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          EEPW首頁(yè) > EDA/PCB > 編輯觀點(diǎn) > 臺(tái)積電尖端制程正在加速轉(zhuǎn)移到美國(guó):2nm生產(chǎn)線僅比中國(guó)臺(tái)灣投產(chǎn)晚一年

          臺(tái)積電尖端制程正在加速轉(zhuǎn)移到美國(guó):2nm生產(chǎn)線僅比中國(guó)臺(tái)灣投產(chǎn)晚一年

          作者:陳玲麗 時(shí)間:2025-08-05 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          據(jù)報(bào)道,目前正在亞利桑那州的Fab P3工廠籌備(N2)生產(chǎn)線,最早可能在2026年投產(chǎn),這僅比在中國(guó)臺(tái)灣本土的生產(chǎn)線投產(chǎn)晚一年,此前“海外工廠技術(shù)至少落后一代”的承諾徹底失效。

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          未來(lái)甚至或許有更激進(jìn)的規(guī)劃,后續(xù)第四座晶圓廠可能直接導(dǎo)入1.4nm(A14)工藝,真正與美國(guó)實(shí)現(xiàn)“技術(shù)零時(shí)差”的。官網(wǎng)信息顯示,與領(lǐng)先業(yè)界的N2制程相比,A14將在相同功耗下,提升達(dá)15%的速度;或在相同速度下,降低達(dá)30%的功率,同時(shí)邏輯密度增加超過(guò)20%。

          技術(shù)遷移速度遠(yuǎn)超預(yù)期

          臺(tái)積電宣布將最先進(jìn)的制程技術(shù)加速轉(zhuǎn)移至美國(guó)亞利桑那州生產(chǎn)基地,這一決策標(biāo)志著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的劇變 —— 此前臺(tái)積電曾公開(kāi)承諾“海外工廠技術(shù)至少落后一代”,但如今美國(guó)工廠的制程已明確基本將與臺(tái)灣本土同步推進(jìn),標(biāo)志著其全球布局邏輯發(fā)生根本性顛覆,這場(chǎng)技術(shù)遷徙更是美國(guó)重構(gòu)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的野心與全球化退潮的殘酷現(xiàn)實(shí)。根據(jù)規(guī)劃,美國(guó)工廠將承載臺(tái)積電30%的2nm產(chǎn)能,結(jié)合3nm/4nm等其他制程,美國(guó)基地總產(chǎn)能占比將突破40%。

          美國(guó)正利用其強(qiáng)大的市場(chǎng)吸引力、政治影響力和技術(shù)儲(chǔ)備,試圖重新將全球價(jià)值鏈的關(guān)鍵環(huán)節(jié)錨定在本土。目前,臺(tái)積電在美國(guó)的投資已追加至1650億美元,遠(yuǎn)超初期計(jì)劃,其亞利桑那州基地將建設(shè)6座晶圓廠、2座先進(jìn)封裝廠和1座研發(fā)中心,首次在北美構(gòu)建從晶圓到成品的完整生態(tài)系統(tǒng)閉環(huán)。臺(tái)積電正打破「制造-封裝分離」的傳統(tǒng)模式,配套建設(shè)的先進(jìn)封裝廠將引入SoIC及CoPos等3D集成技術(shù),終結(jié)當(dāng)前“美國(guó)造晶圓、臺(tái)灣做封裝”的割裂流程。

          能源問(wèn)題則是相對(duì)尷尬的存在,臺(tái)積電年耗電占全島總量10%、用水占10%,2nm量產(chǎn)后電力需求將再增15%。有限的能源與土地資源無(wú)法支撐臺(tái)積電持續(xù)擴(kuò)產(chǎn),而美國(guó)在能源價(jià)格(頁(yè)巖氣補(bǔ)貼)和基礎(chǔ)設(shè)施上的優(yōu)勢(shì),為先進(jìn)制程的耗能問(wèn)題提供出口。

          同時(shí),特朗普政府正在通過(guò)監(jiān)管措施為這家芯片巨頭提供支持。美國(guó)財(cái)政部長(zhǎng)斯科·貝森特(Scott Bessent)透露,臺(tái)積電亞利桑那州工廠目前僅能滿(mǎn)足美國(guó)芯片需求的7%,而其發(fā)展受限的一個(gè)重要原因是過(guò)度監(jiān)管導(dǎo)致項(xiàng)目延誤,頻繁的監(jiān)管干預(yù)給臺(tái)積電的項(xiàng)目推進(jìn)帶來(lái)了巨大挑戰(zhàn)。特朗普政府正專(zhuān)注于解決監(jiān)管問(wèn)題,通過(guò)簡(jiǎn)化流程幫助臺(tái)積電在美國(guó)建立更高效的供應(yīng)鏈。然而,鑒于美國(guó)芯片需求的規(guī)模,臺(tái)積電可能需要數(shù)年時(shí)間才能建立一個(gè)完整的供應(yīng)鏈。

          這場(chǎng)技術(shù)遷徙的代價(jià)同樣觸目驚心。臺(tái)積電前董事長(zhǎng)劉德音曾警示,技術(shù)移美可能導(dǎo)致數(shù)百億美元損失;創(chuàng)始人張忠謀更直言美國(guó)制造存在“成本高企與人才荒漠”的雙重困境,赴美投資實(shí)為“昂貴、浪費(fèi)又白忙一場(chǎng)”。AMD CEO蘇姿豐證實(shí),美國(guó)生產(chǎn)的芯片成本較臺(tái)灣高出5%-20%,而供應(yīng)鏈短板迫使臺(tái)積電不得不自建特種氣體、設(shè)備維護(hù)等配套體系,進(jìn)一步推高運(yùn)營(yíng)復(fù)雜度。

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          臺(tái)積電展開(kāi)高雄2nm第二座廠(P2)廠設(shè)備裝機(jī)

          供應(yīng)鏈傳出,最近臺(tái)積電位于高雄楠梓科學(xué)園區(qū)第一座晶圓廠(F22廠P1)邁入量產(chǎn)新里程碑,月產(chǎn)能在1萬(wàn)片左右。另外,經(jīng)過(guò)近4個(gè)月的廠房趕工、建置無(wú)塵室等廠務(wù)工程后,高雄2nm第二座廠(P2)進(jìn)入裝機(jī)階段,預(yù)計(jì)今年底前加入試產(chǎn)行列,P1、P2規(guī)劃今年共可達(dá)3.5萬(wàn)片月產(chǎn)能。

          臺(tái)積電2nm首度采納米片(Nanosheet)架構(gòu),試產(chǎn)良率先前傳出達(dá)65%,顯著超越英特爾的18A、三星的SF2。不過(guò),臺(tái)積電不透露良率多少,但強(qiáng)調(diào)比外界預(yù)期更好,且受惠AI相關(guān)客戶(hù)需求熱,2nm在頭兩年設(shè)計(jì)定案數(shù)量的高于5/3nm同期表現(xiàn),并預(yù)估5年內(nèi)驅(qū)動(dòng)全球達(dá)2.5兆美元終端產(chǎn)品價(jià)值。業(yè)界傳出,臺(tái)積電近期向升陽(yáng)半導(dǎo)體提出追加再生晶圓的需求,顯見(jiàn)2nm先進(jìn)制程訂單增加超過(guò)預(yù)期。

          美國(guó)公布對(duì)臺(tái)征收20%的“對(duì)等關(guān)稅”

          臺(tái)積電目前市值約為1.25萬(wàn)億美元,是全球第九大公司,仍將推動(dòng)臺(tái)積電進(jìn)一步增長(zhǎng),預(yù)計(jì)從2025年開(kāi)始,未來(lái)五年其收入將以近20%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。臺(tái)積電在7月的法說(shuō)會(huì)上曾提到,2025下半年尚未看到客戶(hù)的行為有任何改變,然而了解關(guān)稅政策存在著不確定性和風(fēng)險(xiǎn)等潛在影響,尤其對(duì)于消費(fèi)者相關(guān)及價(jià)格敏感的終端市場(chǎng)更是如此。臺(tái)積電終端應(yīng)用當(dāng)中,仍有約近四成屬于消費(fèi)領(lǐng)域,雖然占比六成的AI等高速運(yùn)算(HPC)可望續(xù)強(qiáng),但其余消費(fèi)應(yīng)用全數(shù)受到關(guān)稅與景氣變化干擾。并有可能在相當(dāng)短的時(shí)間內(nèi)推動(dòng)其估值達(dá)到3萬(wàn)億美元。

          7月31日,美國(guó)總統(tǒng)特朗普簽署行政令,對(duì)臺(tái)灣征收20%關(guān)稅,高于主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手日本和韓國(guó)的15%,新稅率將于8月7日生效實(shí)施。疊加新臺(tái)幣兌美元12%的匯率損失,臺(tái)灣廠商將面臨高達(dá)32%的綜合成本負(fù)擔(dān),直接削弱臺(tái)灣企業(yè)在國(guó)際市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力,其中工具機(jī)、模具、塑膠制品與電子材料等產(chǎn)業(yè)是重災(zāi)區(qū)。

          在今年4月宣布的稅率中,臺(tái)灣地區(qū)為32%,而根據(jù)白宮公布的最新名單,臺(tái)灣地區(qū)本次也未能獲得豁免。據(jù)路透社報(bào)道,臺(tái)灣團(tuán)隊(duì)直到7月30日仍在華盛頓,和美方密集協(xié)商,最后雖將稅率從32%降為20%,不過(guò)仍被歸類(lèi)為貿(mào)易關(guān)系未達(dá)互惠標(biāo)準(zhǔn)的對(duì)象之一。

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          臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)研究院研究員邱達(dá)生解讀,20%絕非最終稅率,因?yàn)槊绹?guó)絕不會(huì)滿(mǎn)足于僅征收關(guān)稅而不附加其他條件,將放寬汽車(chē)市場(chǎng)準(zhǔn)入限制、巨額對(duì)美投資、農(nóng)業(yè)市場(chǎng)開(kāi)放等捆綁為換取稅率調(diào)降的必付代價(jià)。參考日本、韓國(guó)、歐盟等案例,低關(guān)稅背后往往是巨額投資與采購(gòu)承諾:日本為15%關(guān)稅承諾對(duì)美投資5500億美元并開(kāi)放汽車(chē)、農(nóng)產(chǎn)品進(jìn)口;韓國(guó)以3500億美元投資加1000億美元能源采購(gòu)換取同等稅率;歐盟則以投資6000億美元并購(gòu)買(mǎi)7500億美元能源作為交換。

          值得注意的是,這次只是“對(duì)等關(guān)稅”的更新,而對(duì)等關(guān)稅稅率并不適用在關(guān)稅豁免清單及新增豁免項(xiàng)目的美國(guó)總統(tǒng)備忘錄,包括半導(dǎo)體、伺服器、藥品原料、關(guān)鍵零組件、礦產(chǎn)與化工材料等商品,皆被排除于新關(guān)稅之外。因此,目前僅有25.2%臺(tái)灣輸美產(chǎn)品受到本輪關(guān)稅影響,換言之,此次稅率可以視為是臺(tái)美關(guān)稅激烈協(xié)商“前哨戰(zhàn)”。

          美方接下來(lái)即將公布的「232條款」更關(guān)鍵,其調(diào)查范圍遠(yuǎn)超一般關(guān)稅,涵蓋硅晶圓等芯片零組件、芯片制造設(shè)備及含半導(dǎo)體的終端產(chǎn)品,直接瞄準(zhǔn)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)的核心支柱。美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)霍華德·盧特尼克(Howard Lutnick)表示將在兩周內(nèi)公布調(diào)查結(jié)果,而特朗普此前曾提出對(duì)進(jìn)口芯片另征25%關(guān)稅,最早在9月中旬至10月初就有可能實(shí)施新的半導(dǎo)體關(guān)稅。一旦稅率落地,對(duì)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)無(wú)疑具有莫大殺傷力。

          臺(tái)系廠商加速赴美國(guó)建廠

          受美國(guó)即將公布的“232條款”調(diào)查及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)稅率的影響,將刺激臺(tái)系半導(dǎo)體及電子供應(yīng)鏈廠商加速赴美國(guó)建廠。環(huán)球晶圓持續(xù)擴(kuò)大美國(guó)產(chǎn)能,今年5月宣布其美國(guó)首座12英寸半導(dǎo)體半導(dǎo)體硅片廠正式啟用,并追加40億美元投資,使得總投資達(dá)到75億美元;聯(lián)電與英特爾的12nm合作案更有助于鞏固其在美國(guó)本地的生產(chǎn)能力;全球最大半導(dǎo)體封測(cè)廠商日月光在今年第二季度明確表示,正積極規(guī)劃赴美國(guó)建設(shè)封測(cè)產(chǎn)能。此外,臺(tái)系半導(dǎo)體設(shè)備及測(cè)試廠也均已擴(kuò)大在美國(guó)的半導(dǎo)體后段服務(wù),包括穎崴、旺硅及中華精測(cè)均已在美國(guó)設(shè)立子公司。

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          電子代工廠方面,以服務(wù)器包含的半導(dǎo)體芯片價(jià)值量最高,為降低美國(guó)關(guān)稅的影響,臺(tái)系服務(wù)器代工大廠紛紛開(kāi)始赴美建廠或進(jìn)一步擴(kuò)大在當(dāng)?shù)氐漠a(chǎn)能。鴻海在今年3月下旬公告稱(chēng),子公司美國(guó)鴻佰科技斥資1.42億美元,取得美國(guó)德克薩斯州休斯敦的土地及廠房;廣達(dá)今年四度公告注資美國(guó),用以租廠并改善廠房設(shè)備,全力應(yīng)對(duì)美國(guó)客戶(hù)需求;緯創(chuàng)今年4月宣布將新設(shè)美國(guó)子公司W(wǎng)IUS,首度在美國(guó)建立大規(guī)模AI產(chǎn)品制造基地,隨后又進(jìn)一步將對(duì)美國(guó)投資額擴(kuò)大至7.2億美元;緯創(chuàng)子公司緯穎也在今年2月底宣布將赴美國(guó)德克薩斯州設(shè)廠,對(duì)美國(guó)子公司W(wǎng)YMUS增資3億美元。

          在這場(chǎng)深刻轉(zhuǎn)變中,中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)自身正陷入前所未有的結(jié)構(gòu)性困境。盡管本土技術(shù)領(lǐng)先地位短期內(nèi)仍能保留,如70%的2nm核心產(chǎn)能,但隨著產(chǎn)業(yè)鏈條因全球區(qū)域化而被強(qiáng)制拉伸:已有超過(guò)50家關(guān)鍵臺(tái)灣設(shè)備與材料供應(yīng)商隨臺(tái)積電大舉赴美投資,長(zhǎng)期發(fā)展面臨著核心研發(fā)資源被稀釋、高端訂單被持續(xù)分流以及完整產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì)逐步瓦解的風(fēng)險(xiǎn)。

          臺(tái)積電77%的營(yíng)收來(lái)自北美客戶(hù)(蘋(píng)果、英偉達(dá)、AMD等),而這些科技巨頭在《芯片法案》壓力下要求“在地化生產(chǎn)”以保障供應(yīng)鏈安全,所以對(duì)這家中國(guó)臺(tái)灣巨頭來(lái)說(shuō),在美國(guó)建立強(qiáng)大的芯片網(wǎng)絡(luò)至關(guān)重要。臺(tái)積電的決定絕非孤例,而是整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球政治經(jīng)濟(jì)格局劇變下深刻裂變的集中體現(xiàn)。

          未來(lái)五年,納米時(shí)代的權(quán)力分配將取決于兩大核心:量產(chǎn)能力與地緣適配性,而地緣風(fēng)險(xiǎn)正重塑游戲規(guī)則。美國(guó)對(duì)EUV光刻機(jī)的出口管制、日本在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的壟斷(全球52%份額),以及歐盟對(duì)成熟制程的本土化扶持,都在加速全球供應(yīng)鏈從“全球化分工”轉(zhuǎn)向“區(qū)域化堡壘”。對(duì)于大陸產(chǎn)業(yè)而言,突破先進(jìn)制程瓶頸、實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化設(shè)備替代與完善本土產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)系統(tǒng)(如EDA工具、材料、以及核心IDM廠商的協(xié)同)則是長(zhǎng)期而艱巨的任務(wù)。


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