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3nm finfet 文章 最新資訊
臺(tái)灣：AI終端芯片需要3nm制程生產(chǎn)
- 人工智能(AI)成為下世代科技發(fā)展重點(diǎn)，工研院 IEK 計(jì)劃副組長(zhǎng)楊瑞臨表示，AI 終端載具數(shù)量將遠(yuǎn)小于手機(jī)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)挑戰(zhàn)恐將增大，芯片業(yè)者應(yīng)朝系統(tǒng)與服務(wù)領(lǐng)域發(fā)展。 工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心(IEK)計(jì)劃副組長(zhǎng)楊瑞臨指出，人工智能大致可分為數(shù)據(jù)收集與決策兩部分;其中，數(shù)據(jù)收集方面，因需要大量運(yùn)算，應(yīng)在云端進(jìn)行。 決策方面，目前各國(guó)仍以云端發(fā)展為主，楊瑞臨表示，未來(lái)決策能否改由終端執(zhí)行，是各界視為臺(tái)灣發(fā)展 AI 的一大機(jī)會(huì)。 只是無(wú)人機(jī)、自駕車、機(jī)器人與虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)/擴(kuò)增實(shí)境
- 關(guān)鍵字： AI 3nm
臺(tái)灣：臺(tái)積電在臺(tái)灣投資3nm廠是必然
- 近期因限電危機(jī)，傳出臺(tái)積電3nm廠可能轉(zhuǎn)往美國(guó)投資，臺(tái)灣“行政院長(zhǎng)”林全表示，「臺(tái)積電在臺(tái)灣投資3nm廠是必然的」，現(xiàn)在的問(wèn)題只是落腳哪里。 林全表示，包括臺(tái)南、高雄都拚命爭(zhēng)取臺(tái)積3nm廠落腳。 相較于其他企業(yè)也有很好的投資案，但地方政府就沒(méi)有這么大的回響，或許和企業(yè)形象、經(jīng)營(yíng)成功度、員工待遇都有很大關(guān)系。 外界質(zhì)疑政府只關(guān)愛(ài)臺(tái)積電一家公司，林全反駁，政府對(duì)企業(yè)是「一視同仁的，不會(huì)有差別待遇」。 他以臺(tái)塑為例表示，臺(tái)塑遇到最大的挫折就是環(huán)評(píng)被退回，因此他去年上任后就
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 3nm
模擬技術(shù)的困境
- 在這樣一個(gè)對(duì)數(shù)字電路處理有利的世界中，模擬技術(shù)更多地用來(lái)處理對(duì)它們不利的過(guò)程。但這個(gè)現(xiàn)象可能正在改變。 我們生活在一個(gè)模擬世界中，但數(shù)字技術(shù)已經(jīng)成為主流技術(shù)?；旌闲盘?hào)解決方案過(guò)去包含大量模擬數(shù)據(jù)，只需要少量的數(shù)字信號(hào)處理，這種方案已經(jīng)遷移到系統(tǒng)應(yīng)用中，在系統(tǒng)中第一次產(chǎn)生了模數(shù)轉(zhuǎn)換過(guò)程?！ ∧M技術(shù)衰落有幾個(gè)原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數(shù)字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小，這有利于數(shù)字電路。但這對(duì)模擬晶體管的影響并不大，反而器件尺寸越小，模擬器件特性往往越差。器件的
- 關(guān)鍵字： 摩爾定律 FinFET
格芯交付性能領(lǐng)先的7納米FinFET技術(shù)在即
- 格芯今日宣布推出其具有7納米領(lǐng)先性能的(7LP)FinFET半導(dǎo)體技術(shù)，其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動(dòng)處理器、云服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用的需求。設(shè)計(jì)套件現(xiàn)已就緒，基于7LP技術(shù)的第一批客戶產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2018年上半年推出，并將于2018年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 2016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無(wú)可比擬的技術(shù)積淀，來(lái)研發(fā)自己7納米FinFET技術(shù)的計(jì)劃。由于晶體管和工藝水平的進(jìn)一步改進(jìn)，7LP技術(shù)的表現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于最初的性能目標(biāo)。與先前基于14納米FinFET技術(shù)的產(chǎn)品相比，預(yù)
- 關(guān)鍵字： 格芯 FinFET
ALD技術(shù)在未來(lái)半導(dǎo)體制造技術(shù)中的應(yīng)用
- 由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優(yōu)點(diǎn)，ALD（原子層淀積）技術(shù)早從21世紀(jì)初即開(kāi)始應(yīng)用于半導(dǎo)體加工制造。DRAM電容的高k介電質(zhì)沉積率先采用此技術(shù)，但近來(lái)ALD在其它半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域也已發(fā)展出愈來(lái)愈廣泛的應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字： ALD 半導(dǎo)體制造 FinFET PVD CVD
FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn)
- 隨著高級(jí)工藝的演進(jìn)，電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。與此同時(shí)，他們同樣面臨許多新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。多重圖案拆分給設(shè)計(jì)實(shí)施過(guò)程帶來(lái)了許多重大布局限制，另外為降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶體管使之更加復(fù)雜，因?yàn)樗鼘?duì)擺設(shè)和布線流程帶來(lái)了更多的限制。下面就隨模擬電子小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。 FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn) 隨著高級(jí)工藝的演進(jìn)，電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。與此同時(shí)，他們同樣面臨許多新的設(shè)
- 關(guān)鍵字： FinFET
英特爾推全新低功耗FinFET技術(shù) 22納米制程戰(zhàn)場(chǎng)煙硝起
- 英特爾(Intel)宣布將在2017年底之前啟動(dòng)全新22納米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程22 FFL，相關(guān)開(kāi)發(fā)套件(PDK)在接下來(lái)幾個(gè)月也將陸續(xù)到位，市場(chǎng)上認(rèn)為22 FFL的推出，顯然是針對(duì)GlobalFoundries等業(yè)者以全空乏絕緣上覆硅(FD-SOI)為移動(dòng)裝置及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用所生產(chǎn)之同類芯片而來(lái)。 據(jù)EE Times Asia報(bào)導(dǎo)，英特爾稱自家22 FFL是市場(chǎng)上首款為低功耗IoT應(yīng)用及移動(dòng)裝置產(chǎn)品而開(kāi)發(fā)出來(lái)的FinFET技術(shù)，能打造出高效能及低功耗的電晶體，漏電流(le
- 關(guān)鍵字： 英特爾 FinFET
傳梁孟松加盟中芯國(guó)際 兩岸半導(dǎo)體技術(shù)戰(zhàn)一觸即發(fā)
- 繼網(wǎng)羅到蔣尚義這位臺(tái)灣半導(dǎo)體大將后，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又有新動(dòng)作。據(jù)報(bào)道，傳大陸行業(yè)領(lǐng)頭羊中芯國(guó)際要將梁孟松收入麾下，梁孟松或于 5 月出任中芯國(guó)際 CTO 或 COO。和蔣尚義一樣，梁孟松同樣來(lái)自臺(tái)積電技術(shù)研發(fā)高層，他曾任臺(tái)積電資深研發(fā)處長(zhǎng)。 之前蔣尚義加入中芯時(shí)，已經(jīng)是半導(dǎo)體行業(yè)的一枚重磅炸彈了，畢竟無(wú)論是從他 40 多年的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)還是在臺(tái)積電的任職時(shí)間來(lái)看，他都堪稱元老。在臺(tái)積電，蔣尚義參與主導(dǎo)了從0.25微米、0.18微米直至16納米制程技術(shù)的研發(fā)，張忠謀曾感激他為“臺(tái)積電16年
- 關(guān)鍵字： 中芯國(guó)際 FinFET
臺(tái)積電公開(kāi)回復(fù)：東芝競(jìng)標(biāo)案和3nm廠選址
- 臺(tái)積電13日的法說(shuō)會(huì)中，針對(duì)近期兩大熱門議題：日本半導(dǎo)體大廠東芝NAND Flash部門競(jìng)標(biāo)案、先進(jìn)制程3奈米晶圓廠的選址，一一對(duì)外界做最新的回覆。 自從臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀公開(kāi)表示，考慮參與日本半導(dǎo)體大廠東芝(Toshiba)競(jìng)標(biāo)案后，臺(tái)積電對(duì)該案的態(tài)度備受市場(chǎng)關(guān)注，尤其參與競(jìng)標(biāo)者又是鴻海、SK海力士(SK Hynix)、威騰(WD)等全球大廠。 臺(tái)積電13日指出，內(nèi)部確實(shí)評(píng)估過(guò)該案，但最后決定不去參與競(jìng)標(biāo)，主要是兩大原因，第一，內(nèi)部認(rèn)為這種標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的商業(yè)模式和邏輯產(chǎn)業(yè)很不一樣，第二是
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 3nm
英特爾7億美金建廠美國(guó) 臺(tái)積電5000億投資3nm技術(shù)
- 晶圓代工龍頭臺(tái)積電正式將赴美國(guó)設(shè)立晶圓廠列入選項(xiàng)，且目標(biāo)直指最先進(jìn)且投資金額高達(dá)5000億元的3納米制程。臺(tái)灣地區(qū)媒體報(bào)道稱，臺(tái)積電3納米出走將撼動(dòng)全球半導(dǎo)體江山。 擔(dān)憂臺(tái)灣代工基地空氣不佳、電力不穩(wěn) 臺(tái)媒引述指出，臺(tái)積電政策轉(zhuǎn)向，主因是南科高雄園區(qū)路竹基地，環(huán)評(píng)作業(yè)完成時(shí)間可能無(wú)法配合臺(tái)積電需求，加上空氣品質(zhì)及臺(tái)灣電力后續(xù)穩(wěn)定不佳，也是干擾設(shè)廠的變數(shù)。 臺(tái)積電表示，南科高雄園區(qū)路竹基地也未排除在外，持續(xù)觀察，選地尚未決定。至于電力問(wèn)題，臺(tái)積電重申，考慮設(shè)廠地點(diǎn)，水、電、土地、人才，
- 關(guān)鍵字： 英特爾 3nm
臺(tái)積電斥資157億美元打造5nm/3nm芯片生產(chǎn)線
- 臺(tái)科技部長(zhǎng)陳良基15日接受經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)專訪時(shí)表示,他上任后主動(dòng)拜會(huì)臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀等科技大老,對(duì)臺(tái)積電3納米計(jì)劃需求,政府將全力協(xié)助,也會(huì)特別關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),并從近程及長(zhǎng)期著手協(xié)助產(chǎn)業(yè)升級(jí)。 對(duì)于空污總量管制等環(huán)保要求,會(huì)否影響臺(tái)積電3納米進(jìn)程,陳良基說(shuō):「我比較審慎樂(lè)觀。我有看到臺(tái)積電對(duì)3納米需求,水電、土地、空污等因應(yīng)措施,并沒(méi)有不能解決的悲觀?！顾㈩A(yù)言,以人工智能(AI)技術(shù)為主的沛星互動(dòng)科技(Appier),十年后有可能成為另一個(gè)「臺(tái)積電」。 陳良基說(shuō),他跟張忠謀常碰面,上任后
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 3nm
FinFET之父胡正明談人才培育
- 潘文淵文教基金會(huì)日前舉行“潘文淵獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮，2016年的得獎(jiǎng)人是加州大學(xué)柏克萊分校講座教授胡正明，他曾回臺(tái)擔(dān)任臺(tái)積電首任技術(shù)長(zhǎng)，也是工研院院士，他所研發(fā)的3D鰭式晶體管(FinFET)突破物理極限，堪稱半導(dǎo)體工業(yè)40多年來(lái)的最大變革。 胡正明目前仍深耕學(xué)術(shù)教育，為產(chǎn)學(xué)研界培育眾多優(yōu)秀人才。 在頒獎(jiǎng)典禮中，胡正明與清華大學(xué)前校長(zhǎng)劉炯朗以“創(chuàng)新人才培育─邁向科技新世代”為題進(jìn)行高峰論壇，兩人提出許多深具啟發(fā)性的見(jiàn)解。 肯定自己 解決問(wèn)題就是創(chuàng)新
- 關(guān)鍵字： FinFET
胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶？
- 近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國(guó)成都引起業(yè)界關(guān)注，為何?因?yàn)镕D-SOI技術(shù)。 眾所周知，當(dāng)柵極長(zhǎng)度逼近20nm大關(guān)時(shí)，對(duì)電流控制能力急劇下降，漏電率相應(yīng)提高。FinFET與FD-SOI恰是半導(dǎo)體微縮時(shí)代續(xù)命的高招。 盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營(yíng)化”，F(xiàn)inFET陣營(yíng)占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術(shù)堅(jiān)守與推動(dòng)者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。 今天我們就來(lái)談?wù)凢i
- 關(guān)鍵字： FinFET FD-SOI
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)3nm finfet的理解，并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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