的需求持續(xù)增長(zhǎng)——不僅乘用車(chē)領(lǐng)域如此，電動(dòng)兩輪車(chē)領(lǐng)域亦是如此。這些車(chē)輛需要特殊的系統(tǒng)支持，例如xEV上的高壓-低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)兩輪車(chē)上的牽引逆變器。此類(lèi)系統(tǒng)必須在滿(mǎn)足高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的同時(shí)，能夠應(yīng)對(duì)技術(shù)、商業(yè)和制造方面的多重挑戰(zhàn)。為滿(mǎn)足上述需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日宣布擴(kuò)展其OptiMOS? 6產(chǎn)品組合，推出新型車(chē)規(guī)級(jí)150V MOSFET產(chǎn)品系列。新產(chǎn)品專(zhuān)為滿(mǎn)足現(xiàn)代電動(dòng)汽車(chē)的嚴(yán)苛要求量身打造，并
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iDEAL 半導(dǎo)體宣布推出基于 SuperQ?的 200V MOSFET 系列，具有行業(yè)領(lǐng)先的成本×性能

iDEAL 半導(dǎo)體宣布其首批基于 SuperQ?的 200V MOSFET 已進(jìn)入量產(chǎn)階段，另外還有四個(gè) 200V 器件正在進(jìn)行樣品測(cè)試。SuperQ 是過(guò)去 25 年來(lái)硅 MOSFET 技術(shù)的第一個(gè)重大進(jìn)步，突破了長(zhǎng)期存在的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通限制。它在提供性能和效率飛躍的同時(shí)，保留了硅的核心優(yōu)勢(shì)：堅(jiān)固性、大規(guī)模可制造性和在 175°C 下經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的可靠性。首個(gè)進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)的 200 V 器件 iS20M028S1P 是一款 TO-220 封裝的 25 mΩ MOSFET。iDEAL 的最低電阻 200 V 器
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東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET

中國(guó)上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開(kāi)關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。三款器件于今日開(kāi)始支持批量出貨。三款新產(chǎn)品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)
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東芝與天岳先進(jìn)達(dá)成SiC功率半導(dǎo)體襯底合作協(xié)議

據(jù)“天岳先進(jìn)”官方微信公眾號(hào)消息，8月22日，東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“東芝電子元件”）與山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“天岳先進(jìn)”）就SiC功率半導(dǎo)體用襯底達(dá)成基本合作協(xié)議。雙方將在技術(shù)協(xié)作與商業(yè)合作兩方面展開(kāi)深入合作，具體包括提升SiC功率半導(dǎo)體特性和品質(zhì)，以及擴(kuò)大高品質(zhì)穩(wěn)定襯底供應(yīng)。未來(lái)，雙方將圍繞合作細(xì)節(jié)展開(kāi)進(jìn)一步磋商。東芝電子元件憑借在鐵路用SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)與制造經(jīng)驗(yàn)，正加速推進(jìn)服務(wù)器電源用和車(chē)載用SiC器件的研發(fā)。未來(lái)，東芝電子元件計(jì)劃進(jìn)一步降低SiC功率半導(dǎo)
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SiC MOSFET 界面陷阱檢測(cè)升級(jí)：Force-I QSCV 方法詳解

電容-電壓 (C-V) 測(cè)量廣泛用于半導(dǎo)體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)基于 SMU 施加電壓并測(cè)量電流的準(zhǔn)靜態(tài)方法適用于硅 MOS，但在?SiC MOS 器件上因電容更大易導(dǎo)致結(jié)果不穩(wěn)定。為解決這一問(wèn)題，Keithley 4200A-SCS 引入?Force-I QSCV 技術(shù)，通過(guò)施加電流并測(cè)量電壓與時(shí)間來(lái)推導(dǎo)電容，獲得更穩(wěn)定可靠的數(shù)據(jù)。Force-I QSCV 技術(shù)在 SiC 功率 MOS 器件上體現(xiàn)出多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。比如僅需 1 臺(tái)帶前
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