EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
2nm
2nm 文章 最新資訊
臺(tái)積電 2 納米數(shù)據(jù)泄露暴露脆弱的三角關(guān)系：東京電子、Rapidus 和臺(tái)日半導(dǎo)體沖突
- 在臺(tái)積電的 2 納米節(jié)點(diǎn)在 2025 年下半年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)之前，這家晶圓代工廠解雇了多名員工并就涉嫌泄露敏感數(shù)據(jù)提起訴訟。根據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)和自由時(shí)報(bào)的報(bào)道，這起案件非常敏感——不僅因?yàn)樗婕笆澜缟献钕冗M(jìn)的工藝——而且因?yàn)楸痪辛舻那皢T工是為東京電子（TEL）工作的，東京電子是臺(tái)積電的關(guān)鍵設(shè)備供應(yīng)商，與日本國(guó)家支持的 2 納米挑戰(zhàn)者 Rapidus 關(guān)系密切。TEL 的最新財(cái)報(bào)顯示，中國(guó)臺(tái)灣在其過(guò)去兩個(gè)季度的銷(xiāo)售額中占比約 20%——僅次于中國(guó)，而臺(tái)積電無(wú)疑是其主要客戶(hù)。這種雙重角色使得情況尤其微妙：
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 晶圓代工 2nm
據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電的 2 納米節(jié)點(diǎn)計(jì)劃在 2026 年每月產(chǎn)量達(dá)到 60K，價(jià)格比 3 納米高 50%
- 根據(jù)聯(lián)合報(bào)報(bào)道，臺(tái)積電預(yù)計(jì)明年將擁有四座滿(mǎn)負(fù)荷運(yùn)行的 2 納米晶圓廠，月總產(chǎn)量將達(dá)到 60,000 片。然而，正如 Wccftech 指出的那樣，雖然臺(tái)積電正在準(zhǔn)備大規(guī)模的 2 納米生產(chǎn)，但據(jù)報(bào)道該公司沒(méi)有計(jì)劃向客戶(hù)提供折扣。 聯(lián)合報(bào)援引行業(yè)消息人士稱(chēng)，每片 2 納米晶圓的價(jià)格可能高達(dá) 30,000 美元，比 3 納米晶圓價(jià)格上漲了 50%。值得注意的是，聯(lián)合報(bào)還表示，來(lái)自人工智能相關(guān)客戶(hù)的需求強(qiáng)勁，導(dǎo)致在相同時(shí)期內(nèi)，2 納米的晶圓流片數(shù)量超過(guò)了 3 納米和 5 納米。幾乎所
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 晶圓廠 2nm
三星確認(rèn)Exynos 2600為首款2nm旗艦智能手機(jī)芯片
- 三星的下一款旗艦智能手機(jī)芯片組是 Exynos 2600，它可能會(huì)用于 Galaxy S26 系列。據(jù)傳該芯片是使用三星代工廠的 2nm 制造工藝制造的。考慮到三星可能會(huì)在 2026 年初推出下一代 Galaxy S 系列之前宣布這一消息，并且其他芯片組制造商在其下一代旗艦芯片中都堅(jiān)持使用臺(tái)積電的 3nm 工藝，Exynos 2600 可能是第一款投放市場(chǎng)的 2nm 芯片。好吧，這不再是猜測(cè)了。三星宣布 Exynos 2600 將成為首款采用三星代工 2nm GAA 制造工藝
- 關(guān)鍵字： 三星 Exynos 2600 2nm 旗艦智能手機(jī)芯片
2nm技術(shù)將推動(dòng)臺(tái)積電成為價(jià)值3萬(wàn)億美元的公司
- 隨著英偉達(dá)成為全球第一支站上4萬(wàn)億美元市值的企業(yè)，人們紛紛預(yù)估哪家企業(yè)會(huì)乘借AI的東風(fēng)成為第二支邁上4萬(wàn)億臺(tái)階，雖然目前還沒(méi)有看到目標(biāo)，但是英偉達(dá)成功最大的合作伙伴卻可能成為下一家站上3萬(wàn)億美元市值的公司。臺(tái)積電（紐約證券交易所代碼：TSM）目前估值約為 1.25 萬(wàn)億美元，是全球第九大公司。通常，投資者不會(huì)期望這些大公司能夠產(chǎn)生出色的增長(zhǎng)，因?yàn)槠髽I(yè)規(guī)模越大，增長(zhǎng)就越困難。然而，臺(tái)積電提出了巨大的增長(zhǎng)預(yù)測(cè)，以及一項(xiàng)可能推動(dòng)股價(jià)大幅上漲的新技術(shù)。從今天的 1.25 萬(wàn)億美元估值上升到 3 萬(wàn)億美元估值需要
- 關(guān)鍵字： 2nm 臺(tái)積電
日本啟動(dòng)2nm制程晶圓測(cè)試生產(chǎn)
- 報(bào)道稱(chēng)，日本新創(chuàng)晶圓代工廠商Rapidus的IIM-1廠區(qū)已經(jīng)展開(kāi)對(duì)采用2nm環(huán)繞柵極（GAA）晶體管技術(shù)的測(cè)試晶圓進(jìn)行原型制作，并計(jì)劃在2027年量產(chǎn)。為了支持早期客戶(hù)，Rapidus正在準(zhǔn)備于2026年第一季發(fā)表其制程開(kāi)發(fā)套件（PDK）的第一個(gè)版本。根據(jù)最近披露的數(shù)據(jù)，2023年9月，Rapidus在北海道千歲地區(qū)開(kāi)始建設(shè)其首座晶圓廠IIM-1；2024年4月，晶圓廠的框架、潔凈室和基礎(chǔ)設(shè)備就已完工；2024年12月，引進(jìn)了ASML的EUV光刻機(jī)設(shè)備；2025年4月，啟動(dòng)了中試線，隨后7月成功完成了第
- 關(guān)鍵字： 2nm 制程 晶圓 三星 臺(tái)積電
英特爾積極行動(dòng)：據(jù)報(bào)道，諾瓦湖在臺(tái)積電的 2 納米工藝上量產(chǎn)，18A 良率提升速度加快
- 盡管面臨大規(guī)模裁員，英特爾在其下一代旗艦處理器和 18A 良率方面顯示出積極的進(jìn)展。據(jù) TechPowerUp 和 SemiAccurate 報(bào)道，英特爾的“諾瓦湖-S”客戶(hù)端 CPU 據(jù)報(bào)道已在臺(tái)灣臺(tái)積電的 2 納米工廠完成量產(chǎn)報(bào)道顯示，英特爾幾周前在臺(tái)積電的 2 納米工藝上完成了一個(gè)計(jì)算單元的量產(chǎn)，表明諾瓦湖-S 將可能結(jié)合英特爾 18A 和臺(tái)積電的 N2 技術(shù)用于其計(jì)算單元。據(jù)報(bào)道，這種做法為英特爾提供了一種備用方案，以防 18A 面臨延遲或需求超過(guò)其內(nèi)部產(chǎn)能
- 關(guān)鍵字： 英特爾 CPU 2nm
晶圓代工復(fù)蘇勢(shì)頭強(qiáng)勁 三星接近與高通2nm合作
- 根據(jù)韓國(guó)媒體 Business Post 的報(bào)道，三星電子似乎接近確保高通成為其下一代 2nm 代工工藝的第一個(gè)主要客戶(hù)。這一發(fā)展可能標(biāo)志著三星朝著重振苦苦掙扎的合同芯片制造業(yè)務(wù)邁出了重要一步，該業(yè)務(wù)一直面臨持續(xù)的良率問(wèn)題，并失去了臺(tái)積電的關(guān)鍵客戶(hù)。據(jù)報(bào)道，高通正在使用三星的 2nm 技術(shù)對(duì)多款芯片進(jìn)行量產(chǎn)測(cè)試，包括其即將推出的 Snapdragon 8 Elite 2 移動(dòng)處理器的高級(jí)版本。這款代號(hào)為“Kaanapali”的芯片將有兩種變體?；景姹绢A(yù)計(jì)將由臺(tái)積電使用其 3nm 工藝
- 關(guān)鍵字： 晶圓代工 三星 高通 2nm
高通驍龍新旗艦芯片將采用三星2nm代工，專(zhuān)供三星Galaxy系列
- 據(jù)外媒Business Post報(bào)道，三星計(jì)劃在2026年推出的Galaxy S26系列旗艦智能手機(jī)，除了搭載基于自家2nm制程代工的Exynos 2600芯片外，還將采用高通新一代驍龍8系列旗艦芯片，可能命名為Snapdragon 8 Elite Gen 2。值得注意的是，這款高通芯片將不再由臺(tái)積電獨(dú)家使用N3P制程代工，而是部分交由三星2nm制程代工，專(zhuān)為三星Galaxy系列設(shè)備定制。報(bào)道顯示，高通的下一代芯片策略將有重大調(diào)整，計(jì)劃為新一代驍龍旗艦手機(jī)芯片開(kāi)發(fā)兩個(gè)版本。一個(gè)版本采用臺(tái)積電3nm制程，供
- 關(guān)鍵字： 高通 驍龍 三星 2nm Galaxy
三星接近與高通達(dá)成2納米代工協(xié)議，隨著晶圓代工業(yè)務(wù)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)
- 根據(jù)韓國(guó)媒體 Business Post 的報(bào)道，三星電子似乎即將獲得高通作為其下一代 2 納米晶圓代工工藝的首個(gè)主要客戶(hù)。這一發(fā)展可能標(biāo)志著三星苦苦掙扎的合同芯片制造業(yè)務(wù)復(fù)蘇的重要一步，該業(yè)務(wù)一直面臨持續(xù)的良率問(wèn)題和關(guān)鍵客戶(hù)流失給臺(tái)積電的情況。據(jù)報(bào)道，高通正在使用三星的 2 納米技術(shù)對(duì)數(shù)款芯片進(jìn)行大規(guī)模量產(chǎn)測(cè)試，包括其即將推出的高端版驍龍 8 Elite 2 移動(dòng)處理器。這款芯片的代號(hào)為“Kaanapali”，將提供兩種變體?；A(chǔ)版本預(yù)計(jì)將由臺(tái)積電使用其 3 納米工藝生產(chǎn)，而高端版“Kaanapali
- 關(guān)鍵字： 三星 2nm 晶圓代工
三星優(yōu)先考慮2nm/4nm改進(jìn)，2028-29前不太可能實(shí)現(xiàn)1.4nm
- 據(jù)報(bào)道，隨著主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電和英特爾的目標(biāo)是在 2025 年下半年實(shí)現(xiàn) 2nm 和 18A 的量產(chǎn)，三星也在調(diào)整其業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。據(jù) ZDNet 稱(chēng)，它現(xiàn)在專(zhuān)注于提高和優(yōu)化其當(dāng)前先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，雖然沒(méi)有給出修改后的時(shí)間表，但該報(bào)告表明，三星的 1.4nm 生產(chǎn)現(xiàn)在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前開(kāi)始。據(jù) ZDNet 稱(chēng)，該更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高級(jí)代工生態(tài)系統(tǒng)）論壇 2025”期間發(fā)布的。據(jù)報(bào)道，在此次活動(dòng)中，三星透
- 關(guān)鍵字： 三星 2nm 4nm 1.4nm
三星推動(dòng)2納米技術(shù)突破，業(yè)界押注臺(tái)積電3納米鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管
- 市場(chǎng)傳言越來(lái)越多，稱(chēng)三星正在積極將資源轉(zhuǎn)向 2 納米開(kāi)發(fā)，計(jì)劃明年在其德克薩斯州工廠推出下一代工藝，可能試圖超越臺(tái)積電。然而，據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的消息人士稱(chēng)， 商業(yè)時(shí)報(bào)報(bào)道，三星當(dāng)前的 3 納米 GAAFET 技術(shù)大致與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的 4 納米鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管節(jié)點(diǎn)相當(dāng)，這引發(fā)了對(duì)其即將到來(lái)的 2 納米工藝可能仍不及臺(tái)積電最強(qiáng)大的 3 納米鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管一代的擔(dān)憂(yōu)。同時(shí)，臺(tái)積電繼續(xù)擴(kuò)展其 3 納米工藝系列，包括 N3X、N3C 和 N3A 等不同應(yīng)用變體。該報(bào)告指出，這些節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將仍然是主要客戶(hù)的首選。
- 關(guān)鍵字： 三星 臺(tái)積電 2nm 制程工藝
2納米芯片制造激烈競(jìng)爭(zhēng)：良率差距顯著
- 在持續(xù)進(jìn)行的半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)中，臺(tái)積電和三星電子正激烈爭(zhēng)奪2納米芯片制造的領(lǐng)先地位。據(jù)最新報(bào)道，兩家公司計(jì)劃于2025年下半年開(kāi)始2納米芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。然而，由于良率優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電在獲取訂單方面處于領(lǐng)先地位。臺(tái)積電已開(kāi)始接收其 2 納米工藝的訂單，預(yù)計(jì)將在其新竹寶山和高雄晶圓廠進(jìn)行生產(chǎn)。這標(biāo)志著該公司首次采用環(huán)繞柵極（GAA）架構(gòu)。新工藝預(yù)計(jì)將比當(dāng)前的 3 納米工藝提升 10%至 15%的性能，降低 25%至 30%的功耗，并增加 15%的晶體管密度。主要客戶(hù)據(jù)報(bào)包括 AMD、蘋(píng)果、英偉達(dá)、高通和聯(lián)發(fā)科。值
- 關(guān)鍵字： 制程 2nm 三星 臺(tái)積電
臺(tái)積電2nm良率曝光
- 在技術(shù)驅(qū)動(dòng)型產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體行業(yè)始終走在全球科技變革的最前沿。2024年，臺(tái)積電（TSMC）正式啟動(dòng)2nm制程（N2）試產(chǎn)，每片晶圓的代工報(bào)價(jià)高達(dá)3萬(wàn)美元，再次引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。最新數(shù)據(jù)顯示，得益于存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)化，臺(tái)積電2nm制程自去年7月在新竹寶山晶圓廠風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)以來(lái)，良率從去年底的60%快速攀升至當(dāng)前的90%（256Mb SRAM）。從3nm節(jié)點(diǎn)的初期投產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)看，良率爬坡是一大挑戰(zhàn)。但憑借3nm節(jié)點(diǎn)200萬(wàn)片晶圓的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，將2nm工藝開(kāi)發(fā)周期壓縮至18個(gè)月，良率僅用9個(gè)月便從30%提升至60%，
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 2nm AI 蘋(píng)果 晶圓
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473