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          3nm plus 文章 最新資訊

          三星明年完成3nm GAA工藝開發(fā) 性能大漲35%

          • 盡管日本嚴格管制半導(dǎo)體材料多少都會影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn),但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議,公布了旗下新一代工藝的進展,其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。三星在10nm、7nm及5nm節(jié)點的進度都會比臺積電要晚一些,導(dǎo)致臺積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單,三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經(jīng)把目標放在了未來的3nm工藝上,預(yù)計2021年量產(chǎn)。在3nm節(jié)點,三星將從FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝,其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管
          • 關(guān)鍵字: CPU處理器,3nm  

          魯大師7月新機性能榜公布:ROG游戲手機2排第二名

          紫光展銳登頂AI排行榜榜首 AI性能超驍龍855 plus

          • 今天, AI Benchmark公布了最新的AI芯片性能榜單,紫光展銳虎賁T710躍居榜首,總分達到了28097,遠遠超過了高通新發(fā)布的驍龍855 plus和華為麒麟810。AI benchmark是蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院推出的AI性能測試榜單,對各大芯片的AI性能有較為專業(yè)的測評方式,能夠讓廣大消費者更加量化的感受到AI性能。評測包括圖像分類、人臉識別、圖像超分辨率以及圖像增強、分割、去模糊在內(nèi)的九項測試,測試結(jié)果對AI體驗有直接意義。從公布的排行數(shù)據(jù)看到,紫光展銳虎賁T710遙遙領(lǐng)先。事實上,今年4月份,
          • 關(guān)鍵字: 紫光展銳虎賁T710  驍龍855 plus  AI benchmark  蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院  

          臺積電:3nm工藝進展順利 已有客戶參與

          • 如今在半導(dǎo)體工藝上,臺積電一直十分激進,7nm EUV工藝已經(jīng)量產(chǎn),5nm馬上就來,3nm也不遠了。臺積電CEO兼聯(lián)席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會議上透露,臺積電的N3 3nm工藝技術(shù)研發(fā)非常順利,已經(jīng)有早期客戶參與進來,與臺積電一起進行技術(shù)定義,3nm將在未來進一步深化臺積電的領(lǐng)導(dǎo)地位。目前,3nm工藝仍在早期研發(fā)階段,臺積電也沒有給出任何技術(shù)細節(jié),以及性能、功耗指標,比如相比5nm工藝能提升多少,只是說3nm將是一個全新的工藝節(jié)點,而不是5nm的改進版。臺積電只是說,已經(jīng)評估了3n
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  3nm  

          性能提升15%!ROG游戲手機2代將首發(fā)驍龍855 Plus

          • 高通今晚正式發(fā)布驍龍855 Plus處理器,CPU最高主頻從2.84GHz提速到2.96GHz(幅度4%)、Adreno 640 GPU的頻率從585MHz提高到672MHz(幅度15%),其它基本不變。看起來,驍龍855 Plus就是“雞血版”驍龍855,類似于驍龍850之于驍龍845、驍龍821之于驍龍820。按照高通的說法,驍龍855 Plus目標游戲手機和那些準備接入5G的設(shè)備,下半年商用。隨后,華碩跟進表示,將成為首家使用驍龍855 Plus芯片的廠商。經(jīng)查,ROG玩家國度官微也確認,定于7月2
          • 關(guān)鍵字: 華碩  ROG  驍龍855 Plus  

          國產(chǎn)3nm半導(dǎo)體來了?只是學(xué)術(shù)進展

          • 今天有多家媒體報道了中國科研人員實現(xiàn)了3nm半導(dǎo)體工藝的突破性進展,香港《南華早報》稱中科院微電子所團隊的殷華湘等人研究出了3nm晶體管,相當于人類DNA鏈條寬度,這種晶體管解決了玻爾茲曼熱力學(xué)的限制。
          • 關(guān)鍵字: 3nm  半導(dǎo)體  

          臺積電Q1凈利潤暴跌32% 今年砸80億美元研發(fā)7/5/3nm工藝

          • 作為全球晶圓代工市場的一哥,臺積電一家就占了全球50-60%的份額,幾乎吃下所有7nm先進訂單。不過今年遇到了半導(dǎo)體市場熊市,臺積電Q1季度營收、盈利也不免受影響下滑,凈利潤暴跌了32%。不過臺積電今年依然要砸錢研發(fā)新工藝,預(yù)計會在7nm、5nm及3nm工藝研發(fā)上投資80億美元之多。
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  Q1  7/5/3nm  

          三星2021年量產(chǎn)3nm工藝 性能提升35%

          • 在智能手機、存儲芯片業(yè)務(wù)陷入競爭不利或者跌價的困境之時,三星也將業(yè)務(wù)重點轉(zhuǎn)向邏輯工藝代工。在今天的三星晶圓代工SFF美國分會上,三星宣布四種FinFET工藝,涵蓋了7nm到4nm,再往后則是3nm GAA工藝了,通過使用全新的晶體管結(jié)構(gòu)可使性能提升35%、功耗降低50%,芯片面積縮小45%。
          • 關(guān)鍵字: 三星  3nm  

          三星即將宣布3nm以下工藝路線圖 挑戰(zhàn)硅基半導(dǎo)體極限

          • 在半導(dǎo)體晶圓代工市場上,臺積電TSMC是全球一哥,一家就占據(jù)了全球50%以上的份額,而且率先量產(chǎn)7nm等先進工藝,官方表示該工藝領(lǐng)先友商一年時間,明年就會量產(chǎn)5nm工藝。在臺積電之外,三星也在加大先進工藝的追趕,目前的路線圖已經(jīng)到了3nm工藝節(jié)點,下周三星就會宣布3nm以下的工藝路線圖,緊逼臺積電,而且會一步步挑戰(zhàn)摩爾定律極限。
          • 關(guān)鍵字: 三星  臺積電  3nm  

          3nm爭奪戰(zhàn)已打響

          • 科技的發(fā)展有時超出了我等普通人的想象,今年臺積電才開始量產(chǎn)7nm,計劃明年量產(chǎn)5nm,這不3nm又計劃在2022年實現(xiàn)量產(chǎn),這樣的大踏步前進可以說是競爭爭奪激烈的結(jié)果、也是科技快速發(fā)展的結(jié)果。
          • 關(guān)鍵字: 3nm  臺積電  

          三星已成全球芯片霸主,規(guī)劃芯片制程路線:2022年要上3nm

          •   5月28日,三星電子在位于美國的 2018 年三星半導(dǎo)體代工論壇上,公布其全面的芯片制程技術(shù)路線圖,目前已經(jīng)更新至 3nm 工藝?! ?jù)介紹,三星的 7nm LPP 將成為該公司首款使用EUV(極紫外光刻)方案的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。以往三星的制程工藝都會分為 LPE 和 LPP 兩代,不過 7nm 算是個例外,沒有 LPE。之前已公布,三星 7nm LPP 將于 2018 年下半年量產(chǎn),2019 年的高通和三星芯片有望采用該制造工藝。  三星表示,在 7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 將為 So
          • 關(guān)鍵字: 三星  芯片  3nm  

          從7nm到3nm GAA,三星為何激進地采用EUV?

          • 半導(dǎo)體業(yè)界為EUV已經(jīng)投入了相當龐大的研發(fā)費用,因此也不難理解他們急于收回投資。雖然目前還不清楚EUV是否已經(jīng)100%準備就緒,但是三星已經(jīng)邁出了實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的第一步。
          • 關(guān)鍵字: 三星  EUV  3nm   

          臺積電計劃2022年量產(chǎn)3nm芯片

          •   臺積電在8月14日宣布,公司董事會已批準了一項約45億美元的資本預(yù)算。未來將會使用該預(yù)算來修建新的晶圓廠,而現(xiàn)在中國臺灣媒體報道稱,臺積電計劃2020年開始建造3nm制程的晶圓廠,希望能夠在2022年實現(xiàn)3nm制程芯片的量產(chǎn)。  根據(jù)臺灣《經(jīng)濟日報》的報道,臺灣相關(guān)部門通過了「臺南科學(xué)園區(qū)二期基地開發(fā)暨原一期基地變更計劃環(huán)差案」,這項議案主要是為了臺積電全新的晶圓制造廠而打造?! ?jù)悉,臺積電計劃2020年開始建造最新的3nm制程的晶圓廠,同時最快可以在2022年實現(xiàn)對于3nm制程芯片的量產(chǎn)。目前臺積
          • 關(guān)鍵字: 臺積電,3nm,芯片  

          未來人類魔鬼魚DR7-PLUS拆機圖賞 多達四根銅管

          •   我們對未來人類魔鬼魚DR7-PLUS這款產(chǎn)品進行了拆解。從拆解圖中能夠看出,未來人類魔鬼魚DR7-PLUS的散熱模組采用了雙風(fēng)扇四銅管的設(shè)計,在散熱能力還是可以的。而且整體內(nèi)部構(gòu)造比較簡單明了,允許用戶增加一根內(nèi)存,而且硬盤的拆裝也十分方便,便于后期維護。唯一的不足就是內(nèi)部空間利用率上偏低。       ?    ?    ?    ?    ?    ?    ?  
          • 關(guān)鍵字: DR7-PLUS  

          aveni S.A. 運用創(chuàng)新電鍍化學(xué),將銅互連擴展至5nm及以下節(jié)點以實現(xiàn)BEOL集成

          •   為2D互連和3D硅穿孔封裝提供顛覆性濕沉積技術(shù)與化學(xué)材料的開發(fā)商與生產(chǎn)商aveni S.A.今日宣布,其已獲得成果可有力支持在先進互連的后段制程中,在5nm及以下技術(shù)節(jié)點可繼續(xù)使用銅?!  钢荡算~集成20周年之際,我們的研究結(jié)果證實了IBM研究員Dan Edelstein在近期IEEE Nanotechnology Symposium上的主題演講中所表達的意見:『銅集成可持續(xù)使用』?!筧veni執(zhí)行長Bruno Morel指出?! ∮捎谄骷獫M足(和創(chuàng)
          • 關(guān)鍵字: aveni  3nm  
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          3nm plus介紹

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