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2017年整體DRAM市場供貨吃緊 第一季價格漲10~15％
- 臺灣南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，今年整體DRAM市場供貨吃緊，上半年平均銷售單價持續(xù)走揚，預(yù)期第一季平均銷售單價季增10~15%，公司的毛利率相較上季可望有顯著的提升，第二季價格也將續(xù)揚，下半年仍看審慎樂觀，預(yù)期價格波動不大。 南亞科指出，今年DRAM在供給方面，前三大廠皆以提高新制程比例增加產(chǎn)出為主，并未大幅擴(kuò)張新產(chǎn)能。 預(yù)期2017年供給年成長約20%。 在需求方面，預(yù)期2017年DRAM需求成長穩(wěn)定，成長主力來自手機(jī)及服務(wù)器的搭載量增加，預(yù)估整體年增率高于22%。 因此，今年DRAM市場
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DRAM漲價成為投資動力 美光聯(lián)手華亞科求自保
- 華亞科并入美光后,本月正式更名為美光臺灣分公司桃園廠,美光也計劃擴(kuò)大投資臺灣,將在臺中建立后段DRAM封測廠,相關(guān)投資將在標(biāo)購達(dá)鴻位在后里中科園區(qū)的廠房后立即啟動。 美光目前主要生產(chǎn)據(jù)點在桃園和臺中,合并后員工超過6,000人。 位于原華亞科的桃園廠主要以20納米制程生產(chǎn)DRAM生產(chǎn)重鎮(zhèn),單月產(chǎn)能10萬片;臺中廠以25納米為主力,月產(chǎn)能逾8萬片,但已進(jìn)行1x納米制程開發(fā)試產(chǎn),預(yù)定下半年正式生產(chǎn)出貨。 美光將以臺灣為DRAM主要生產(chǎn)據(jù)點,除制造端外,也計劃往后段和產(chǎn)品應(yīng)用和設(shè)計進(jìn)行整合
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索尼再現(xiàn)黑科技:將DRAM集成到CMOS傳感器
- 索尼這幾年的手機(jī)之路走得并不平坦，不過沒有隨波逐流，漸漸變得默默無聞。作為黑科技的代名詞，索尼在半導(dǎo)體上的造詣可不是一般的強(qiáng)大。可能很多人會覺得索尼沒聽說在半導(dǎo)體上有哪些重大貢獻(xiàn)，但是如果索尼的半導(dǎo)體工廠停工，因為全球的手機(jī)CMOS大部分來自索尼。 索尼XZ Prumium 索尼鏡頭 索尼展示技術(shù) 在今年的MWC上，索尼除了帶來全新的智能手機(jī)之外，他們還帶來了全新的三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)索尼官方介紹，三層堆疊式CMOS傳感器是在像素層和信號處理電路之間加入一層
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DRAM市場已邁入多元化發(fā)展
- 回顧DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)的歷史，市場經(jīng)常在供過于求與供不應(yīng)求之間擺蕩。 當(dāng)市場供不應(yīng)求之際，DRAM供應(yīng)商會積極擴(kuò)廠，大幅增加產(chǎn)能，當(dāng)新產(chǎn)能加入生產(chǎn)后，市場會陷入供過于求的狀況，DRAM價格快速下跌，DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值不增反減。 在歷經(jīng)多次市場的振蕩后，DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值在1995年創(chuàng)下當(dāng)時的歷史新高，高達(dá)435億美元。隔年DRAM市場大崩盤，DRAM的平均售價大幅下跌，導(dǎo)致1996年DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值崩跌至260億美元。
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數(shù)項投資啟動 我國存儲器產(chǎn)業(yè)有望率先獲突破
- 2月12日，總投資300億美元的紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地正式宣布開工;兆易創(chuàng)新亦于2月13日公告擬收購北京矽成100%股權(quán)，矽成的主要業(yè)務(wù)為SDRAM。新年伊始，我國存儲器產(chǎn)業(yè)便連續(xù)爆出兩項重要消息，表明我國存儲產(chǎn)業(yè)的布局正在加速推進(jìn)當(dāng)中。而隨著數(shù)項重大投資的啟動，存儲器正在成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口。 國際存儲巨頭警惕中國存儲力量成長 盡管存儲器屬于高度壟斷的行業(yè)，但是我國在發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)道路上已經(jīng)邁出了第一步。2月12日，紫光集團(tuán)在南京正式建立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，主要產(chǎn)品為3DNA
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2017年DRAM出貨成長率或?qū)⒌陀?0%
- 一般估計，DRAM的位元出貨成長率(bit growth)低于40%，DRAM廠商便可獲利，而2017年因為大廠沒有新的投資計劃，DRAM的出貨成長率甚至可能低于20%，所有的大廠都可能因此受惠。這也是DRAM產(chǎn)業(yè)成形以來，出貨成長率首度可能低于20%的年份，不少人甚至認(rèn)為，DRAM將有個不算短的好光景。 三星電子(Samsung Electronics)高層最近提到，2017年位元成長率可能為15~20%，對于2017年的獲利，抱持著高度的期待，而美光(Mi
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新型存儲器技術(shù)未來將主導(dǎo)存儲器市場
- 存儲器主導(dǎo)著許多SoC，我們很少聽說某個設(shè)計包含太多的存儲器。然而，存儲器消耗了大部分的系統(tǒng)功耗，雖然這對于許多系統(tǒng)可能不是關(guān)鍵問題，但是對于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)邊緣設(shè)備而言，總功耗是非常重要的。 幾乎所有系統(tǒng)的存儲需求都在變化。雖然新的存儲器和存儲器架構(gòu)已經(jīng)籌劃了很長時間，但仍未被廣泛采用。然而，許多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為臨界點已然將近。 過去50年中，SRAM和DRAM已經(jīng)成為存儲器層次結(jié)構(gòu)的主力，F(xiàn)LASH最近幾年也在加入了“戰(zhàn)場”。所有這些存儲結(jié)構(gòu)在往較小的幾何結(jié)構(gòu)縮放的
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并購ISSI獲DRAM技術(shù) 兆易創(chuàng)新前路何在？
- 兆易創(chuàng)新借助ISSI在DRAM方面的技術(shù)是有可能實現(xiàn)一定程度的進(jìn)口替代，如果進(jìn)一步出臺政策支持存儲芯片的生產(chǎn)與銷售，在國內(nèi)的DRAM市場分到一杯羹。
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臺媒：大陸2025年IC自主目標(biāo)恐難達(dá)成 海外技術(shù)取得成關(guān)鍵
- 中國大陸擁有龐大IC產(chǎn)品需求市場，但自給自足率卻明顯偏低，必須高度仰賴海外IC產(chǎn)品進(jìn)口。為此中國國務(wù)院于2015年3月發(fā)起“2025年中國制造”(MIC 2025)計劃，目標(biāo)到了2020年達(dá)到4成的IC產(chǎn)品自給自足率目標(biāo)，到了2025年更要達(dá)到7成水準(zhǔn)。不過市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights分析認(rèn)為，這項目標(biāo)恐難達(dá)成，而技術(shù)落差也成為現(xiàn)階段大陸IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的最主要困境。 國家層級IC產(chǎn)業(yè)供需自給自足的迷思 根據(jù)IC Insights報導(dǎo)指出，現(xiàn)實情況下在整體IC產(chǎn)業(yè)
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國內(nèi)存儲器項目建設(shè)火熱 亟需制定預(yù)警機(jī)制
- 存儲器產(chǎn)品主要包括DRAM內(nèi)存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗來看，存儲器產(chǎn)業(yè)是一個周期波動的產(chǎn)業(yè)，同時也是一個高度壟斷和高風(fēng)險的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長江存儲國家存儲器基地正式開工建設(shè)，同時福建晉華和合肥長芯等存儲器項目也正在積極籌備和建設(shè)當(dāng)中。在我國將發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)作為國家戰(zhàn)略的大背景下，考慮到存儲器產(chǎn)業(yè)本身的周期波動和不確定性，以及長期大投入、高風(fēng)險特性，研究認(rèn)為，盡快建立并完善行業(yè)定期監(jiān)測分析和預(yù)警機(jī)制，無論從國家層面還是從產(chǎn)業(yè)層面，都是一件非常有意義的事情。 存儲
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索尼革命性拍照黑科技：把內(nèi)存塞進(jìn)CMOS
- 盡管近段時間索尼忙于月底的MWC 2017，但這似乎并不影響索尼偶爾刷刷黑科技的習(xí)慣。近日，索尼推出了一款劃時代的傳感器產(chǎn)品——全球首款三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)了解，索尼這種三層堆疊式傳感器基于目前CMOS傳感器進(jìn)行改進(jìn)，在像素層和信號處理電路層之間又增加了一層DRAM。新一代CMOS傳感器原理新一代CMOS傳感器原理 技術(shù)介紹稱，大容量低功耗DRAM的加入可以讓傳感器獲得高速讀取的能力，從而拍攝快速移動物體時能夠更加從容，有效減少拍攝時所產(chǎn)生的焦平面失真現(xiàn)象，使得抓拍、慢動作都會更加
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