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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 閃存

          閃存 文章 最新資訊

          要買(mǎi)的抓緊了 內(nèi)存閃存年底可能要減產(chǎn)漲價(jià)

          • 中關(guān)村在線消息:這近兩年以來(lái)的內(nèi)存和閃存價(jià)格都在下跌,做為我們消費(fèi)者自然是再高興不過(guò)了,但像美光這樣的廠商都有點(diǎn)扛不住了。據(jù)美光發(fā)布的最新季度財(cái)報(bào),這家公司的營(yíng)收下滑了40%,凈利潤(rùn)更是暴跌78%,而其主要原因正是內(nèi)存閃存市場(chǎng)價(jià)格的下跌。對(duì)此,美光計(jì)劃在2020財(cái)年(也就是大約今年四季度)開(kāi)始縮減資本支出,以減少內(nèi)存閃存的產(chǎn)能,希望借此改變市場(chǎng)供需關(guān)系。這就意味著,從今年四季度開(kāi)始,內(nèi)存閃存的價(jià)格可能會(huì)有所上漲,反映到消費(fèi)市場(chǎng)自然就是我們買(mǎi)起來(lái)會(huì)貴了。所以如果有購(gòu)買(mǎi)內(nèi)存閃存計(jì)劃的網(wǎng)友們,可以考慮提前準(zhǔn)備。
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  閃存  

          想買(mǎi)SSD的現(xiàn)在該出手了 NAND報(bào)價(jià)預(yù)計(jì)將在Q2至Q3間止跌

          • NAND閃存的價(jià)格一跌再跌,2019年第一季度TLC閃存的晶圓合約價(jià)下跌了19~28%,eMMC/UFS類閃存合約價(jià)下跌了15~20%,消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格跌了17~31%,企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)跌了26~32%。即使現(xiàn)在SSD的價(jià)格已經(jīng)白菜價(jià),但是也有人在想等它再跌些再買(mǎi),那么或許現(xiàn)在該出手了。因?yàn)閾?jù)行業(yè)人士預(yù)測(cè),預(yù)計(jì)NAND報(bào)價(jià)將在Q2至Q3間止跌。
          • 關(guān)鍵字: 閃存  SSD  

          閃存價(jià)格暴跌四分之一 東芝閃存部門(mén)Q1虧損2億美元

          • 截至今年Q2季度,NAND閃存始于2018年Q1季度的降價(jià)已經(jīng)持續(xù)了6個(gè)季度,此舉導(dǎo)致NAND閃存均價(jià)大幅下滑,消費(fèi)者買(mǎi)大容量手機(jī)、SSD硬盤(pán)倒是便宜了很多,只不過(guò)上游的NAND供應(yīng)商業(yè)績(jī)就難看多了。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  財(cái)報(bào)  閃存  

          Intel:NAND閃存不再新建廠 傲騰轉(zhuǎn)向中國(guó)生產(chǎn)

          • NAND閃存持續(xù)供過(guò)于求,價(jià)格不斷走低,消費(fèi)者們很高興,廠商們很不爽,Intel就在近日的投資者大會(huì)上披露,可預(yù)期的未來(lái)內(nèi)也不會(huì)再建設(shè)新的閃存工廠。
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  閃存  3D XPoint  傲騰  

          K Hynix出樣96層堆棧QLC閃存 16TB硬盤(pán)不是夢(mèng)

          • NAND閃存價(jià)格從2018年初到現(xiàn)在已經(jīng)連跌6個(gè)季度了,廠商一方面在削減產(chǎn)能以控制供需情況,另一方面也在加強(qiáng)低成本的NAND閃存開(kāi)發(fā),今年就會(huì)開(kāi)始從TLC閃存向QLC閃存轉(zhuǎn)變。SK Hynix去年底宣布了96層堆棧的QLC閃存,號(hào)稱是首個(gè)4D NAND閃存,今天該公司宣布正式出樣96層QLC閃存,核心容量1Tbit。
          • 關(guān)鍵字: 閃存  SK海力士  QLC閃存  

          產(chǎn)業(yè)高點(diǎn)已過(guò),2019年閃存價(jià)格恐跌40%

          •   CINNOResearch對(duì)閃存供應(yīng)商及其上下游供應(yīng)鏈調(diào)查顯示,在64層的3D-NAND良率更為成熟,需求端受到中美貿(mào)易戰(zhàn)壓縮的情況下,NANDFlash行業(yè)供過(guò)于求的情況持續(xù)加劇,各家廠商以更為積極的降價(jià)來(lái)刺激出貨成長(zhǎng),也因此第三季度閃存平均銷售單價(jià)普遍較第二季度下滑15-20%,而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關(guān)系,第三季成長(zhǎng)幅度來(lái)到20-25%,整體第三季閃存產(chǎn)值達(dá)到172億美元,季成長(zhǎng)約為5%,值得注意的是,也是近三年來(lái)在第三季度旺季期間表現(xiàn)最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
          • 關(guān)鍵字: 閃存  3D-NAND  

          提高3D NAND性能、可靠性和良率的 考慮因素

          •   前言  多年來(lái),全球的非易失存儲(chǔ)功能都仰仗于 NAND 閃存技術(shù)。其用途已經(jīng)從單純的閃存驅(qū)動(dòng)器擴(kuò)展到筆記本電腦、智能手機(jī)和平板電腦,如今又?jǐn)U展至云端存儲(chǔ)操作所需固態(tài)存儲(chǔ)記憶體。隨著時(shí)間的推移,結(jié)構(gòu)上的逐漸演進(jìn)已滿足對(duì)存儲(chǔ)容量增加、尺寸縮小和可靠度提升上的不斷需求,而且此技術(shù)已經(jīng)驗(yàn)證,可提供高性能,低功耗,并和以前的固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)相比,每存儲(chǔ)單位比特成本更低,其價(jià)值不言而喻?! ∽畛酰琋AND 閃存制造商使用多重圖案化技術(shù)來(lái)縮小尺寸,從而增加存儲(chǔ)密度,降低相對(duì)應(yīng)成本。遺憾的是,2D 或平面 NAND 閃存
          • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  

          貿(mào)澤9月新添300余新品

          •     致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名分銷商貿(mào)澤電子 (MouserElectronics),首要任務(wù)是提供來(lái)自全球700多家廠商的新產(chǎn)品與技術(shù),幫助客戶設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品,并加快產(chǎn)品上市速度。     貿(mào)澤2018年9月發(fā)布了超過(guò)302種新品,這些產(chǎn)品均可以當(dāng)天發(fā)貨。     貿(mào)澤上月引入的部分產(chǎn)品包括:Micron串行NOR閃存 Micron串行NOR閃存具有先進(jìn)的接口和低引腳數(shù),簡(jiǎn)單易用,是適用于代碼映射應(yīng)用的簡(jiǎn)單解決方案。先進(jìn)的安全技
          • 關(guān)鍵字: FPGA  閃存  

          大容量時(shí)代:閃存市場(chǎng)競(jìng)逐5G機(jī)遇

          •   5G時(shí)代的漸行漸近。對(duì)消費(fèi)群體而言,5G帶來(lái)的是高帶寬低延遲的使用效果;對(duì)于企業(yè)端尤其是閃存大廠來(lái)說(shuō),則是新的機(jī)遇。在近日舉行的“中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(CFMS20  5G時(shí)代的漸行漸近?! ?duì)消費(fèi)群體而言,5G帶來(lái)的是高帶寬低延遲的使用效果;對(duì)于企業(yè)端尤其是閃存大廠來(lái)說(shuō),則是新的機(jī)遇?! ≡诮张e行的“中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(CFMS2018)”上,中國(guó)閃存市場(chǎng)總經(jīng)理邰煒表示,2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1500億美元,其中NANDFlash(閃存存儲(chǔ)器)將超過(guò)570億美元,而中國(guó)消耗了全球產(chǎn)能的32%,
          • 關(guān)鍵字: 閃存  5G  

          NAND閃存大科普

          •   在半導(dǎo)體業(yè),有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此,弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念?! ≡谑褂闷诘男阅芎愣ā! 」虘B(tài)硬盤(pán)(SSD)寫(xiě)入數(shù)據(jù)愈多,特別是隨機(jī)數(shù)據(jù),而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺(tái)管理工作的控制器開(kāi)創(chuàng)新局。對(duì)于在內(nèi)部存儲(chǔ)器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器,可能會(huì)表現(xiàn)差勁,不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?! ‰S著PCIe銷售額的增加,SATA逐漸消失不見(jiàn)
          • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  

          詳解Flash存儲(chǔ)器閃存工作原理及具體步驟

          • 什么是閃存?了解閃存最好的方式就是從它的ldquo;出生rdquo;它的ldquo;組成rdquo;均研究的透徹底底的。閃存的存儲(chǔ)單元為三端器件,與場(chǎng)效應(yīng)管有相同
          • 關(guān)鍵字: Flash存儲(chǔ)器  閃存  

          閃存降價(jià)利好可持續(xù)至2019下半年,大容量高性能SSD普及進(jìn)行時(shí)

          •   幾年前突然“大火”的存儲(chǔ)行情,給業(yè)界帶來(lái)的極大的沖擊。在 PC 市場(chǎng)衰退后本就不多的 DIY 用戶,要么咬牙買(mǎi)高價(jià)內(nèi)存(DRAM)和固態(tài)硬盤(pán)(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機(jī)升級(jí)的計(jì)劃。當(dāng)然,市場(chǎng)也不是沒(méi)有好消息。據(jù)集邦咨詢(DRAMeXchange)所述,近期閃存降價(jià)的趨勢(shì),有望持續(xù)到 2019 上半年。  DRAMeXchange 報(bào)告稱,2018 年 3~4 季度,NAND 閃存的平均銷售價(jià)格,預(yù)計(jì)將下降 10% 。集邦認(rèn)為,市場(chǎng)需求較低的情況下所增長(zhǎng)的產(chǎn)能,是推動(dòng)這一趨勢(shì)的主要原因。
          • 關(guān)鍵字: 閃存  DRAM  

          中國(guó)三大存儲(chǔ)公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存:2019年開(kāi)始

          • 外界普遍認(rèn)為,中國(guó)存儲(chǔ)芯片公司逐步擴(kuò)大產(chǎn)能,全球內(nèi)存閃存芯片市場(chǎng)的價(jià)格有望出現(xiàn)下降。
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  閃存  

          中國(guó)三大存儲(chǔ)公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存:2019年開(kāi)始

          •   對(duì)于關(guān)注國(guó)產(chǎn)內(nèi)存、閃存的用戶來(lái)說(shuō),從明年開(kāi)始將會(huì)有實(shí)質(zhì)性的成果,因?yàn)殚L(zhǎng)江存儲(chǔ)、晉華集成電路以及合肥Innotro存儲(chǔ)都將量產(chǎn)。據(jù)臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)報(bào)道稱,2019年,中國(guó)大陸地區(qū)將有三家存儲(chǔ)芯片廠竣工并投入量產(chǎn)。目前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在準(zhǔn)備的第一個(gè)訂單是,生產(chǎn)8GB容量的SD存儲(chǔ)卡,訂單規(guī)模為一萬(wàn)套32層3D NAND閃存芯片?! ≡谛庐a(chǎn)品方面,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在研發(fā)64層的3D NAND閃存,計(jì)劃在2018年年底前推出樣品?! 「L(zhǎng)江存儲(chǔ)不同的是,晉華公司和Innotron主要負(fù)責(zé)DRAM內(nèi)存芯片的制造。據(jù)說(shuō)前者已經(jīng)
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  閃存  

          被稱為中國(guó)“西部硅谷”的西安,在半導(dǎo)體科技領(lǐng)域有哪些實(shí)力?

          • 對(duì)接資本市場(chǎng),對(duì)接國(guó)家戰(zhàn)略,充分發(fā)揮西安的產(chǎn)業(yè)與科研、人才優(yōu)勢(shì),西安完全有可能創(chuàng)造出一個(gè)千億級(jí)的產(chǎn)業(yè)。
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  閃存  三星  
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          閃存介紹

          【閃存的概念】 閃存(Flash Memory)是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě),這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]

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