3nm finfet 文章 最新資訊
胡正明：技術(shù)創(chuàng)新可能讓半導(dǎo)體晶體管密度再增加1000倍
- “半導(dǎo)體市場(chǎng)正在經(jīng)歷由技術(shù)推動(dòng)到需求推動(dòng)的轉(zhuǎn)變。而半導(dǎo)體技術(shù)上的創(chuàng)新，可能讓半導(dǎo)體晶體管密度再增加1000倍，仍有巨大空間。”近日，美國加州大學(xué)伯克利分校教授、國際微電子學(xué)家胡正明在接受集微網(wǎng)采訪時(shí)表示。 自1965年摩爾定律提出以來，歷經(jīng)半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，如今越來越遭遇挑戰(zhàn)，特別是新世紀(jì)以來，每隔十年，摩爾定律以及半導(dǎo)體的微型化似乎便會(huì)遭遇到可能終止的危機(jī)?！ 『靼l(fā)明了鰭型晶體管(FinFET)以及「全耗盡型絕緣層上硅晶體管」(FD-SOI)，兩大革命性創(chuàng)新為半導(dǎo)體帶來新契機(jī)。 2011年5月
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aveni S.A. 運(yùn)用創(chuàng)新電鍍化學(xué)，將銅互連擴(kuò)展至5nm及以下節(jié)點(diǎn)以實(shí)現(xiàn)BEOL集成
- 為2D互連和3D硅穿孔封裝提供顛覆性濕沉積技術(shù)與化學(xué)材料的開發(fā)商與生產(chǎn)商aveni S.A.今日宣布，其已獲得成果可有力支持在先進(jìn)互連的后段制程中，在5nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)可繼續(xù)使用銅?！ 钢荡算~集成20周年之際，我們的研究結(jié)果證實(shí)了IBM研究員Dan Edelstein在近期IEEE Nanotechnology Symposium上的主題演講中所表達(dá)的意見：『銅集成可持續(xù)使用』?！筧veni執(zhí)行長Bruno Morel指出。 由于器件要滿足(和創(chuàng)
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格芯技術(shù)大會(huì)攜最新技術(shù)突出中國市場(chǎng)重要地位
- 近日，格芯2017技術(shù)大會(huì)（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海舉行，格芯盛邀數(shù)百位半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者、客戶、研究專家與核心媒體齊聚一堂，并精心為與會(huì)者準(zhǔn)備了公司的核心業(yè)務(wù)、市場(chǎng)推進(jìn)方向與創(chuàng)新成果，以及包括制程工藝、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)、IP、射頻以及生態(tài)圈的發(fā)展等方面的最新進(jìn)展，共同聚焦格芯面向5G互聯(lián)時(shí)代的技術(shù)解決方案。作為格芯的年度技術(shù)盛會(huì)，本次大會(huì)格芯分享的技術(shù)主題十分廣泛，包括FDX?設(shè)計(jì)和生態(tài)系統(tǒng)、IoT，5G/網(wǎng)絡(luò)和汽車解決方案智能應(yīng)用，F(xiàn)DX?、Fi
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張忠謀：3nm晶圓廠2020年開建 未來3年收入增幅都達(dá)5-10％
- 臺(tái)積電創(chuàng)始人兼董事長張忠謀在近日的一次公司會(huì)議上披露，臺(tái)積電將在2020年開工建設(shè)3nm工藝晶圓廠，但不會(huì)去美國設(shè)廠，而是堅(jiān)持留在中國臺(tái)灣本土，確切地說是在南部科技園區(qū)。 張忠謀提出，臺(tái)積電相信當(dāng)?shù)卣畷?huì)解決好3nm工廠建設(shè)所需的水電土地問題，并提供全力協(xié)助。 按照張忠謀此前的說法，3nm工廠建設(shè)預(yù)計(jì)會(huì)花費(fèi)超過200億美元，同時(shí)有望帶動(dòng)相關(guān)供應(yīng)商跟進(jìn)建廠，拉動(dòng)臺(tái)南地區(qū)經(jīng)濟(jì)發(fā)展。 他沒有透露3nm工廠何時(shí)完工、新工藝何時(shí)量產(chǎn)，但即便不考慮額外困難和挑戰(zhàn)，最快也得是2023年的事兒了。
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詳解先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝之FinFET
- 詳解先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝之FinFET-FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。
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臺(tái)積電欲建全球首個(gè)3nm晶圓廠 張忠謀又在唱哪出戲？
- 10月7日，芯片代工廠臺(tái)積電宣布選址南科臺(tái)南園區(qū)興建3nm晶圓廠。據(jù)臺(tái)積電董事長張忠謀透漏，臺(tái)積電此次將投資約200億美元用于晶圓廠的建設(shè)，于2020年左右竣工，這也將成為全球首家3nm晶圓廠。 2016年末至2017年初，三星與臺(tái)積電先后推出10nm制程工藝，穩(wěn)占手機(jī)芯片市場(chǎng)80%以上的市場(chǎng)份額。在這場(chǎng)角斗中，英特爾由于研發(fā)步伐稍微緩慢，錯(cuò)失了市場(chǎng)先機(jī)。即使后來推出的10nm工藝遠(yuǎn)超三星與臺(tái)積電，但是對(duì)于整體市場(chǎng)來說，并沒有太大影響。 臺(tái)積電面臨的局勢(shì) 臺(tái)積電主要客戶為蘋果、高通、
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三星推11納米FinFET，宣布7nm將全面導(dǎo)入EUV
- 隨著臺(tái)積電宣布全世界第一個(gè) 3 奈米制程的建廠計(jì)劃落腳臺(tái)灣南科之后，10 奈米以下個(gè)位數(shù)制程技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)就正式進(jìn)入白熱化的階段。 臺(tái)積電的對(duì)手三星 29 日也宣布，將開始導(dǎo)入 11 奈米的 FinFET，預(yù)計(jì)在 2018 年正式投產(chǎn)之外，也宣布將在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 極紫外線光刻設(shè)備。 根據(jù)三星表示，11 奈米 FinFET 制程技術(shù)「11LPP (Low Power Plus)」是現(xiàn)今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，
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FD SOI生態(tài)持續(xù)完善，與FinFET分庭抗禮局勢(shì)形成
- FD SOI技術(shù)在物聯(lián)網(wǎng)蓬勃發(fā)展的大環(huán)境下，以其低功耗、集成射頻和存儲(chǔ)、高性能等優(yōu)勢(shì)獲得業(yè)界各方重視;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等為代表的企業(yè)的推動(dòng)下，該產(chǎn)業(yè)鏈正逐步得到完善。此外，在中國大力發(fā)展集成電路的當(dāng)口，F(xiàn)D-SOI技術(shù)還給中國企業(yè)帶去更多的發(fā)展空間和機(jī)遇，如何充分利用FD-SOI技術(shù)優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)差異化創(chuàng)新成了眾IC設(shè)計(jì)企業(yè)的探討重點(diǎn)。此外，5G網(wǎng)絡(luò)與物聯(lián)網(wǎng)的不斷進(jìn)化，對(duì)RF技術(shù)革新的強(qiáng)烈需求，對(duì)RF SOI技術(shù)帶來更廣大的市場(chǎng)前景。 FD SOI生態(tài)系統(tǒng)逐步完
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格芯發(fā)布為IBM系統(tǒng)定制的14納米FinFET技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務(wù)器系統(tǒng)處理器定制的量產(chǎn)14納米高性能(HP)技術(shù)。這項(xiàng)雙方共同開發(fā)的工藝專為IBM提供所需的超高性能和數(shù)據(jù)處理能力，從而在大數(shù)據(jù)和認(rèn)知計(jì)算的時(shí)代為IBM的云、商業(yè)和企業(yè)解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產(chǎn)品?！ ?4HP是業(yè)內(nèi)唯一將三維FinFET晶體管架構(gòu)結(jié)合在SOI襯底上的技術(shù)。該技術(shù)采用了17層金屬層結(jié)構(gòu)，每個(gè)芯片上有80多億個(gè)晶體管，通過嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)以及其它創(chuàng)新功能，達(dá)到比前代
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格芯為高性能應(yīng)用推出全新12納米 FinFET技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計(jì)劃推出全新12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)預(yù)計(jì)將提高當(dāng)前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時(shí)滿足從人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)到高端智能手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計(jì)算密集型處理需求的應(yīng)用。 這項(xiàng)全新的12LP技術(shù)與當(dāng)前市場(chǎng)上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠的12納米 FinFET產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)。這項(xiàng)技術(shù)
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張忠謀:3nm制程會(huì)出來 2nm后很難
- 臺(tái)積電董事長張忠謀表示，摩爾定律可能還可再延續(xù)10年，3nm制程應(yīng)該會(huì)出來，2nm則有不確定性，2nm之后就很難了。 張忠謀表示，1998年英特爾總裁貝瑞特來臺(tái)時(shí)，兩人曾針對(duì)摩爾定律還可延續(xù)多久進(jìn)行討論，他當(dāng)時(shí)回答還有15年，貝瑞特較謹(jǐn)慎回答，大概還有10年。 現(xiàn)在已經(jīng)2017年，張忠謀表示，兩人當(dāng)時(shí)的答案都錯(cuò)了;他指出，目前大膽預(yù)測(cè)摩爾定律可能再有10年。 張忠謀表示，臺(tái)積電明年將生產(chǎn)7nm制程，5nm已研發(fā)差不多，一定會(huì)出來，3nm也已經(jīng)做2至3年，看來也是會(huì)出來。 張忠謀
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臺(tái)積備戰(zhàn)3nm全靠極紫外光（EUV）微影設(shè)備
- 極紫外光(EUV)微影設(shè)備無疑是半導(dǎo)體制程推向3nm的重大利器。這項(xiàng)每臺(tái)要價(jià)高達(dá)逾近億美元的尖端設(shè)備，由荷商ASML獨(dú)家生產(chǎn)供應(yīng)，目前主要買家全球僅臺(tái)積電、三星、英特爾及格羅方德等大廠為主。 EUV設(shè)備賣價(jià)極高，原因是開發(fā)成本高，因此早期ASML為了分?jǐn)傞_發(fā)風(fēng)險(xiǎn)，還特別邀請(qǐng)臺(tái)積電、三星和英特爾三大廠入股，但隨著開發(fā)完成，臺(tái)積電后來全數(shù)出脫艾司摩爾股票，也獲利豐碩。 有別于過去半導(dǎo)體采用浸潤式曝光機(jī)，是在光源與晶圓中間加入水的原理，使波長縮短到193/132nm的微影技術(shù)，EUV微影設(shè)備是利
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3nm finfet介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)3nm finfet的理解，并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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