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          gan+sic 文章 最新資訊

          TI LMG341xR050 GaN功率級在貿(mào)澤開售,支持高密度電源轉(zhuǎn)換設計

          • 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅(qū)動器和強大的保護功能,可讓設計人員在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率,適用于高密度工業(yè)和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉(zhuǎn)換器等應用。貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種
          • 關鍵字: GaN  UVLO  

          碳化硅發(fā)展勢頭強 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創(chuàng)新浪潮

          • 近期,多家公司發(fā)布了碳化硅(SiC)方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導體材料之一,碳化硅具備哪些優(yōu)勢,現(xiàn)在的發(fā)展程度如何?不久前,碳化硅的先驅(qū)英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET,值此機會,電子產(chǎn)品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部大中華區(qū)開關電源應用高級市場經(jīng)理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場事業(yè)部,大中華區(qū),開關電源應用,高級市場經(jīng)理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關系碳化硅MOSFET是一種新器件,它的出現(xiàn)使一些以前硅材料很難被應用的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),例如電流連續(xù)
          • 關鍵字: SiC  UPS  

          ROHM的SiC功率元器件被應用于UAES的電動汽車車載充電器

          • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被應用于中國汽車行業(yè)一級綜合性供應商——聯(lián)合汽車電子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,總部位于中國上海市,以下簡稱“UAES公司”)的電動汽車車載充電器(On Board Charger,以下簡稱“OBC”)。UAES公司預計將于2020年10月起向汽車制造商供應該款OBC。與IGBT*2等Si(硅)功率元器件相比,SiC功率元器件是一種能
          • 關鍵字: OBC  SiC MOSFET  

          氮化鎵(GaN)接替硅,支持高能效、高頻電源設計

          • 在所有電力電子應用中,功率密度是關鍵指標之一,這主要由更高能效和更高開關頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術接近其發(fā)展極限,設計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵(GaN)來提供方案。對于新技術而言,GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(硅)成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此,由于GaN器件小于等效硅器件,因此每個晶片可以生產(chǎn)更多的器件,從而降低了每個晶片的成本。GaN有許多性能優(yōu)勢,包括遠高于硅的電子遷移率(3.4eV對比1.1eV),這使其具有比硅高1000倍的電子傳導效率的潛力。值得注
          • 關鍵字: LDN  GaN  

          安森美半導體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應用

          • 近日,推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),推出另兩個碳化硅(SiC) MOSFET系列,擴展了其寬禁帶(WBG)器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應用,包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不間斷電源(UPS)、服務器電源和EV充電樁,提供的性能水平是硅(Si)?MOSFET根本無法實現(xiàn)的。安森美半導體的新的1200伏(V)和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關性能和更高的可靠性??焖俦菊鞫?/li>
          • 關鍵字: SiC  WBG  

          馬瑞利牽手氮化鎵(GaN)技術領導者TRANSPHORM Inc.

          • 領先的汽車供應商MARELLI近日宣布與美國一家專注于重新定義功率轉(zhuǎn)換的半導體公司Transphorm達成戰(zhàn)略合作。通過此協(xié)議,MARELLI將獲得電動和混合動力車輛領域OBC車載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和動力總成逆變器開發(fā)的尖端技術,進一步完善MARELLI在整體新能源汽車技術領域的布局。Transphorm被公認為是氮化鎵(GaN)技術的領導者,提供高壓電源轉(zhuǎn)換應用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導體,并擁有和汽車行業(yè)(尤其是日本)直接合作的成功經(jīng)驗。獲得這一技術對正在探索電力傳動系統(tǒng)業(yè)務
          • 關鍵字: OBC  GaN  

          CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊

          • 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布,將繼續(xù)致力于應對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn),并推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺。這項新的智能功率模塊技術提供了一種一體化解決方案,即整合了內(nèi)置柵極驅(qū)動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個全新的可擴展平臺同時優(yōu)化了功率開關的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制,對于電動汽車(EV)整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機驅(qū)動的電動機制造商而言,該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時間。該可擴展
          • 關鍵字: SiC  IPM  

          Qorvo推出業(yè)內(nèi)最高性能的寬帶 GaN 功率放大器

          • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商Qorvo?, Inc.近日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的這款功率放大器是專為通信應用和測試儀表應用而設計,擁有多項性能突破:它能夠在 2-20 GHz 的頻率范圍提供業(yè)界領先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信號增益和 20-35% 的功率附加效率。這種組合為系統(tǒng)設計人員帶來提高系統(tǒng)性能和可靠性所需的靈活性,同時減少了元件數(shù)量、占用空間和成本。Qorvo 高性能解決方案業(yè)務
          • 關鍵字: GaN  功率放大器  

          電機的應用趨勢及控制解決方案

          • 顧偉俊? (羅姆半導體(上海)有限公司?技術中心?現(xiàn)場應用工程師)摘? 要:介紹了電機的應用趨勢,以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動向。 關鍵詞:電機;BLDC;MCU;SiC;IPM1? 電機的應用趨勢?隨著智能家居、工業(yè)自動化、物流自動化等概念的 普及深化,在與每個人息息相關的家電領域、車載領 域以及工業(yè)領域,各類電機在技術方面都出現(xiàn)了新的 需求。?在家電領域,電器的 智能化需要電器對人機交 流產(chǎn)生相應的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間,規(guī)劃路線,然后執(zhí) 行移動以及相應
          • 關鍵字: 202003  電機  BLDC  MCU  SiC  IPM  

          碳化硅(SiC)功率器件或在電動汽車領域一決勝負

          • 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段:硅晶閘管(可控硅)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和剛顯露頭角的碳化硅(SiC)系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料,與普通的硅材料相比,碳化硅的優(yōu)勢非常突出,它不僅克服了普通硅材料的某些缺點,在功耗上也有非常好的表現(xiàn),因而成為電力電子領域目前最具前景的半導體材料。正因為如此,已經(jīng)有越來越多的半導體企業(yè)開始進入SiC市場。到2023年,SiC功率半導體市場預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
          • 關鍵字: 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車  

          英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應用帶來最佳可靠性和性能水平

          • 近日,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)進一步擴展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合,推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源(UPS)、電機控制和驅(qū)動以及電動汽車充電在內(nèi)的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?!半S著新產(chǎn)品的發(fā)布,英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合,”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務高級總監(jiān)St
          • 關鍵字: SiC  MOSFET  

          Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設計

          •  奈梅亨,2020年2月25日:分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領域的生產(chǎn)專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作,以研制基于氮化鎵(GaN)技術的EV逆變器技術演示器。 GaN是這些應用的首選功率器件,因為GaN FETs使系統(tǒng)以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關拓撲。在汽車領域,這意味著車輛行駛里程更長,而這正是所有電動汽車消費者最關心的問題。現(xiàn)在,GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC,成為插電式混合動力汽車
          • 關鍵字: Nexperia  GaN  EV逆變器  

          如何利用 SiC 打造更好的電動車牽引逆變器

          • 在本文中,我們將調(diào)查電動車牽引逆變器采用 SiC 技術的優(yōu)勢。我們將展示在各種負荷條件下逆變器的能效是如何提升的,包括從輕負荷到滿負荷。使用較高的運行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開關頻率,以對電機繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機內(nèi)的鐵損。預計在所有這些因素的影響下,純電動車的單次充電行駛里程將提高 5-10%,同時,降低的損耗還能簡化冷卻問題。簡介近期的新聞表明,純電動車?(BEV) 的數(shù)量增加得比之前的預期要快。這促使汽車制造商(包括現(xiàn)有制
          • 關鍵字: SiC  BEV  牽引逆變器  

          納微半導體65W 氮化鎵(GaN)方案獲小米10 Pro充電器采用

          • 小米集團和納微(Navitas)宣布,其GaNFast充電技術已被小米采用,用于旗艦產(chǎn)品Mi 10 PRO智能手機。 小米董事長兼首席執(zhí)行官雷軍先生在2月13日的小米在線新聞發(fā)布會上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵(GaN),這是一種新的半導體材料,其運行速度比以前的硅(Si)電源芯片快100倍,因此僅需45分鐘即可對Mi 10 PRO進行0至100%的充電。
          • 關鍵字: 小米  GaN  納微半導體  

          羅姆集團旗下的SiCrystal與意法半導體就碳化硅(SiC)晶圓長期供貨事宜達成協(xié)議

          • 近日,全球知名半導體制造商羅姆和意法半導體(以下簡稱“ST”)宣布,雙方就碳化硅(以下簡稱“SiC”)晶圓由羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH (以下簡稱“SiCrystal”)供應事宜達成長期供貨協(xié)議。在SiC功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下,雙方達成超1.2億美元的協(xié)議,由SiCrystal(SiC晶圓生產(chǎn)量歐洲第一)向ST(面向眾多電子設備提供半導體的全球性半導體制造商)供應先進的150mm SiC晶圓。ST 總經(jīng)理 兼 首席執(zhí)行官(CEO) Jean-Marc Chery 說:
          • 關鍵字: SiC  車載  
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