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展望未來(lái)，中國(guó)集成電路業(yè)要從跟隨者變成合作者

　　“中國(guó)集成電路到底怎么樣，最近總在說(shuō)三句話：第一句，我們沒(méi)有那么差，不是一無(wú)所有;第二句，真要做起來(lái)也沒(méi)有那么容易，不只是兩三年的功夫;第三句，如果我們一直堅(jiān)持做下去，再做一二十年，一定能做起來(lái)?！敝锌圃何㈦娮铀L(zhǎng)葉甜春11月16日在中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園開(kāi)園暨第二屆“芯動(dòng)北京”中關(guān)村IC產(chǎn)業(yè)論壇上所表達(dá)的觀點(diǎn)得到業(yè)界共鳴?！　?guó)內(nèi)集成電路，產(chǎn)業(yè)生態(tài)不斷完善　　作為信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，近年來(lái)，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)成績(jī)喜人：2013年至2017年，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到21%，約是同期全球增速的5
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論半導(dǎo)體芯片的五種“死亡方式”

電子設(shè)備所用的元器件的質(zhì)量要求越來(lái)越高，半導(dǎo)體器件的廣泛使用，其壽命經(jīng)過(guò)性能退化，最終導(dǎo)致失效。
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Soitec絕緣硅晶圓成為瑞薩新型SOTBTM能量收集芯片組中核心成員

　　作為設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司今日宣布瑞薩電子公司采用Soitec全耗盡絕緣硅(FD-SOI)晶圓產(chǎn)品線專(zhuān)用版，用于其65nm超低功耗SOTBTM工藝生產(chǎn)。至此，瑞薩新型基于SOTBTM技術(shù)的芯片克服了物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的能源限制，并將功耗降低到目前市場(chǎng)現(xiàn)有產(chǎn)品的十分之一，更加適用于超低功率和能量采集應(yīng)用?！　∪鹚_利用其獨(dú)特的SOTB工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)出能量收集芯片，該芯片可收集20μA/ MHz的低有效電流和150 nA的深度待機(jī)電流。該產(chǎn)品超低功率性能使其可以在端點(diǎn)幫
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晶圓代工大亂斗，高端局只剩三星VS臺(tái)積電

　　晶圓代工領(lǐng)域10nm已成分水嶺，隨著英特爾的10nm制程久攻不下，聯(lián)電和格芯相繼擱置7nm及以下先進(jìn)制程的研發(fā)后，10nm以下的代工廠中只有三星在繼續(xù)與臺(tái)積電拼刺刀。　　10nm以上的晶圓代工市場(chǎng)則繼續(xù)由臺(tái)積電、英特爾、格芯和三星分食，而大陸最大晶圓代工廠中芯國(guó)際目前的14nm已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，預(yù)計(jì)最快明年量產(chǎn)，屆時(shí)也會(huì)憑借14nm工藝進(jìn)入晶圓代工的第二梯隊(duì)中去?！　?wù)實(shí)的臺(tái)積電　　10nm以下的先進(jìn)制程，臺(tái)積電和三星采取了不同的策略。　　在7nm技術(shù)路線的選擇上，臺(tái)積電務(wù)實(shí)地在第一代放棄EUV(極
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分享一下代換IC技巧，讓PCB電路設(shè)計(jì)更完美

　　在PCB電路設(shè)計(jì)中會(huì)遇到需要代換IC的時(shí)候，下面就來(lái)分享一下代換IC時(shí)的技巧，幫助設(shè)計(jì)師在PCB電路設(shè)計(jì)時(shí)能更完美?！　∫弧⒅苯哟鷵Q　　直接代換是指用其他IC不經(jīng)任何改動(dòng)而直接取代原來(lái)的IC，代換后不影響機(jī)器的主要性能與指標(biāo)?！　∑浯鷵Q原則是：代換IC的功能、性能指標(biāo)、封裝形式、引腳用途、引腳序號(hào)和間隔等幾方面均相同。其中IC的功能相同不僅指功能相同，還應(yīng)注意邏輯極性相同，即輸出輸入電平極性、電壓、電流幅度必須相同。性能指標(biāo)是指IC的主要電參數(shù)(或主要特性曲線)、最大耗散功率、最高工作電壓、頻率范圍及
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聯(lián)電與晉華裂痕的背后，是中國(guó)晶圓廠的“重生”

半導(dǎo)體制造設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程不斷加速，但國(guó)產(chǎn)化完全替代不是一撮而就，只有不斷加強(qiáng)研發(fā)水平、提高技術(shù)能力，才能真真正正提高我國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。
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芯片人才短缺是“假象”！待遇低等導(dǎo)致的人才流失是根源

我國(guó)IC行業(yè)要想真正強(qiáng)大起來(lái)，需要十年甚至二十年的努力。為此，需要從長(zhǎng)遠(yuǎn)角度考慮，如何讓IC人才能夠靜下心來(lái)真正有所作為。
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ENTEGRIS 擴(kuò)建先進(jìn)而潔凈的馬來(lái)西亞制造廠

　　業(yè)界領(lǐng)先的特種化學(xué)及先進(jìn)材料解決方案公司Entegris今日宣布，其位于馬來(lái)西亞Kulim的工廠已完成擴(kuò)建，該工廠采用先進(jìn)的制造工藝，可滿足客戶對(duì)潔凈產(chǎn)品的超高需求。Entegris斥資 3,000 萬(wàn)美元用于此次擴(kuò)建，成功將Kulim工廠的產(chǎn)能提升30%，確保公司在未來(lái)多年內(nèi)，繼續(xù)以領(lǐng)先半導(dǎo)體制造商值得信賴(lài)的合作伙伴，攜手共進(jìn)、穩(wěn)健前行?！　〉谒拇喂I(yè)革命對(duì)集成電路制造產(chǎn)生了巨大影響。新興科技對(duì)芯片的需求量巨大，并對(duì)芯片的性能和可靠性有著更高的要求。Entegris總裁兼首席執(zhí)行官Bertrand
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國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備：先天不足，后天奮起

　　中芯國(guó)際創(chuàng)始人張汝京對(duì)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)曾有過(guò)這樣的點(diǎn)評(píng)，“我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展最薄弱的環(huán)節(jié)就是材料和設(shè)備，但這也意味著市場(chǎng)機(jī)遇?！苯?jīng)過(guò)長(zhǎng)期發(fā)展，我國(guó)企業(yè)在半導(dǎo)體應(yīng)用、封裝測(cè)試領(lǐng)域已發(fā)展到全球領(lǐng)先，擁有了完整的終端產(chǎn)業(yè)鏈，但在產(chǎn)業(yè)鏈前端環(huán)節(jié)非常薄弱。關(guān)于材料以及封裝，小編在前文都有提及，感興趣的朋友可以去看一下。這一篇文章，我們將著重來(lái)說(shuō)半導(dǎo)體設(shè)備?！　“雽?dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最為重要的一環(huán)，是生產(chǎn)部門(mén)不可或缺的生產(chǎn)資料。從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中可以看出，無(wú)論是上游設(shè)計(jì)制造，還是下游封裝測(cè)試，幾乎每一個(gè)產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)都
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如何通過(guò)電源去耦來(lái)保持電源進(jìn)入集成電路（IC）的各點(diǎn)的低阻抗？

　　如何通過(guò)電源去耦來(lái)保持電源進(jìn)入集成電路(IC)的各點(diǎn)的低阻抗?　　諸如放大器和轉(zhuǎn)換器等模擬集成電路具有至少兩個(gè)或兩個(gè)以上電源引腳。對(duì)于單電源器件，其中一個(gè)引腳通常連接到地。如ADC和DAC等混合信號(hào)器件可以具有模擬和數(shù)字電源電壓以及I/O電壓。像FPGA這樣的數(shù)字IC還可以具有多個(gè)電源電壓，例如內(nèi)核電壓、存儲(chǔ)器電壓和I/O電壓?！　〔还茈娫匆_的數(shù)量如何，IC數(shù)據(jù)手冊(cè)都詳細(xì)說(shuō)明了每路電源的允許范圍，包括推薦工作范圍和最大絕對(duì)值，而且為了保持正常工作和防止損壞，必須遵守這些限制。　　然而，由于噪聲或電源
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三星將成晶圓代工二哥，是部門(mén)拆分的幻相嗎？

　　三星電子力拼晶圓代工，去年就放話要超車(chē)聯(lián)電，當(dāng)上市場(chǎng)二哥。研調(diào)機(jī)構(gòu)估計(jì)，三星今年有望達(dá)成目標(biāo)，不過(guò)主要是拆分晶圓代工部門(mén)的效應(yīng)，并非業(yè)績(jī)真有大幅成長(zhǎng)。　　BusinessKorea報(bào)導(dǎo)，去年三星晶圓代工部門(mén)的營(yíng)收為46億美元、市占率為6%，是全球第四大晶圓代工廠，落后臺(tái)積電(2330)、格芯(GlobalFoundries)、聯(lián)電。ICInsights報(bào)告預(yù)估，今年三星晶圓代工的營(yíng)收將增至100億美元，市占將升至14%、躋身市場(chǎng)二哥?！　∪欢?，三星市占提高，原因是三星的晶圓代工部門(mén)自立門(mén)戶，不再隸屬于
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淺析半導(dǎo)體行業(yè)圖形化工藝之光刻工藝

　　圖形化工藝是要在晶圓內(nèi)和表面層建立圖形的一系列加工，這些圖形根據(jù)集成電路中物理“部件”的要求來(lái)確定其尺寸和位置?！　D形化工藝還包括光刻、光掩模、掩模、去除氧化膜、去除金屬膜和微光刻。圖形化工藝是半導(dǎo)體工藝過(guò)程中最重要的工序之一，它是用在不同的器件和電路表面上建立圖形的工藝過(guò)程。這個(gè)工藝過(guò)程的目標(biāo)有兩個(gè)：　　1. 在晶圓中和表面上產(chǎn)生圖形，這些圖形的尺寸在集成電路或器件設(shè)計(jì)階段建立?！　?. 將電路圖形相對(duì)于晶圓的晶向及以所有層的部分對(duì)準(zhǔn)的方式，正確地定位于晶圓上?！　〕藘蓚€(gè)結(jié)果外，有許多工藝變化。
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半導(dǎo)體材料市場(chǎng)你知道多少？

半導(dǎo)體行業(yè)，分成上中下游是三個(gè)部分，今天帶大家走進(jìn)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)。
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晶圓代工先進(jìn)工藝的戰(zhàn)場(chǎng)，沒(méi)錢(qián)燒請(qǐng)“退場(chǎng)”

　　在過(guò)去，半導(dǎo)體市場(chǎng)的重點(diǎn)一直圍繞著傳統(tǒng)的芯片微縮，在器件中加入更多功能，然后在每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)上縮小器件。然而到了最近幾年，芯片在每個(gè)節(jié)點(diǎn)處的微縮都變得更加昂貴和復(fù)雜。如今，只有少數(shù)人能夠負(fù)擔(dān)得起在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上設(shè)計(jì)芯片的費(fèi)用　　在2018年上半年，臺(tái)積電全球市場(chǎng)占有率已經(jīng)達(dá)到56%，也就是說(shuō)，全球有一半以上的半導(dǎo)體、芯片都來(lái)自于臺(tái)積電?！　⌒酒袠I(yè)對(duì)于數(shù)字的高度敏感，越來(lái)越成為晶圓代工廠商以及芯片廠商的“緊箍咒”。對(duì)于處于金字塔尖的巨頭們來(lái)說(shuō)，不無(wú)例外?！　〗展?yīng)鏈傳出消息，稱(chēng)臺(tái)積電巨頭臺(tái)積電已經(jīng)贏得了2
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全面屏下前置電容式指紋識(shí)別已死 TDDI觸控顯示芯片意外獲救

　　近日芯片代工巨頭臺(tái)積電證實(shí)，旗下8吋晶圓代工生產(chǎn)線產(chǎn)能松動(dòng)。臺(tái)積電雖然未說(shuō)明相關(guān)產(chǎn)能松動(dòng)的原因，但法人推測(cè)應(yīng)與智能手機(jī)銷(xiāo)售疲弱、消費(fèi)性電子產(chǎn)品進(jìn)入淡季，加上高解析電視熱潮轉(zhuǎn)弱等市場(chǎng)行情有關(guān)，其中智能手機(jī)的指紋辨識(shí)、面板驅(qū)動(dòng)IC和部分電腦管理晶片訂單開(kāi)始下滑?！　〔贿^(guò)隨即臺(tái)積電就對(duì)外澄清，表示臺(tái)積電及其旗下的世界先進(jìn)8吋晶圓代工生產(chǎn)線產(chǎn)能雖然未滿載，但也不錯(cuò)。業(yè)界認(rèn)為，臺(tái)積電的說(shuō)法，意思是其實(shí)目前8寸晶圓代工產(chǎn)能松動(dòng)的部分，以中國(guó)大陸晶圓代工廠為主，而非臺(tái)積電與世界先進(jìn)等臺(tái)系廠。　　實(shí)際上，上季度就有不
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