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cmos.dram 文章最新資訊

【CMOS邏輯IC基礎(chǔ)知識(shí)】——解密組合邏輯背后的強(qiáng)大用途?。ㄏ拢?/a>

在上一期的芝識(shí)課堂中，我們和大家一起了解了CMOS邏輯IC可以分為組合邏輯和時(shí)序邏輯，并以幾種典型電路單元的對(duì)應(yīng)邏輯關(guān)系詳細(xì)解讀了組合邏輯電路的原理。這一期芝識(shí)課堂中，我們將繼續(xù)和大家分享CMOS邏輯IC的基礎(chǔ)知識(shí)，并通過實(shí)際電路單元來幫助大家分析組合邏輯和時(shí)序邏輯中各自所對(duì)應(yīng)的輸入和輸出之間暗藏的邏輯關(guān)系。多路復(fù)用器多路復(fù)用器也是一種典型的組合邏輯電路，比如東芝的74VHC157和74VHC153，多路復(fù)用器將從多個(gè)輸入信號(hào)中選擇一個(gè)信號(hào)并將其轉(zhuǎn)發(fā)到單個(gè)輸出線。圖1所示的時(shí)序圖顯示了如何從兩個(gè)輸入中選擇

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三季度DRAM和NAND閃存價(jià)格跌幅放緩

今年 Q3，存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格有望迎來拐點(diǎn)。
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三星電子 DRAM 內(nèi)存和代工部門業(yè)績低迷，負(fù)責(zé)人雙雙被換

IT之家 7 月 5 日消息，據(jù)多個(gè)韓國媒體報(bào)道，三星電子昨日突然在非常規(guī)人事季更換了代工（DS）部門和 DRAM 部門負(fù)責(zé)人，被解讀為“彌補(bǔ)今年上半年存儲(chǔ)半導(dǎo)體表現(xiàn)低迷、強(qiáng)化代工業(yè)務(wù)的手段”。首先，三星代工事業(yè)部技術(shù)開發(fā)部門副社長鄭基泰（Jegae Jeong）被任命為事業(yè)部最高技術(shù)負(fù)責(zé)人（CTO），而他的繼任者則是 Jahun Koo。與此同時(shí)，負(fù)責(zé)存儲(chǔ)半導(dǎo)體中 DRAM 開發(fā)的部門負(fù)責(zé)人也被更換，由原本擔(dān)任戰(zhàn)略營銷部門副社長的黃相?。℉wang Sang-jun）接管，被業(yè)界解讀為對(duì) HB
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產(chǎn)品性能才是首位，CIS芯片領(lǐng)先供應(yīng)商芯視達(dá)亮相安博會(huì)

2023年6月7日，第十六屆安博會(huì)在北京新首鋼會(huì)展園區(qū)開幕，本屆安博會(huì)以“自主創(chuàng)新、數(shù)智融合、賦能安防、服務(wù)社會(huì)”為主題。在本屆安博會(huì)上，集中展示了視頻監(jiān)控、防盜報(bào)警、出入口控制、安檢防爆、實(shí)體防護(hù)、數(shù)據(jù)應(yīng)用與安全等安防技術(shù)和產(chǎn)品，同時(shí)突出了今年來熱門的無人化、AI智能化，加上近期大熱的生成式人工智能（AIGC），本屆安博會(huì)可以說是充滿了創(chuàng)新的一屆安博會(huì)，極大地展示了近期我國在安防上的最新應(yīng)用成果。安博會(huì)作為安全行業(yè)的盛會(huì)，一直以來被行業(yè)內(nèi)視為發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)。在本屆安博會(huì)上，作為CIS圖像傳感器
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DRAM大廠：Q3產(chǎn)品價(jià)格可望回穩(wěn)？

6月5日，DRAM大廠南亞科公布2023年5月自結(jié)合并營收為新臺(tái)幣23.09億元，月增加2.17%、年減少62.74%，仍創(chuàng)下今年新高水準(zhǔn)。累計(jì)前5月合并營收為新臺(tái)幣109.94億元，年減少66.42%。據(jù)中國臺(tái)灣媒體《中時(shí)新聞網(wǎng)》引述南亞科總經(jīng)理提到，DRAM市況預(yù)期第三季產(chǎn)品價(jià)格可望回穩(wěn)。南亞科總經(jīng)理認(rèn)為，以今年整體狀況而言，DRAM需求成長率可能低于長期平均值，但DRAM是電子產(chǎn)品智能化的關(guān)鍵元件，未來各種消費(fèi)型智能電子產(chǎn)品的推陳出新，加上5G、AI、智慧城市、智能工廠、智能汽車、智能家庭、智能穿戴
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韓媒：三星已組建開發(fā)團(tuán)隊(duì)，以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM

5月26日，韓國媒體The Elec引用知情人士消息稱，三星電子近日在其半導(dǎo)體研究中心內(nèi)組建了一個(gè)開發(fā)團(tuán)隊(duì)，以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM。4F2結(jié)構(gòu)DRAM能夠大大提高DRAM的存儲(chǔ)密度，方便研究團(tuán)隊(duì)克服DRAM線寬縮減的極限，增加DRAM制造的效率。報(bào)道稱，如果三星4F2 DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)研究成功，在不改變節(jié)點(diǎn)的情況下，與現(xiàn)有的6F2 DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。4F2結(jié)構(gòu)是大約10年前DRAM產(chǎn)業(yè)未能商業(yè)化的單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，據(jù)說工藝難點(diǎn)頗多。不過三星認(rèn)為，與SK海力士和美
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不改變工藝讓芯片面積減少 30%，三星組建團(tuán)隊(duì)開發(fā) 4F2 DRAM

IT之家 5 月 26 日消息，根據(jù)韓媒 The Elec 報(bào)道，三星組建了一支專業(yè)的團(tuán)隊(duì)，負(fù)責(zé)開發(fā) 4F2 DRAM 存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。相比較現(xiàn)有的 6F2 級(jí)別，在不改變工藝節(jié)點(diǎn)的情況下，芯片面積最高可減少 30%。4F Square 是一種單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，DRAM 行業(yè)早在 10 年前就嘗試商業(yè)化，但最后以失敗告終。三星組建了專業(yè)的團(tuán)隊(duì)，研發(fā) 4F2 結(jié)構(gòu)。IT之家從韓媒報(bào)道中獲悉，晶體管根據(jù)電流流入和流出的方向，形成源極（S）、柵極（G）和漏極（D）整套系統(tǒng)。在漏極（D）上方安裝一個(gè)
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DRAM一季營收環(huán)比下降21.2%，連續(xù)三個(gè)季度衰退

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，今年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)營收約96.6億美元，環(huán)比下降21.2%，已續(xù)跌三個(gè)季度。出貨量方面僅美光有上升，其余均衰退；平均銷售單價(jià)三大原廠均下跌。目前因供過于求尚未改善，價(jià)格依舊續(xù)跌，然而在原廠陸續(xù)減產(chǎn)后，DRAM下半年價(jià)格跌幅將有望逐季收斂。展望第二季，雖出貨量增加，但因價(jià)格跌幅仍深，預(yù)期營收成長幅度有限。營收方面，三大原廠營收均下滑，三星（Samsung）自家品牌的新機(jī)備貨訂單有限，出貨量與平均銷售單價(jià)（ASP）同步下跌，營收約41.7億美元，環(huán)比下降24.7%。
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需求好轉(zhuǎn)？兩家存儲(chǔ)廠商部分應(yīng)用領(lǐng)域出現(xiàn)急單

受消費(fèi)電子市場需求疲弱影響，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)2022年下半年以來持續(xù)“過冬”，加上今年一季度為市場淡季，供過于求關(guān)系下，產(chǎn)業(yè)庫存高企。第二季度存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)市況如何？未來是否將有所好轉(zhuǎn)？近期，南亞科、華邦電兩家存儲(chǔ)廠商對(duì)此進(jìn)行了回應(yīng)。南亞科：庫存逐步去化，部分應(yīng)用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單近期，媒體報(bào)道，DRAM廠商南亞科表示，今年一季度是產(chǎn)業(yè)庫存高點(diǎn)，在需求與供應(yīng)端改善下，庫存正逐步去化，預(yù)期本季DRAM市況有望落底，公司在部分應(yīng)用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單。為滿足市場應(yīng)用需求趨勢，南亞科持續(xù)開發(fā)高速與低功耗產(chǎn)品，在技術(shù)推進(jìn)上，20納米產(chǎn)品
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存儲(chǔ)進(jìn)入筑底階段？

伴隨存儲(chǔ)芯片價(jià)格筑底，關(guān)于半導(dǎo)體周期拐點(diǎn)將臨近的討論越來越熱。
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地芯科技發(fā)布全球首款基于CMOS工藝的國產(chǎn)化多頻多模線性PA

5月18日，杭州地芯科技有限公司（以下簡稱：地芯科技）在上海發(fā)布了全球首款基于CMOS工藝的支持4G的線性CMOS PA——GC0643。GC0643是一款4*4mm多模多頻功率放大器模塊（MMMB PAM），它應(yīng)用于3G/4G手持設(shè)備（包括手機(jī)及其他手持移動(dòng)終端）以及Cat1.物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，支持的多頻段多制式應(yīng)用。本模塊還支持可編程MIPI控制。圖片來源：地芯科技CMOS工藝是集成電路中最為廣泛使用的工藝技術(shù)，具有高集成度、低成本、漏電流低、導(dǎo)熱性好、設(shè)計(jì)靈活等特性，但也存在擊穿電壓低、線性度差兩大先天性
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三星電子宣布12納米級(jí) DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)

今日，三星電子宣布其采用12納米級(jí)工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)。三星本次應(yīng)用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內(nèi)先進(jìn)的12 納米級(jí)DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內(nèi)存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計(jì)算市場對(duì)大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過商業(yè)化的下一代
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功耗降低 23%、量產(chǎn)率提高 20%，三星開始量產(chǎn) 12 納米 DDR5 DRAM

IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規(guī)模量產(chǎn) 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲(chǔ)芯片行業(yè)當(dāng)前正處于低谷期，三星通過量產(chǎn) 12nm 的 DRAM，希望進(jìn)一步鞏固其在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產(chǎn)率提高了 20%，這意味著芯片尺寸比上一代更小，單個(gè)晶圓可以多生產(chǎn) 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務(wù)器和數(shù)據(jù)中
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三星電子研發(fā)出其首款支持CXL 2.0的CXL DRAM

三星電子今日宣布，研發(fā)出其首款支持Compute Express Link?（CXL?）2.0的128GB DRAM。同時(shí)，三星與英特爾密切合作，在英特爾?至強(qiáng)?平臺(tái)上取得了具有里程碑意義的進(jìn)展。繼2022年五月，三星電子研發(fā)出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM（內(nèi)存擴(kuò)展器）后，又繼續(xù)推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM，預(yù)計(jì)將加速下一代存儲(chǔ)解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高達(dá)每秒35GB的帶寬?？蓴U(kuò)展內(nèi)存（Memory Expander）“作
關(guān)鍵字：三星電子 CXL 2.0 CXL DRAM