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3nm finfet
3nm finfet 文章 最新資訊
華人胡正明獲美國(guó)最高科技獎(jiǎng)：FinFET發(fā)明人
- 據(jù)中新網(wǎng)、網(wǎng)易等報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間2016年5月19日，美國(guó)總統(tǒng)奧巴馬在白宮為2015年度美國(guó)最高科技獎(jiǎng)項(xiàng)獲得者頒獎(jiǎng)，包括9名國(guó)家科學(xué)獎(jiǎng)獲得者和8名國(guó)家技術(shù)和創(chuàng)新獎(jiǎng)獲得者。其中兩張華裔面孔格外引人注意，包括80歲高齡的何南施女士(Nancy ho)，出生于南京，1957年畢業(yè)于臺(tái)灣大學(xué)。 她1993年制造出一種酵母，除了讓木糖發(fā)酵，也可以吧果糖變成乙醇，因此能夠利用稻草之類的非食用材料大量制造乙醇，幫助減少對(duì)進(jìn)口石油的依賴。 另一位是胡正明教授，他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在臺(tái)灣長(zhǎng)大，后
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FD-SOI會(huì)是顛覆性技術(shù)嗎？
- 全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車市場(chǎng)取代鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對(duì)于許多人來說，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場(chǎng)相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng)，象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書。 “我認(rèn)為，F(xiàn)D-SOI正蓄勢(shì)待發(fā)。也許還得經(jīng)過幾年的時(shí)間，但它終將獲得新的動(dòng)能，并發(fā)展成為一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，”International Business Strategies (IBS)創(chuàng)
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中國(guó)真的對(duì)FD-SOI制程技術(shù)有興趣？
- 身為一位記者，我發(fā)現(xiàn)撰寫有關(guān)于“熱門”公司、技術(shù)與人物的報(bào)導(dǎo)，要比我通常負(fù)責(zé)的技術(shù)主題容易得多;一旦我寫了那些“時(shí)髦”的標(biāo)題，我會(huì)確實(shí)感受到人氣飆漲。 因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫那些，以及那些新聞為何對(duì)他們重要;我馬上想到的是美國(guó)總統(tǒng)候選人川普(Donald Trump)、蘋果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫冷門題材、比較少人討論的話題，挑戰(zhàn)性就高得多;部分讀者會(huì)有先入為主的看法，認(rèn)為那 些題目不關(guān)他們
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針對(duì)高性能計(jì)算7納米 FinFET工藝，ARM與臺(tái)積電簽訂長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作協(xié)議
- ARM和臺(tái)積電宣布簽訂針對(duì)7納米 FinFET工藝技術(shù)的長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作協(xié)議，涵蓋了未來低功耗，高性能計(jì)算SoC的設(shè)計(jì)方案。該合作協(xié)議進(jìn)一步擴(kuò)展了雙方的長(zhǎng)期合作關(guān)系，并將領(lǐng)先的工藝技術(shù)從移動(dòng)手機(jī)延伸至下一代網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心。此外，該協(xié)議還拓展了此前基于ARM? Artisan? 基礎(chǔ)物理IP 的16納米和10納米 FinFET工藝技術(shù)合作?！ RM全球執(zhí)行副總裁兼產(chǎn)品事業(yè)群總裁
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三星14nm LPE FinFET電晶體揭密
- 三星(Samsung)即將量產(chǎn)用于其Exynos 8 SoC的14奈米(nm) Low Power Plus (LPP)制程，這項(xiàng)消息持續(xù)引發(fā)一些產(chǎn)業(yè)媒體的關(guān)注。三星第二代14nm LPP制程為目前用于其Exynos 7 SoC與蘋果(Apple) A9 SoC的第一代14nm Low Power Early (LPE)制程提供了進(jìn)一步的更新。 業(yè)界目前共有三座代工廠有能力制造這種鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)：英特爾(Intel)、三星 和臺(tái)積電(TSMC)。TechInsights曾經(jīng)在去年
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5納米制程技術(shù)挑戰(zhàn)重重 成本之高超乎想象
- 半導(dǎo)體業(yè)自28納米進(jìn)步到22/20納米，受193i光刻機(jī)所限，必須采用兩次圖形曝光技術(shù)(DP)。再進(jìn)一步發(fā)展至16/14納米時(shí)，大多采用finFET技術(shù)。如今finFET技術(shù)也一代一代升級(jí)，加上193i的光學(xué)技術(shù)延伸，采用SADP、SAQP等，所以未來到10納米甚至7納米時(shí)，基本上可以使用同樣的設(shè)備，似乎己無懸念，只是芯片的制造成本會(huì)迅速增加。然而到5納米時(shí)肯定是個(gè)坎，因?yàn)槿绻鸈UV不能準(zhǔn)備好，就要被迫采用五次圖形曝光技術(shù)(FP)，這已引起全球業(yè)界的關(guān)注。 而對(duì)于更先進(jìn)5納米生產(chǎn)線來說，至今業(yè)界
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應(yīng)用材料:2016年晶圓廠設(shè)備支出有望擴(kuò)增
- 應(yīng)用材料集團(tuán)副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸認(rèn)為，在3D NAND和10奈米技術(shù)帶動(dòng)下，今年晶圓代工資本支出有望回升。 應(yīng) 用材料集團(tuán)副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總裁與全球半導(dǎo)體業(yè)務(wù)服務(wù)群跨區(qū)域總經(jīng)理余定陸表示，2015年看到這四年以來晶圓代工的資本支出進(jìn)入谷底，預(yù)估今年投資水位有 望提升，而大部分支出將發(fā)生在下半年，其中有五成以上將集中于10奈米技術(shù);對(duì)晶圓代工來說，10奈米不同于16奈米，最顯著變化在于鰭式場(chǎng)效電晶體 (FinFET)
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三星新一代FinFET制程可望擄獲高通？
- 一直在先進(jìn)制程晶圓代工技術(shù)領(lǐng)域與臺(tái)積電(TSMC)激烈競(jìng)爭(zhēng)的三星電子(Samsung Electronics)，可能以其第二代14奈米FinFET制程劫走所有高通(Qualcomm)的訂單?三星最近宣布推出了采用其14奈米LPP (Low-Power Plus)技術(shù)的商業(yè)化量產(chǎn)邏輯制程。 香港Maybank Kim Eng分析師Warren Lau表示，高通在兩年前約貢獻(xiàn)所有臺(tái)積電訂單的近兩成，到2017年之后會(huì)將大多數(shù)10/14奈米訂單轉(zhuǎn)往三星：“三星會(huì)是未來高通14奈米晶片與數(shù)據(jù)
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AMD：14納米FinFET將進(jìn)入GPU市場(chǎng) 年中進(jìn)入量產(chǎn)
- 盡管GPU(繪圖處理器)市場(chǎng)剩下AMD與NVIDIA兩大供應(yīng)商，但在先進(jìn)技術(shù)的投入上，仍然沒有手軟過。 AMD的GPU主力產(chǎn)品Radeon系列，在去年推出導(dǎo)入HBM(高頻寬記憶體)技術(shù)后，引來市場(chǎng)關(guān)注。AMD又在今天發(fā)布Radeon新一代的產(chǎn)品Polaris架構(gòu)，采用14奈米FinFET制程，目前已經(jīng)送樣給主要的OEM客戶，預(yù)計(jì)在今年年中進(jìn)入量產(chǎn)時(shí)程，該產(chǎn)品適用于筆記型電腦、VR(虛擬實(shí)境)與桌上型電腦等領(lǐng)域。 據(jù)AMD資深副總裁Raja Koduri公開表示，Polaris架構(gòu)有別于過往
- 關(guān)鍵字： AMD FinFET
手機(jī)鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？ 大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI
- DIGITIMES Research觀察，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時(shí)也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會(huì)關(guān)鍵晶圓片底材供應(yīng)商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺(tái)積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)路線，估與手
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)3nm finfet的理解，并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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