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臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音：3nm 需求非常強(qiáng)勁，是世界上最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)
- IT之家 12 月 29 日消息，臺(tái)積電今日上午在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)舉辦 3 納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，正式宣布啟動(dòng) 3 納米大規(guī)模生產(chǎn)。據(jù)臺(tái)媒中央社報(bào)道，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音表示，晶圓 18 廠是臺(tái)積電 5 納米及 3 納米生產(chǎn)重鎮(zhèn)，總投資金額將達(dá) 1.86 萬億新臺(tái)幣（約 4222.2 億元人民幣），預(yù)計(jì)將創(chuàng)造 1.13 萬個(gè)直接高科技工作機(jī)會(huì)。另?yè)?jù)臺(tái)灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，劉德音稱 3 納米制程良率與 5 納米量產(chǎn)時(shí)的良率相當(dāng)，是世界最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)，應(yīng)用
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無需3nm工藝 全球首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC問世：功耗低至1毫安
- 臺(tái)積電明年就要宣布量產(chǎn)3nm工藝，這是當(dāng)前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，然而3nm這樣的工藝不僅成本極高，同時(shí)SRAM內(nèi)存還有無法大幅微縮的挑戰(zhàn)，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體芯片公司知存科技今年3月份推出了WTM2101芯片，是全球首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC。存內(nèi)計(jì)算是一種新型架構(gòu)的芯片，相比當(dāng)前的計(jì)算芯片采用馮諾依曼架構(gòu)不同， 存內(nèi)計(jì)算是計(jì)算與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)一體，可以解決內(nèi)存墻的問題，該技術(shù)60年代就有提出，只是一直沒有商業(yè)化。知存科技的WTM2101芯片是國(guó)際首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC芯片，擁有高算力存內(nèi)計(jì)算核，相對(duì)于NPU、DSP
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臺(tái)積電下周舉行3納米量產(chǎn)典禮 臺(tái)媒稱宣示深耕臺(tái)灣決心
- 日前，臺(tái)積電發(fā)出活動(dòng)通知，預(yù)計(jì)12月29日在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)的晶圓18廠新建工程基地，舉行3納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，屆時(shí)將有上梁儀式。業(yè)界認(rèn)為，由于臺(tái)積電過往先進(jìn)制程量產(chǎn)罕有舉辦實(shí)體活動(dòng)，此舉意義重大。據(jù)臺(tái)灣地區(qū)媒體經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電擴(kuò)大美國(guó)投資，外派工程師赴美支援，引發(fā)“去臺(tái)化”、掏空臺(tái)灣疑慮，即將舉行的3納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，罕見以實(shí)際行動(dòng)宣示持續(xù)深耕臺(tái)灣的決心，化解外界疑慮。報(bào)道指出，相較于對(duì)手三星（Samsung）于今年6月30日搶先宣布3納米GAA技術(shù)量產(chǎn)，并于7月25日在京畿道華城廠區(qū)內(nèi)盛大舉行3納米
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iPhone 14 Plus銷量慘淡，蘋果明年將重新劃分其功能和價(jià)格
- IT之家 12 月 20 日消息，援引國(guó)外科技媒體 DigiTimes 報(bào)道，蘋果主要代工廠和碩今年 11 月度的營(yíng)收慘淡。除了消費(fèi)電子行業(yè)進(jìn)入傳統(tǒng)淡季之外，另一個(gè)重要原因就是消費(fèi)者對(duì) iPhone 14 Plus 機(jī)型缺乏興趣，導(dǎo)致銷量明顯下降。在這篇付費(fèi)文章中，DigiTimes 認(rèn)為蘋果在明年推出的 iPhone 15 機(jī)型中可能會(huì)重新考慮機(jī)型組合，重新分配標(biāo)準(zhǔn)機(jī)型和 Pro 機(jī)型之間的性能差異，重新劃分它們之間的價(jià)格，不排除對(duì) iPhone 15 Plus 進(jìn)行重大調(diào)整的可能。IT之家了解到，在文
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代工價(jià)格高達(dá)14萬元 臺(tái)積電3nm真實(shí)性能大縮水：僅比5nm好了5%
- 臺(tái)積電當(dāng)前量產(chǎn)最先進(jìn)的工藝是5nm及改進(jìn)版的4nm，3nm工藝因?yàn)榉N種原因一直推遲，9月份就說量產(chǎn)了，又說年底量產(chǎn)，不過這個(gè)月就算量產(chǎn)，真正放量也要到明年了。根據(jù)臺(tái)積電之前的消息，3nm節(jié)點(diǎn)上至少有5代衍生版工藝，分別是N3、N3P、N3S、N3X及N3E，其中N3工藝是最早量產(chǎn)的，但是這版工藝遭到客戶棄用，很大可能就放棄了，明年直接上N3E工藝。對(duì)比N5工藝，N3功耗可降低約25-30％，性能可提升10-15％，晶體管密度提升約70％。N3E在N3的基礎(chǔ)上提升性能、降低功耗、擴(kuò)大應(yīng)用范圍，對(duì)比N5同等性
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三星：3nm 代工市場(chǎng) 2026 年將達(dá) 242 億美元規(guī)模
- 12 月 11 日消息，三星電子 Foundry 代工部門高級(jí)研究員樸炳宰本周四在“2022 年半導(dǎo)體 EUV 全球生態(tài)系統(tǒng)會(huì)議”上發(fā)表了演講。他表示，到 2026 年，全球 3 納米工藝節(jié)點(diǎn)代工市場(chǎng)將達(dá)到 242 億美元規(guī)模，較今年的 12 億美元增長(zhǎng)將超 20 倍。目前，三星電子是唯一一家宣布成功量產(chǎn) 3 納米芯片的公司，隨著三星電子、臺(tái)積電、英特爾等半導(dǎo)體大廠開始引進(jìn) EUV 設(shè)備，工藝技術(shù)不斷發(fā)展，預(yù)計(jì) 3 納米工藝將成為關(guān)鍵競(jìng)爭(zhēng)節(jié)點(diǎn)。根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù)，截至今年年底，在晶圓代工市場(chǎng)中占據(jù)
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2023年一顆3nm芯片成本有多高？
- ? ? ? ?眾所周知，臺(tái)積電，三星是全球芯片制造巨頭，也是目前唯二進(jìn)入到5nm及以下工藝時(shí)代的芯片制造商。并且在3nm制程工藝方面，二者也都有了明確布局。另外，按照臺(tái)積電的計(jì)劃，2025年還會(huì)量產(chǎn)2nm。納米芯片發(fā)展到這個(gè)程度，已經(jīng)接近物理芯片規(guī)則的極限了。但光刻機(jī)巨頭ASML正式表態(tài)，摩爾定律還可延續(xù)十年，并且將推進(jìn)到1nm工藝。?????? 且不說1nm、2nm工藝制程能夠?qū)崿F(xiàn)，目前3nm工藝是已經(jīng)切
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難怪蘋果不同意 一家獨(dú)大的臺(tái)積電瘋狂漲價(jià)
- 前段時(shí)間臺(tái)積電宣布漲價(jià)，作為臺(tái)積電的大客戶，蘋果先表示拒絕。但最終結(jié)果確實(shí)，蘋果妥協(xié)，接受了臺(tái)積電漲價(jià)的要求。那么，臺(tái)積電到底漲到多少，讓財(cái)大氣粗的蘋果也坐不住。外媒DT報(bào)道稱，臺(tái)積電3nm晶圓的價(jià)格，已經(jīng)漲到1片2萬美元，約合人民幣14萬元。這還只是晶圓的價(jià)格，如果再算上研發(fā)、封裝、報(bào)損，甚至后期營(yíng)銷的費(fèi)用，綜合下來的價(jià)格會(huì)高出不少。這樣的成本增加對(duì)于任何一家企業(yè)來說，都是不好的消息。當(dāng)然，最終增加的成本還是需要消費(fèi)者承擔(dān)。臺(tái)積電這么做的原因很簡(jiǎn)單，目前能夠量產(chǎn)3nm、并且工藝質(zhì)量還不錯(cuò)的，恐怕只能找臺(tái)
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制造成本高出50%！臺(tái)積電為何還要在美國(guó)建3nm晶圓廠？
- 11月21日消息，由泰國(guó)主辦的2022年亞太經(jīng)濟(jì)合作經(jīng)濟(jì)領(lǐng)袖會(huì)議（APEC）于19日結(jié)束。作為APEC企業(yè)領(lǐng)袖代表的臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀今日出席了“2022 亞太經(jīng)濟(jì)合作會(huì)議（APEC）代表團(tuán)返臺(tái)記者會(huì)”，并在會(huì)上首度證實(shí)臺(tái)積電將在美國(guó)建3nm制程晶圓廠，因?yàn)榕_(tái)積電不可能把生產(chǎn)分散到很多地方。在談到國(guó)際有想把芯片供應(yīng)鏈“去臺(tái)化”的現(xiàn)象時(shí)，張忠謀表示，這其實(shí)是很多人的“羨慕、嫉妒”。臺(tái)積電宣布將在美國(guó)建3nm晶圓廠目前臺(tái)積電斥資120億美元在美國(guó)亞利桑那州興建的12英寸5nm制程晶圓廠即將完成土建，預(yù)計(jì)將于1
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臺(tái)積電新動(dòng)向：28納米新廠動(dòng)工、將在美國(guó)導(dǎo)入3納米
- 28納米新廠動(dòng)工晶圓代工廠臺(tái)積電今天表示，高雄廠已經(jīng)整地，目前已正式動(dòng)工建廠，將依原規(guī)劃于2024 年量產(chǎn)。今年九月，市場(chǎng)目光聚焦臺(tái)積電7納米產(chǎn)能利用率，瑞銀證券點(diǎn)出，受制于Android陣營(yíng)智能機(jī)需求差，以及CPU、GPU客戶升級(jí)5納米制程，研判7納米制程2023年上半年產(chǎn)能利用率恐只剩7成，內(nèi)外資大行看訂單能見度保守以對(duì)。總裁魏哲家表示，受到7、6納米產(chǎn)能利用下滑影響，臺(tái)積電將同步調(diào)整高雄廠產(chǎn)能規(guī)劃，優(yōu)先切入28納米。因此，高雄的7納米廠建置時(shí)間暫時(shí)延后，28納米廠仍按進(jìn)度進(jìn)行，臺(tái)積電高雄廠的動(dòng)向備受
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臺(tái)積電回應(yīng)“120 億美元投資美國(guó) 3nm 新廠”：尚未確定亞利桑那州晶圓廠二期規(guī)劃
- IT之家11月9日消息，據(jù)臺(tái)灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電今日表示，目前為止尚未確定亞利桑那州晶圓廠二期的規(guī)劃?！坝需b于客戶對(duì)公司先進(jìn)制程的強(qiáng)勁需求，我們將就營(yíng)運(yùn)效率和成本經(jīng)濟(jì)因素來評(píng)估未來計(jì)劃。”臺(tái)積電表示，目前正在建設(shè)的亞利桑那州晶圓廠，包含一部分可能用于二期廠房的建筑，通過利用一期同時(shí)建設(shè)的資源來提高成本效益。這座建筑能夠讓公司保持未來擴(kuò)張的靈活性。IT之家了解到，2020 年 5 月，臺(tái)積電宣布，將投資 120 億美元在美國(guó)亞利桑那州新建一座晶圓廠。該工廠于 2021 年 6 月動(dòng)工建設(shè)，預(yù)計(jì)將于 2
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英睿達(dá)P3 Plus 1TB上手體驗(yàn)：PCIe 4.0 M.2 SSD性價(jià)之選
- 隨著 PCIe 5.0 在 AMD / Intel 新一代硬件平臺(tái)上的引入，消費(fèi)級(jí) M.2 固態(tài)存儲(chǔ)市場(chǎng)也正經(jīng)歷著從 PCIe 3.0 x4 向 PCIe 4.0 x4 迭代轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵時(shí)期。此前，我們已經(jīng)體驗(yàn)過高端的英睿達(dá) P5 / P5 Plus 型號(hào)，兩者在 PCIe 3.0 / 4.0 產(chǎn)品線中都極具代表性。但是對(duì)于想要淺嘗一下 PCIe 4.0 固態(tài)的 PC / PS5 玩家們來說，品質(zhì)與性價(jià)比仍是其更為關(guān)注的兩大因素?！? 開箱介紹】本文要為大家介紹的，就是近期開售的英睿達(dá)（Crucial）P3
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被三星搶先，消息稱臺(tái)積電 3nm 制程工藝量產(chǎn)時(shí)間再次推遲
- 10 月 19 日消息，臺(tái)積電本應(yīng)在上個(gè)月開始生產(chǎn)使用其 3 納米工藝節(jié)點(diǎn)的芯片，然而根據(jù) Seeking Alpha 的一份新報(bào)告，臺(tái)積電的 3 納米芯片生產(chǎn)已被推遲到 2022 年第四季度。另一方面，三星在今年 6 月開始生產(chǎn)使用 3 納米工藝節(jié)點(diǎn)的芯片，搶在了臺(tái)積電之前。即使臺(tái)積電本月開始生產(chǎn) 3 納米芯片，三星仍領(lǐng)先三個(gè)月。不過，三星目前生產(chǎn)的 3 納米芯片數(shù)量非常少，這很可能是因?yàn)樵摴拘枰鄷r(shí)間來提高產(chǎn)量。由于產(chǎn)能低，三星目前只向一家中國(guó)加密貨幣公司提供 3 納米芯片，還沒能與
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TrendForce集邦咨詢發(fā)布2023年十大科技產(chǎn)業(yè)脈動(dòng)
- 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢針對(duì)2023年科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展，整理十大科技產(chǎn)業(yè)脈動(dòng)，精彩內(nèi)容請(qǐng)見下方：晶圓代工先進(jìn)制程步入晶體管結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換期，成熟制程聚焦特殊制程多元發(fā)展純晶圓代工廠制程由16nm開始從平面式晶體管結(jié)構(gòu)（Planar Transistor）進(jìn)入FinFET世代，發(fā)展至7nm制程導(dǎo)入EUV微影技術(shù)后，F(xiàn)inFET結(jié)構(gòu)自3nm開始面臨物理極限。先進(jìn)制程兩大龍頭自此出現(xiàn)分歧，TSMC延續(xù)FinFET結(jié)構(gòu)于2022下半年量產(chǎn)3奈米產(chǎn)品，預(yù)計(jì)2023上半年正式產(chǎn)出問世，并逐季提升量產(chǎn)規(guī)模
- 關(guān)鍵字： TrendForce 集邦咨詢 5G 3nm 碳中和 ADAS
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