3nm finfet 文章 最新資訊
Mentor 擴(kuò)展解決方案以支持 TSMC 5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝技術(shù)
- Mentor, a Siemens business 今日宣布 Mentor Calibre? nmPlatform 和 Analog FastSPICE? (AFS?) Platform 獲得 TSMC 的 7nm FinFET Plus 和最新版本的 5nm FinFET 工藝的認(rèn)證。此外，Mentor 還繼續(xù)擴(kuò)展 Xpedition? Package Designer 和 Xpedition Substrate Integrator 產(chǎn)品的功能，以支持 TSMC 的高級封裝產(chǎn)品?！ SMC 設(shè)
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格芯擴(kuò)展FinFET產(chǎn)品新特性為全面實(shí)現(xiàn)未來智能系統(tǒng)
- 格芯是全球領(lǐng)先的全方位服務(wù)半導(dǎo)體代工廠，為世界上最富有靈感的科技公司提供獨(dú)一無二的設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造服務(wù)。2018年9月25日， 格芯在其年度全球技術(shù)大會(GTC)上，繼在300mm平臺上面向下一代移動應(yīng)用推出8SW RF SOI客戶端芯片后，格芯宣布計(jì)劃在其14/12nm FinFET產(chǎn)品中引入全套新技術(shù)，這是公司加強(qiáng)差異化投資的全新側(cè)重點(diǎn)之一，功能豐富的半導(dǎo)體平臺為下一代計(jì)算應(yīng)用提供具有競爭力的性能和可擴(kuò)展性。新工藝技術(shù)旨在為快速增長市場(如超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和自動駕駛汽車)應(yīng)用提供更好的可擴(kuò)展性和性
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三星已成全球芯片霸主，規(guī)劃芯片制程路線：2022年要上3nm
- 5月28日，三星電子在位于美國的 2018 年三星半導(dǎo)體代工論壇上，公布其全面的芯片制程技術(shù)路線圖，目前已經(jīng)更新至 3nm 工藝?！ ?jù)介紹，三星的 7nm LPP 將成為該公司首款使用EUV(極紫外光刻)方案的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。以往三星的制程工藝都會分為 LPE 和 LPP 兩代，不過 7nm 算是個例外，沒有 LPE。之前已公布，三星 7nm LPP 將于 2018 年下半年量產(chǎn)，2019 年的高通和三星芯片有望采用該制造工藝?！ ∪潜硎?，在 7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 將為 So
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GF宣布將在既有14/12納米FinFET制程節(jié)點(diǎn)基礎(chǔ)上，向外擴(kuò)展應(yīng)用領(lǐng)域
- 自從28納米制程節(jié)點(diǎn)向下轉(zhuǎn)進(jìn)以來，就剩下四大晶圓代工廠商持續(xù)鞏固先進(jìn)制程：臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、GlobalFoundries(GF)以及英特爾(Intel)。但在這四大廠商轉(zhuǎn)進(jìn)16/14納米先進(jìn)制程過程中，又以GF歷經(jīng)最多波折，但最終，GF尋求向三星取得14納米制程授權(quán)，更成功將該節(jié)點(diǎn)制程落實(shí)在自家晶圓廠。隨后包括超微(AMD)旗下RyzenCPU與PolarisGPU系列產(chǎn)品的成功，均可說是GF旗下晶圓廠14納米制程終于達(dá)到良率開出順利，并且改善制程足以提供更明
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臺積電計(jì)劃2022年量產(chǎn)3nm芯片
- 臺積電在8月14日宣布，公司董事會已批準(zhǔn)了一項(xiàng)約45億美元的資本預(yù)算。未來將會使用該預(yù)算來修建新的晶圓廠，而現(xiàn)在中國臺灣媒體報(bào)道稱，臺積電計(jì)劃2020年開始建造3nm制程的晶圓廠，希望能夠在2022年實(shí)現(xiàn)3nm制程芯片的量產(chǎn)。 根據(jù)臺灣《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》的報(bào)道，臺灣相關(guān)部門通過了「臺南科學(xué)園區(qū)二期基地開發(fā)暨原一期基地變更計(jì)劃環(huán)差案」，這項(xiàng)議案主要是為了臺積電全新的晶圓制造廠而打造?！ ?jù)悉，臺積電計(jì)劃2020年開始建造最新的3nm制程的晶圓廠，同時最快可以在2022年實(shí)現(xiàn)對于3nm制程芯片的量產(chǎn)。目前臺積
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中芯國際14納米FinFET制程開始客戶導(dǎo)入，Q2營收同比增長18.6%
- 9日中芯國際集成電路制造有限公司公布截至2018年6月30日止第二季度的綜合經(jīng)營業(yè)績。中芯國際第二季度銷售額為8.907億美元，與上一季度環(huán)比增長7.2%，與去年同比增長18.6%。欣喜的是，14納米FinFET制程開始進(jìn)入到客戶導(dǎo)入階段，可以預(yù)見量產(chǎn)目標(biāo)已不遙遠(yuǎn)。14納米FinFET制程如果正式量產(chǎn)，對于中芯國際來說將是一個歷史性的時刻。不僅可以確保其遙遙領(lǐng)先于國內(nèi)的競爭對手，更是可以拉近其和國際芯片大廠之間的距離?！ 「鶕?jù)中芯國際財(cái)報(bào)，第二季度不含技術(shù)授權(quán)收入(授權(quán)收入)確認(rèn)的銷售額為8.379億
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三星侵犯大學(xué)專利，賠償金或高達(dá)4億美元
- 近日，德克薩斯州聯(lián)邦陪審團(tuán)作出一項(xiàng)裁決：三星電子因侵犯韓國技術(shù)學(xué)院一項(xiàng)專利技術(shù)，需向后者支付賠償金或?qū)⒏哌_(dá)4億美元?！ ?jù)了解，韓國技術(shù)學(xué)院曾向法院提起訴訟，指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(shù)(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利技術(shù)。然而三星向陪審團(tuán)表示，它與韓國技術(shù)學(xué)院合作開發(fā)了這項(xiàng)技術(shù)，并否認(rèn)侵犯了相關(guān)專利技術(shù)。三星還對這項(xiàng)專利的有效性提出了質(zhì)疑。就在三星對此不屑一顧時，其對手英特爾公司開始向這項(xiàng)技術(shù)的發(fā)明者取得許可授權(quán)，圍繞三星是否侵權(quán)的力量博弈發(fā)生了改變，三星才開始重視這個事件的嚴(yán)重性?！ ?jù)悉
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