3d-ic設計 文章 最新資訊
長江存儲全面完成股改，估值已超1600億元
- 總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責任公司（長存集團）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業(yè)估值最高的新晉獨角獸。根據公開信息，2025年4月，養(yǎng)元飲品子公司泉泓、農銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產、工融金投等15家機構同步參與；7月，長存集團新增股東員工持股平臺 —— 武漢市智芯計劃一號至六號企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），上述兩筆
- 關鍵字： 長江存儲 半導體 3D NAND 晶棧 Xtacking
第一次深入真正的3D-IC設計
- 專家在座：半導體工程坐下來討論了對 3D-IC 的初步嘗試以及早期采用者將遇到的問題，西門子 EDA 產品管理高級總監(jiān) John Ferguson;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級產品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機會業(yè)務經理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產品管理高級總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。從左到右：是德科技的 Mueth;Synopsys 的
- 關鍵字： 3D-IC設計
國產廠商切入下一代存儲技術：3D DRAM
- 隨著 ChatGPT 等人工智能應用的爆發(fā)式增長，全球對算力的需求正以指數級態(tài)勢攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強勁的計算芯片，更離不開高性能內存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內存已難以滿足 AI 芯片對數據傳輸速度的要求，而高帶寬內存（HBM）憑借創(chuàng)新的堆疊設計，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關鍵難題，為 AI 應用的高效運行提供了重要支撐。但如今，傳統(tǒng) HBM 已經受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時還能進一步優(yōu)化功耗表現，全球的存儲廠商也普遍將 3D
- 關鍵字： 3D DRAM
汽車應用3D-IC：利用人工智能驅動的EDA工具打破障礙
- 汽車行業(yè)正在經歷重大變革，因為它采用自動駕駛技術和超互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對緊湊型、高性能半導體解決方案的需求不斷增長，這些解決方案能夠應對日益復雜的現代汽車架構。一項有前途的發(fā)展是三維集成電路 （3D-IC），這是一種創(chuàng)新的半導體設計方法，有可能重塑汽車市場。通過垂直堆疊多個芯片，3D-IC 提供卓越的性能、帶寬和能源效率，同時克服車輛系統(tǒng)的關鍵空間和熱限制。然而，盡管 3D-IC 具有潛力，但其設計和實施仍面臨重大挑戰(zhàn)。這就是人工智能驅動的電子設計自動化 （EDA） 工具發(fā)揮至關重要作用
- 關鍵字： 汽車應用 3D-IC 人工智能 EDA工具
實現120層堆疊，下一代3D DRAM將問世
- 高密度 3D DRAM 可能即將到來。
- 關鍵字： 3D DRAM
2.5D/3D 芯片技術推動半導體封裝發(fā)展
- 來自日本東京科學研究所 （Science Tokyo） 的一組研究人員構思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級封裝 （SiP） 方法，即使用焊料凸塊將半導體芯片排列在二維平面 （2D） 中，具有與尺寸相關的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術。對于高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆棧計算架構開發(fā)了一種新穎的電源技術，該架構由直接放置在動態(tài)隨機存取存儲器堆棧上方的處理單元組成，標志著 3D 芯片封裝的重大進步。為了實現 BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
- 關鍵字： 2.5D/3D 芯片技術 半導體封裝
2025中國IC設計公司TOP100排行榜
- EDA/IP公司和IDM并不是Fabless類別，但由于數量較少且和IC設計強相關也暫時納入了Fabless100的排名中（此排名只統(tǒng)計了A股），幫助大家了解其相對位置。
- 關鍵字： IC設計
Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設計中
- 存儲設備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經開發(fā)了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術能夠實現 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
- 關鍵字： Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
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