3nm finfet 文章 最新資訊
高通總裁談服務(wù)器芯片：更低功耗實(shí)現(xiàn)相同性能
- 2016年12月7日，高通宣布在服務(wù)器領(lǐng)域的最新進(jìn)展：其首款10nm服務(wù)器芯片Qualcomm Centriq 2400開始商用送樣，預(yù)計(jì)在2017年下半年實(shí)現(xiàn)商用。作為Qualcomm Centriq系列的首款產(chǎn)品，Centriq 2400采用最先進(jìn)的10nm FinFET制程技術(shù)，這也是全球首款10nm處理器芯片，最高可配置48個(gè)核心。 高通官方介紹，Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制內(nèi)核——Qualcomm? Fa
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中國微電子所在FinFET工藝上的突破有何意義？
- 最近，中國微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實(shí)現(xiàn)了全金屬化源漏(MSD)，能顯著降低源漏寄生電阻，從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍，使得驅(qū)動(dòng)性能達(dá)到了國際先進(jìn)水平。 基于本研究成果的論文被2016年IEEE國際電子器件大會(huì)(IEDM)接收，并在IEDM的關(guān)鍵分會(huì)場(chǎng)之一——硅基先導(dǎo)CMOS 工藝和制造技術(shù)(PMT)上，由張青竹
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格羅方德展示基于先進(jìn)14nm FinFET工藝技術(shù)的業(yè)界領(lǐng)先56Gbps長距離SerDes
- 格羅方德公司今天宣布，已證實(shí)運(yùn)用14納米FinFET工藝在硅芯片上實(shí)現(xiàn)真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產(chǎn)品系列的一部分，F(xiàn)X-14? 具有56Gbps SerDes，致力于為提高功率和性能的客戶需求而生，亦為應(yīng)對(duì)最嚴(yán)苛的長距離高性能應(yīng)用需求而準(zhǔn)備?！ 「窳_方德56Gbps SerDes 內(nèi)核同時(shí)支持 PAM4 和 NRZ 信號(hào)傳導(dǎo)，可補(bǔ)償超過35dB的插入損耗，因而無須在目前極
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控告三星/高通/蘋果FinFET技術(shù)侵權(quán) 這家公司有多牛？
- 盡管距離國際標(biāo)準(zhǔn)化組織確定的2020年5G商用仍有3年時(shí)間之久，現(xiàn)在的4G網(wǎng)絡(luò)還有潛力挖掘和價(jià)值提升的空間，然而全球“大T”們(運(yùn)營商)的發(fā)展焦點(diǎn)已經(jīng)向5G轉(zhuǎn)移，紛紛從技術(shù)研發(fā)、標(biāo)準(zhǔn)制定、產(chǎn)業(yè)儲(chǔ)備等方面入手，對(duì)5G進(jìn)行全面布局。 “預(yù)計(jì)2022年全球?qū)⒂?.5億5G用戶，其中北美和亞太將成為發(fā)展最快的兩大地區(qū)?！辫b于全球運(yùn)營商的積極行動(dòng)，業(yè)界紛紛調(diào)高了對(duì)5G發(fā)展速度的預(yù)期，愛立信在近期發(fā)布的《移動(dòng)市場(chǎng)報(bào)告》中就給出了2020年5.5億用戶的預(yù)期。
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FinFET技術(shù)發(fā)明人胡正明：網(wǎng)速有千百倍成長空間
- 半導(dǎo)體領(lǐng)域FinFET技術(shù)發(fā)明人胡正明說，由于半導(dǎo)體技術(shù)的突破，網(wǎng)際網(wǎng)路的速度和普及度還有千百倍的成長空間。 在中國大陸烏鎮(zhèn)舉行的第3屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)，今年首次舉辦“世界互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)先科技成果發(fā)布活動(dòng)”，由海內(nèi)外網(wǎng)路專家組成的專家征集并評(píng)選出15項(xiàng)最尖端的技術(shù)成果和最具創(chuàng)新性的商業(yè)模式。胡正明及其率領(lǐng)的研究團(tuán)隊(duì)，在半導(dǎo)體微型化的突破成就是其中之一。 胡正明率領(lǐng)的美國加州大學(xué)柏克萊分校團(tuán)隊(duì)，將平面二維晶體管創(chuàng)新制作成垂直三維的“鰭式電晶體”，讓半導(dǎo)
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FinFET 技術(shù)中的電路設(shè)計(jì)：演進(jìn)還是革命?
- 所有大型晶圓代工廠都已宣布 FinFET 技術(shù)為其最先進(jìn)的工藝。Intel 在 22 nm 節(jié)點(diǎn)上采用該晶體管，TSMC 在其 16 nm 工藝上使用，而 Samsung 和 GlobalFoundries 則將其用于 14 nm 工藝中。
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半導(dǎo)體制程技術(shù)競(jìng)爭升溫
- 要判定FinFET、FD-SOI與平面半導(dǎo)體制程各自的市場(chǎng)版圖還為時(shí)過早… 盡管產(chǎn)量仍然非常少，全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)制程有可能繼Globalfoundries宣布12奈米計(jì)畫(參考閱讀)之后快速成長;而市 場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)International Business Strategies (IBS)資深分析師Handel Jones表示，三星(Samsung)或?qū)⒃谥袊虾３闪⒌囊蛔戮A廠是否會(huì)采用FD
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移動(dòng)處理器工藝制程挑戰(zhàn)技術(shù)極限 FinFET成主流
- 隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的進(jìn)步與智能手機(jī)對(duì)極致效能的需求加劇，移動(dòng)處理器的工藝制程正在邁向新的高度。目前，全球領(lǐng)先的晶圓代工廠商已經(jīng)將工藝制程邁向10納米FinFET工藝，16/14納米節(jié)點(diǎn)的SoC也已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，那么半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)以摩爾定律的速度高速發(fā)展至今，移動(dòng)處理器的工藝制程向前演進(jìn)又存在哪些挑戰(zhàn)?同時(shí)，進(jìn)入20納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后傳統(tǒng)的CMOS工藝式微，這將給FinFET與FD-SOI工藝在技術(shù)與應(yīng)用上帶來怎樣的發(fā)展變革? 5納米節(jié)點(diǎn)是目前技術(shù)極限 摩爾定律被修正意義仍在
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全球首家：臺(tái)積電公布5納米FinFET技術(shù)藍(lán)圖
- 臺(tái)積電7月14日首度揭露最先進(jìn)的5納米FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)技術(shù)藍(lán)圖。臺(tái)積電規(guī)劃，5納米FinFET于2020年到位，開始對(duì)外提供代工服務(wù)，是全球首家揭露5納米代工時(shí)程的晶圓代工廠。 臺(tái)積電透露，配合客戶明年導(dǎo)入10納米制程量產(chǎn)，臺(tái)積電明年也將推出第二代后段整合型扇形封裝(InFO)服務(wù)。臺(tái)積電強(qiáng)化InFO布局，是否會(huì)威脅日月光、矽品等專業(yè)封測(cè)廠，業(yè)界關(guān)注。 臺(tái)積電在晶圓代工領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先，是公司維持高獲利的最大動(dòng)能，昨天的新聞發(fā)布會(huì)上，先進(jìn)制程布局，成為法人另一個(gè)關(guān)注焦點(diǎn)。
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半導(dǎo)體走到3nm制程節(jié)點(diǎn)不成問題
- 在剛剛閉幕的2016年ITF(IMEC全球科技論壇)上，世界領(lǐng)先的獨(dú)立納米技術(shù)研究機(jī)構(gòu)——IMEC的首席執(zhí)行官Luc van den Hove指出，“scaling(尺寸縮小)還會(huì)繼續(xù)，我不僅相信它將會(huì)繼續(xù)，而且我認(rèn)為它不得不繼續(xù)。” 他認(rèn)為，目前從技術(shù)層面來說，F(xiàn)INFET、Lateral Nanowire(橫向納米線) 和Vertical Nanowire(縱向納米線)已經(jīng)可以幫我們持續(xù)推進(jìn)到3nm的制程節(jié)點(diǎn)。EUV光刻技術(shù)將是未來的唯一選擇。
- 關(guān)鍵字： 3nm 半導(dǎo)體
ARM攜手臺(tái)積電打造多核10納米FinFET測(cè)試芯片 推動(dòng)前沿移動(dòng)計(jì)算未來
- ARM今日發(fā)布了首款采用臺(tái)積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測(cè)試芯片。仿真基準(zhǔn)檢驗(yàn)結(jié)果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機(jī)計(jì)算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù)，此測(cè)試芯片展現(xiàn)更佳運(yùn)算能力與功耗表現(xiàn)。 此款測(cè)試芯片的成功驗(yàn)證(設(shè)計(jì)定案完成于2015 年第四季度)是ARM 與臺(tái)積電持續(xù)成功合作的重要里程碑。該驗(yàn)證完備的設(shè)計(jì)方案包含了IP、EDA工具、設(shè)計(jì)流程及方法，能夠使新客戶采用臺(tái)積電最先進(jìn)的
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