閃存文章最新資訊

全球首顆混合架構閃存芯片，我國有望顛覆傳統(tǒng)存儲器體系

10月8日，復旦大學集成電路與微納電子創(chuàng)新學院周鵬、劉春森團隊在《自然》（Nature）期刊上發(fā)表題為《全功能二維-硅基混合架構閃存芯片》（A full-featured 2D flash chip enabled by system integration）論文，率先研發(fā)出全球首顆二維-硅基混合架構閃存芯片。復旦大學集成電路與微納電子創(chuàng)新學院、集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室研究員劉春森和教授周鵬為論文通訊作者，劉春森研究員和博士生江勇波、沈伯僉、袁晟超、曹振遠為論文第一作者。今年4月，周鵬、劉春森團隊研發(fā)
關鍵字：閃存芯片存儲器

美眾議院“中美戰(zhàn)略競爭特別委員會”發(fā)布涉華半導體關鍵設備出口調查報告

根據(jù)SEMI和SEAJ的數(shù)據(jù)，2025年第二季度全球半導體制造設備支出總計330.7億美元，2025年第二季度的支出較2024年第二季度增長23%。其中，中國大陸的支出最高，為113.6億美元，占總支出的34%。值得注意的是，中國大陸2025年第二季度的支出較2024年第二季度下降了7%。10月7日，美國眾議院“中美戰(zhàn)略競爭特別委員會”兩黨議員在經(jīng)過數(shù)月的調查之后發(fā)現(xiàn)，包括荷蘭的阿斯麥（ASML）、日本的東京電子（TEL）以及美國的應用材料公司（Applied Materials）、科磊（KLA）和泛林集
關鍵字：半導體芯片閃存 ASML 東京電子應用材料

中國研究團隊在半導體領域取得新突破，基于 DRAM 原理

目前，在自動駕駛、智能家居系統(tǒng)和工業(yè)控制等領域，對邊緣智能硬件的需求日益增加，以在本地處理傳感器和智能設備生成的實時環(huán)境數(shù)據(jù)，從而最小化決策延遲。能夠精確模擬各種生物神經(jīng)元行為的神經(jīng)形態(tài)硬件有望推動超低功耗邊緣智能的發(fā)展?，F(xiàn)有研究已探索具有突觸可塑性（即通過自適應變化來增強或減弱突觸連接）的硬件，但要完全模擬學習和記憶過程，多種可塑性機制——包括內(nèi)在可塑性——必須協(xié)同工作。為解決這一問題，由復旦大學微電子學院包文忠教授、集成電路與微納電子創(chuàng)新學院周鵬教授以及香港理工大學蔡陽教授領銜的聯(lián)合研究團隊提出了一種
關鍵字： DRAM 閃存半導體

鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲器開始送樣

全球存儲解決方案領導者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術的?512Gb TLC存儲器已開始送樣（1）。該產(chǎn)品計劃于?2025?年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產(chǎn)品也將集成到鎧俠的企業(yè)級固態(tài)硬盤中，特別是需要提升?AI?系統(tǒng)?GPU?性能的應用。為應對尖端應用市場的多樣化需求，同時提供兼具投資效益與競爭力的產(chǎn)品，鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行
關鍵字：鎧俠 3D 閃存 TLC存儲器閃存 3D閃存

閃存，是如何工作的？

NAND閃存將單元串聯(lián)排列以實現(xiàn)高密度存儲，優(yōu)先考慮寫入/擦除速度而不是直接尋址。
關鍵字：閃存 NAND

復旦大學研發(fā)出史上最快閃存，每秒操作25億次！

近日，復旦大學團隊研發(fā)出一種名為“破曉（PoX）”的皮秒級閃存器件，其擦寫速度達到亞納秒級別，比現(xiàn)有技術快1萬倍，數(shù)據(jù)保存年限據(jù)實驗外推可達十年以上。相關研究成果已登上國際頂級期刊《Nature》。該項目由復旦大學集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室、芯片與系統(tǒng)前沿技術研究院的周鵬-劉春森團隊完成。周鵬教授現(xiàn)任復旦大學微電子學院副院長，長期致力于集成電路新材料與新器件的研究。劉春森博士為青年研究員，與周鵬教授共同擔任論文通訊作者。傳統(tǒng)閃存器件中，硅材料的性能受限于電子有效質量和聲子散射等因素，導致熱載流子注入效率
關鍵字：復旦大學閃存

SK海力士完成與英特爾的最終交割

SK海力士將于2025年3月（協(xié)議預設的最早時間點）支付收購尾款，完成與英特爾NAND閃存業(yè)務的最終交割。隨著交易的完成，將加強SK海力士在全球NAND閃存市場的地位，尤其是企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）方面。隨著AI技術的普及和應用，存儲需求正在不斷增長，HBM領域的領導者SK海力士卻沒有停止擴張的步伐，這次收購將使SK海力士與競爭對手三星展開直接競爭?！?2020年10月，SK海力士與英特爾達成協(xié)議，宣布以90億美元收購其NAND閃存及存儲業(yè)務；· 2021年12月，第一階段的交易完成，SK海力士支付70億
關鍵字： SK海力士英特爾 NAND 閃存

十年磨一劍：三星引入長江存儲專利技術

近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關專利許可協(xié)議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術實現(xiàn)?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
關鍵字：三星長江存儲 NAND 混合鍵合晶棧 Xtacking 閃存

西部數(shù)據(jù)宣布完成閃存業(yè)務分拆計劃

當?shù)貢r間2月24日，NAND Flash廠商西部數(shù)據(jù)（Western Digital ）正式宣布，已成功完成對閃存業(yè)務的分拆計劃。圖片來源：西部數(shù)據(jù)據(jù)悉，分拆后的閃存業(yè)務將重新以獨立的閃迪（Sandisk）公司名義運營，由原西部數(shù)據(jù)CEO David Goeckeler轉任閃迪CEO，而西部數(shù)據(jù)則將再次專注于機械硬盤HDD業(yè)務，由現(xiàn)任全球運營執(zhí)行副總裁Irving Tan出任CEO。2016年，西部數(shù)據(jù)以190億美元的高價收購了閃迪，并在2020年將閃存與HDD整合成兩大獨立業(yè)務部門。不過在2022年，存
關鍵字：存儲大廠閃存西部數(shù)據(jù)

兩項閃存技術革新，美光、鎧俠各有動作

DeepSeek等AI模型驅動之下，存儲器市場備受青睞。長遠來看，AI等熱潮將推動NAND Flash市場需求上漲，高容量存儲需求有望為NAND Flash（閃存）市場提供新的增長動力。這一過程中，少不了技術升級與產(chǎn)品迭代。值得一提的是，為了提升存儲技術的創(chuàng)新能力和市場競爭力，一些存儲廠商之間正在進行技術共享和聯(lián)合研發(fā)的合作。近期，美光、鎧俠等公司閃存技術迎來革新，涉及3D NAND Flash與PCIe 6.0 SSD。鎧俠X閃迪革新3D閃存技術：4.8Gbps、332層堆疊！在近期召開的2025年IE
關鍵字：閃存美光鎧俠

從閃存到MRAM：滿足現(xiàn)代FPGA配置的需求

在技術飛速發(fā)展的今天，新興的航空電子、關鍵基礎設施和汽車應用正在重新定義人們對現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應用；然而，隨著技術的進步以及對更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲選項。這種轉變的催化劑在于應用和行業(yè)的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應用的極限，要求在數(shù)據(jù)完整性、系統(tǒng)耐用性和運行效率等方面更進一步?，F(xiàn)代應用需要更先進的功能1.更高的耐用性和可靠性：高級駕駛輔助系統(tǒng)和先進的互連航空電子技術等應用
關鍵字：閃存 MRAM FPGA 萊迪思

NAND閃存再減產(chǎn)：三星、SK海力士將至少削減10%

據(jù)報道，NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產(chǎn)計劃。當前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領域，似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續(xù)下滑，這一趨勢使得供應商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態(tài)度。長期的價格疲軟無疑將進一步壓縮企業(yè)的利潤空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實施更為激進的減產(chǎn)措施，將NAND閃存產(chǎn)量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時，N
關鍵字： NAND 閃存三星 SK海力士

NAND價格能否“觸底反彈”？

全球NAND閃存價格已連續(xù)四個月下跌，為應對這一不利局面，廠商開始減產(chǎn)以平衡供求，進而穩(wěn)定價格。美光率先宣布將減產(chǎn)，隨后三星也被曝出將調整其韓國本土的NAND產(chǎn)量以及中國西安工廠的開工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力士也計劃削減產(chǎn)量。
關鍵字： NAND 三星閃存美光 SK海力士

應對降價：三星大幅減產(chǎn)西安工廠NAND閃存！

1月13日消息，據(jù)媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產(chǎn)，以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產(chǎn)品的價格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產(chǎn)量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產(chǎn)線也將調整其供應，導致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產(chǎn)措施，當時
關鍵字：三星 NAND 閃存存儲卡 U盤晶圓 SK海力士鎧俠西部數(shù)據(jù) 美光長江存儲

TrendForce：預計 Q4 NAND Flash 合約價將下調 3% 至 8%

IT之家?10 月 15 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新調查，NAND Flash 產(chǎn)品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價于第三季率先下跌，預期第四季跌幅將擴大至 10% 以上。IT之家注意到，模組產(chǎn)品部分，除了 Enterprise SSD 因訂單動能支撐，有望于第四季小漲 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因買家的終端產(chǎn)品銷售不如預期，采購策略更加保守。TrendForce 預估，第四季 NAND Flash 產(chǎn)品整體合約價將出現(xiàn)季減 3% 至
關鍵字： NAND 閃存存儲市場分析

共581條 1/39 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]