3d-ic設計 文章 最新資訊
3D-IC將如何改變芯片設計
- 專家在座：半導體工程與西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級總監(jiān) John Ferguson 坐下來討論 3D-IC 設計挑戰(zhàn)以及堆疊芯片對 EDA 工具和方法的影響;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級產(chǎn)品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機會業(yè)務經(jīng)理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產(chǎn)品管理高級總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。本討論的第 1 部分在這里，第 2&
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長江存儲全面完成股改，估值已超1600億元
- 總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責任公司（長存集團）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業(yè)估值最高的新晉獨角獸。根據(jù)公開信息，2025年4月，養(yǎng)元飲品子公司泉泓、農(nóng)銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產(chǎn)、工融金投等15家機構(gòu)同步參與；7月，長存集團新增股東員工持股平臺 —— 武漢市智芯計劃一號至六號企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），上述兩筆
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第一次深入真正的3D-IC設計
- 專家在座：半導體工程坐下來討論了對 3D-IC 的初步嘗試以及早期采用者將遇到的問題，西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級總監(jiān) John Ferguson;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級產(chǎn)品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機會業(yè)務經(jīng)理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產(chǎn)品管理高級總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。從左到右：是德科技的 Mueth;Synopsys 的
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國產(chǎn)廠商切入下一代存儲技術(shù)：3D DRAM
- 隨著 ChatGPT 等人工智能應用的爆發(fā)式增長，全球?qū)λ懔Φ男枨笳灾笖?shù)級態(tài)勢攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強勁的計算芯片，更離不開高性能內(nèi)存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內(nèi)存已難以滿足 AI 芯片對數(shù)據(jù)傳輸速度的要求，而高帶寬內(nèi)存（HBM）憑借創(chuàng)新的堆疊設計，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關(guān)鍵難題，為 AI 應用的高效運行提供了重要支撐。但如今，傳統(tǒng) HBM 已經(jīng)受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時還能進一步優(yōu)化功耗表現(xiàn)，全球的存儲廠商也普遍將 3D
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汽車應用3D-IC：利用人工智能驅(qū)動的EDA工具打破障礙
- 汽車行業(yè)正在經(jīng)歷重大變革，因為它采用自動駕駛技術(shù)和超互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對緊湊型、高性能半導體解決方案的需求不斷增長，這些解決方案能夠應對日益復雜的現(xiàn)代汽車架構(gòu)。一項有前途的發(fā)展是三維集成電路 （3D-IC），這是一種創(chuàng)新的半導體設計方法，有可能重塑汽車市場。通過垂直堆疊多個芯片，3D-IC 提供卓越的性能、帶寬和能源效率，同時克服車輛系統(tǒng)的關(guān)鍵空間和熱限制。然而，盡管 3D-IC 具有潛力，但其設計和實施仍面臨重大挑戰(zhàn)。這就是人工智能驅(qū)動的電子設計自動化 （EDA） 工具發(fā)揮至關(guān)重要作用
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實現(xiàn)120層堆疊，下一代3D DRAM將問世
- 高密度 3D DRAM 可能即將到來。
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在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生
- 從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實力。作為芯片設計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準把握未來芯片設計的關(guān)鍵。?人工智能正在滲透到整個半導體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內(nèi)重新定義幾乎每個領(lǐng)域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
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618恐成今年補貼最后一波 IC設計坦言需求難回天
- 2025年，中國長達一個月的618檔期終于在上周正式結(jié)束。 供應鏈人士直言，政策補貼效應大概到第2季就已經(jīng)進入尾聲，整個618檔期大概就是這次補貼政策的最后一波銷售帶動，相比于過去每個購物節(jié)都能繳出不錯的成績單，今年的618則不如往年熱絡。業(yè)者坦言，雖然最終結(jié)算數(shù)據(jù)，比起去年好些，但因為現(xiàn)在中國各類促銷檔期都愈來愈長，顯然以往短時間沖刺的促銷動能已難以維持，多半都是以較長的促銷時間段，盡可能把更多銷售數(shù)據(jù)包含進來。即便中國從2024年底推出各種家電、消費電子產(chǎn)品的舊換新補貼政策，但IC設計業(yè)者觀察，其實近
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2.5D/3D 芯片技術(shù)推動半導體封裝發(fā)展
- 來自日本東京科學研究所 （Science Tokyo） 的一組研究人員構(gòu)思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級封裝 （SiP） 方法，即使用焊料凸塊將半導體芯片排列在二維平面 （2D） 中，具有與尺寸相關(guān)的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術(shù)。對于高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆棧計算架構(gòu)開發(fā)了一種新穎的電源技術(shù)，該架構(gòu)由直接放置在動態(tài)隨機存取存儲器堆棧上方的處理單元組成，標志著 3D 芯片封裝的重大進步。為了實現(xiàn) BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
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2025中國IC設計公司TOP100排行榜
- EDA/IP公司和IDM并不是Fabless類別，但由于數(shù)量較少且和IC設計強相關(guān)也暫時納入了Fabless100的排名中（此排名只統(tǒng)計了A股），幫助大家了解其相對位置。
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Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設計中
- 存儲設備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
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美中關(guān)稅暫時休戰(zhàn)，IC設計業(yè)者態(tài)度謹慎
- 據(jù)媒體報道，美國與中國在瑞士日內(nèi)瓦的談判后，宣布暫時停止關(guān)稅對抗，為期90天。雙方將關(guān)稅降低至10%，但美國對中國芬太尼的關(guān)稅仍未取消，整體新增關(guān)稅維持在30%。科技業(yè)界對此反應冷靜，主要因為此前美國已宣布部分電子產(chǎn)品暫時豁免關(guān)稅。手機、PC、網(wǎng)通與服務器等產(chǎn)品本就未受影響，此次協(xié)議則進一步降低了無線耳機、藍牙音箱、電視、游戲機等消費性電子產(chǎn)品的關(guān)稅。然而，由于這些產(chǎn)品的組裝已部分轉(zhuǎn)移至中國大陸以外地區(qū)，即使關(guān)稅下降，也難以迅速回流至中國生產(chǎn)。IC設計業(yè)者表示，客戶可能會根據(jù)關(guān)稅與生產(chǎn)成本差距，考慮將部分
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3D打印高性能射頻傳感器
- 中國的研究人員開發(fā)了一種開創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構(gòu)建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實現(xiàn)了深溝槽，同時還實現(xiàn)了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 RF 超結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因數(shù) （Q 因子） 和頻率可調(diào)性，而且還將器件占用空間減少了多達 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領(lǐng)域的下一代應用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術(shù)難以滿足對超精細、高縱橫比結(jié)構(gòu)的需求。厚度控制不佳、側(cè)壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴展性。該技術(shù)
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