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SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存

IT之家 5 月 14 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報(bào)道，兩大存儲(chǔ)巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動(dòng)時(shí)表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM，HBM 內(nèi)存坐擁更高單價(jià)，不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對(duì)晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內(nèi)存的兩倍乃至三倍。內(nèi)存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預(yù)計(jì)，不僅 HBM 內(nèi)存，通用 DRAM（如標(biāo)準(zhǔn) DDR5）的價(jià)格年內(nèi)也不會(huì)
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第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%

據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%，全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢?cè)阮A(yù)估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當(dāng)時(shí)從合約價(jià)先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價(jià)格就可看出，現(xiàn)貨價(jià)已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動(dòng)能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機(jī)
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Teledyne e2v宣布擴(kuò)展其Flash CMOS圖像傳感器系列

Teledyne Technologies[紐交所代碼：TDY]旗下公司、全球成像解決方案創(chuàng)新者Teledyne e2v宣布擴(kuò)展其Flash? CMOS圖像傳感器系列，推出Flash 2K LSA，該產(chǎn)品專門適用于需要使用大沙姆角（LSA）的激光輪廓應(yīng)用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專為三維激光輪廓/位移應(yīng)用和高速/高分辨率檢測(cè)量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K傳感器的衍生產(chǎn)品，適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應(yīng)用，其角度響應(yīng)在30°角度下為四倍以上，在
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2025年HBM價(jià)格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成

根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價(jià)較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價(jià)差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機(jī)搭載容量擴(kuò)大，推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機(jī)會(huì)逾三成。2024年HBM
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SK海力士計(jì)劃在清州M15X工廠新建DRAM生產(chǎn)基地

自SK海力士官網(wǎng)獲悉，4月24日，SK海力士宣布，為應(yīng)對(duì)AI半導(dǎo)體需求的急劇增長，計(jì)劃擴(kuò)大AI基礎(chǔ)設(shè)施核心組件HBM等下一代DRAM的生產(chǎn)能力。SK海力士表示，若理事會(huì)批準(zhǔn)該計(jì)劃，三星電子將在忠北清州M15X工廠建立新的DRAM生產(chǎn)基地，并投資5.3萬億韓元用于建設(shè)新工廠。該工廠計(jì)劃于4月底開始建設(shè)，目標(biāo)是在2025年11月完工，并進(jìn)行早期批量生產(chǎn)。隨著設(shè)備投資的逐步增加，新生產(chǎn)基地的長期總投資將超過20萬億韓元。（圖源：SK海力士官網(wǎng)）SK海力士總經(jīng)理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱，M15X將成
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TTL與CMOS，很基礎(chǔ)但很多人不知道

問題引入在工作中，會(huì)遇到OC門與OD門的稱謂。而感性的認(rèn)識(shí)一般為：OD門是采用MOS管搭建的電路，壓（電壓）控元器件。OC門是采用晶體管搭建的電路，流（電流）控元器件。而OD門的功率損耗一般是小于OC門，為什么？電平TTL電平：輸出電平：高電平Uoh >=2.4v 低電平Uol <= 0.4v輸入電平：高電平Uih >= 2.0v 低電平 Uil <= 0.8vCMOS電平：輸出電平：高電平Uoh ≈ VCC Uol ≈ GND輸入電平：高電平Uih >= 0.7*VCC U
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存儲(chǔ)大廠技術(shù)之爭(zhēng)愈演愈烈

AI、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用催生海量存儲(chǔ)數(shù)據(jù)需求，也對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)提出了更高要求，這一背景下，存儲(chǔ)大廠技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。閃存方面，大廠聚焦層數(shù)突破。近期，韓媒報(bào)道，三星電子預(yù)計(jì)將于本月晚些時(shí)候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存，即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續(xù)使用雙閃存堆棧的結(jié)構(gòu)，層數(shù)將達(dá)到290層。另據(jù)業(yè)界預(yù)測(cè)，三星未來第十代V-NAND層數(shù)有望達(dá)到430層，屆時(shí)三星將換用三堆棧結(jié)構(gòu)。而更遙遠(yuǎn)的未來，三星、鎧俠兩家廠商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計(jì)劃2030年
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美光：預(yù)計(jì)臺(tái)灣地區(qū)地震對(duì)本季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成中等個(gè)位數(shù)百分比影響

IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美國證券交易委員會(huì) SEC 遞交 8-K 重大事項(xiàng)公告，預(yù)計(jì)本月初的臺(tái)灣地區(qū)地震對(duì)其二季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成“中等個(gè)位數(shù)百分比”的影響。美光在臺(tái)灣地區(qū)設(shè)有桃園和臺(tái)中兩座生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)。根據(jù) TrendForce 集邦咨詢此前報(bào)告，地震導(dǎo)致當(dāng)時(shí)桃園產(chǎn)線上超六成的晶圓報(bào)廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無恙，設(shè)施、基建和生產(chǎn)工具未遭受永久性損害，長期 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)能力也沒有遇到影響。直至公告發(fā)稿時(shí)，美光尚未在震后全面恢復(fù) DRAM 生產(chǎn)，但得
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3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)

在 AI 服務(wù)器中，內(nèi)存帶寬問題越來越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計(jì)算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對(duì)于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲(chǔ)墻」問題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯(cuò)選擇。目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
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加注西安工廠美光期待引領(lǐng)創(chuàng)芯長安

怎么證明企業(yè)對(duì)某個(gè)市場(chǎng)的未來充滿信心？頻繁來華喊口號(hào)還是推定制芯片？一邊提升銷售預(yù)期一邊減少研發(fā)團(tuán)隊(duì)？或者是縮減產(chǎn)能加大宣傳力度？商業(yè)行為還真是要靠真金白銀才能體現(xiàn)誠意，對(duì)中國市場(chǎng)最有信心的表示當(dāng)然是加大中國市場(chǎng)的投資力度。 3月27日，美光科技舉辦了新廠房動(dòng)工奠基儀式，宣告2023年6月公布的美光西安工廠價(jià)值43億元人民幣的擴(kuò)建工程正式破土動(dòng)工，該項(xiàng)目是2020年以來國外半導(dǎo)體企業(yè)在國內(nèi)最大的工廠投資建設(shè)工程。據(jù)悉，這個(gè)項(xiàng)目除了加建新廠房，還會(huì)引入全新產(chǎn)線，制造更廣泛的產(chǎn)品解決方案，例如移動(dòng)DRAM、N
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CMOS傳感器+高級(jí)色彩算法，快準(zhǔn)穩(wěn)捕獲色彩

用機(jī)器視覺代替人眼來判別顏色之間的差異，實(shí)現(xiàn)在線檢測(cè)，大大提高了檢測(cè)效率，同時(shí)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行全檢，檢測(cè)結(jié)果更為客觀、更準(zhǔn)確。無論是分撿水果和蔬菜還是檢查運(yùn)動(dòng)鞋，在保證可靠性的前提下高速捕獲準(zhǔn)確的色彩和豐富的細(xì)節(jié)都要求相機(jī)具備某些特征。那么，相機(jī)廠商該如何應(yīng)對(duì)這些需求提出的挑戰(zhàn)呢？Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級(jí)色彩算法完美結(jié)合，并具備：色彩校正矩陣，用于實(shí)現(xiàn)在任一照明條件下的精確色彩再現(xiàn)；高質(zhì)量圖像，卓越的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍，能夠較大限度提升圖像對(duì)比度；靈活多變的自定義觸發(fā)設(shè)置，準(zhǔn)確觸發(fā)
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三星否認(rèn)將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好

IT之家 3 月 14 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報(bào)道，三星電子否認(rèn)了近日路透社的說法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個(gè)流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過回流焊一次性粘合，然后同時(shí)用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導(dǎo)電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導(dǎo)電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
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又一存儲(chǔ)大廠DRAM考慮采用MUF技術(shù)

韓國媒體 TheElec報(bào)道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應(yīng)用模壓填充（MUF）技術(shù)。三星最近測(cè)試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲(chǔ)器的MUF 技術(shù)，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據(jù)悉，MUF 是一種在半導(dǎo)體上打上數(shù)千個(gè)微小的孔，然后將上下層半導(dǎo)體連接的硅穿孔 (TSV) 技術(shù)后，注入到半導(dǎo)體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個(gè)半導(dǎo)體牢固地固定并連接起來。而經(jīng)過測(cè)試后獲得的結(jié)論，MUF 不適用于高頻寬存儲(chǔ)器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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三星發(fā)布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，滿足人工智能時(shí)代的更高要求

三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。 &n
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CMOS傳感器+高級(jí)色彩算法，快準(zhǔn)穩(wěn)捕獲一致色彩

用機(jī)器視覺代替人眼來判別顏色之間的差異，實(shí)現(xiàn)在線檢測(cè)，大大提高了檢測(cè)效率，同時(shí)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行全檢，檢測(cè)結(jié)果更為客觀、更準(zhǔn)確。問：無論是分撿水果和蔬菜還是檢查運(yùn)動(dòng)鞋，在保證可靠性的前提下高速捕獲準(zhǔn)確的色彩和豐富的細(xì)節(jié)都要求相機(jī)具備某些特征。那么，相機(jī)廠商該如何應(yīng)對(duì)這些需求提出的挑戰(zhàn)呢？答：Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級(jí)色彩算法完美結(jié)合，并具備：? 色彩校正矩陣，用于實(shí)現(xiàn)在任一照明條件下的精確色彩再現(xiàn)? 高質(zhì)量圖像，卓越的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍，能夠較大限度提升圖像對(duì)比度?
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