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繪制PCB板需知道哪些問(wèn)題？

1、PCB板上的走線的寬度和能承受電流的大小關(guān)系？PCB電路板上有信號(hào)走線和電源走線，了解走線寬度和承載電流的關(guān)系，對(duì)繪制PCB非常重要。通常PCB的銅箔厚度為1盎司（35um），假設(shè)走線的寬度為2mm。截面積=0.035*2=0.07mm2。一般PCB走線的電流密度為30A/mm2。所以，寬度為2mm的走線可以承載的電流為30A*0.07等于2.1A。寬度為1mm的走線，承載電流的能力為1.05A。2、晶振在PCB板上位置及如何處理？晶振需要放在CPU附近，離CPU的晶振引腳要近。如果是無(wú)源晶振，2個(gè)匹
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PCB走線的電阻如何計(jì)算？

PCB走線的電阻如何計(jì)算？很多硬件朋友會(huì)說(shuō)，用萬(wàn)用表去測(cè)量PCB走線兩端的阻值，就可以知道走線的電阻。如果真的用萬(wàn)用表去測(cè)量，測(cè)量的結(jié)果基本是0，非常不準(zhǔn)確。也有朋友會(huì)說(shuō)，我們可以分別測(cè)量走線兩端的電壓。比如PCB走線兩端分別定義A端和B端，電路板上電后，測(cè)量A端的電壓值為3.3V，B端電壓為3.1V，也就是這根走線的壓降為0.2V。如果知道走線的電流為1A，可以算出走線的電阻為200毫歐。這種情況，如果電流比較大的情況，好像可以計(jì)算出電阻值，但精度似乎也不高。如果走線上的電流小的時(shí)候，也不太好測(cè)量。我們
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為什么還沒(méi)把AI應(yīng)用在畫PCB上？

PCB設(shè)計(jì)公司都是3塊錢一個(gè)PIN，已經(jīng)延續(xù)好多年了，都不漲價(jià)，AI也卷不動(dòng)啊。還有一些兼職的工程師收1塊5,2塊。。。應(yīng)用AI 做Layout，未必比IT民工便宜，研發(fā)出來(lái)應(yīng)該也沒(méi)啥收益。AI研發(fā)投入與收益的"剪刀差"研發(fā)成本黑洞：訓(xùn)練一個(gè)可用的PCB設(shè)計(jì)AI需至少10萬(wàn)張標(biāo)注設(shè)計(jì)圖（單張標(biāo)注成本約200元），僅數(shù)據(jù)準(zhǔn)備就需2000萬(wàn)元投入，而年?duì)I收過(guò)億，需要從事PCB設(shè)計(jì)公司全球不足百家。谷歌的"電路合成AI"項(xiàng)目耗資超2億美元，但商業(yè)化時(shí)發(fā)現(xiàn)客戶不愿支付相當(dāng)于
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畫PCB時(shí)的強(qiáng)迫癥

你還有什么癥狀？，歡迎點(diǎn)擊“寫留言”，寫下你的癥狀看下圖，讓你難受一下強(qiáng)迫癥的合理取舍優(yōu)先級(jí)排序：先保證電氣性能（如阻抗、回流路徑），再優(yōu)化美觀（對(duì)齊、間距）。工具輔助：利用EDA工具的自動(dòng)對(duì)齊、DRC規(guī)則和仿真功能減少人工糾結(jié)。成本意識(shí)：過(guò)孔數(shù)量、層數(shù)和工藝選擇需與預(yù)算平衡，避免過(guò)度設(shè)計(jì)。接受“不完美”：PCB設(shè)計(jì)本質(zhì)是妥協(xié)的藝術(shù)，例如：繞線稍多的普通GPIO信號(hào)可以接受；散熱器件的非常規(guī)布局可能比整齊更重要。終極建議：在關(guān)鍵區(qū)域（如高速信號(hào)、電源路徑）追求極致，在非關(guān)鍵區(qū)域適當(dāng)“放過(guò)自己”PCB設(shè)計(jì)中
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小米高端化再進(jìn)一步：下周手機(jī)、汽車雙旗艦發(fā)布

小米連續(xù)在汽車、手機(jī)端發(fā)力。日前，小米集團(tuán)董事長(zhǎng)兼CEO雷軍曬出小米SU7 Ultra原型車視頻和照片，同日小米集團(tuán)合伙人、總裁盧偉冰也開(kāi)啟了一場(chǎng)關(guān)于小米15 Ultra的新品曝光直播。據(jù)了解，小米將在下一周會(huì)召開(kāi)新品發(fā)布會(huì)，發(fā)布包括小米15Ultra和小米SU7 Ultra在內(nèi)的“雙旗艦”，以及AIoT相關(guān)的一系列產(chǎn)品。盧偉冰稱，小米15 Ultra將會(huì)是小米手機(jī)突破6000+元檔位的關(guān)鍵產(chǎn)品。手機(jī)業(yè)務(wù)之外，盧偉冰也給大家電立下了高端化的目標(biāo)，只對(duì)標(biāo)全球市場(chǎng)上的標(biāo)桿品牌。雷軍通過(guò)微博宣布，小米汽車App
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為什么在高速PCB設(shè)計(jì)中，信號(hào)線不能多次換孔？

為什么在高速PCB設(shè)計(jì)中，信號(hào)線不能多次換孔？大家在進(jìn)行PCB設(shè)計(jì)時(shí)肯定都接觸過(guò)過(guò)孔，所以大家都知道過(guò)孔對(duì)PCB信號(hào)質(zhì)量的影響很大，先給大家介紹一下我們?cè)赑CB設(shè)計(jì)時(shí)過(guò)孔應(yīng)該如何選取。通常有三種類型的過(guò)孔可供選擇：（單位是mil）8/16±2mil 10/20±2mil 12/24±2mil通常，當(dāng)板子比較密的情況下，我們會(huì)使用8/16±2mil(8/14,8/16,8/18)大小的過(guò)孔，當(dāng)板材相對(duì)空曠時(shí)，可選擇12/24±2mil(12/22,12/24,12/26都可以)大小的過(guò)孔，10/20之間可以
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蔡崇信確認(rèn)：阿里與蘋果合作

2月13日消息，2025世界政府峰會(huì)上，阿里巴巴聯(lián)合創(chuàng)始人、董事局主席蔡崇信確認(rèn)了阿里巴巴與蘋果合作的傳聞。他表示，蘋果在中國(guó)市場(chǎng)需要一個(gè)本地合作伙伴來(lái)支持其手機(jī)服務(wù)，而蘋果一直以來(lái)對(duì)合作伙伴非常挑剔。經(jīng)過(guò)與多家中國(guó)公司接觸后，蘋果最終選擇了與阿里巴巴合作。蔡崇信表示，我們非常幸運(yùn)，也非常榮幸能夠與蘋果這樣的偉大公司做生意。
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手把手教你本地部署DeepSeek：享受AI帶來(lái)的便利

國(guó)內(nèi)的大語(yǔ)言模型DeepSeek近日迅速出圈，憑借其在自然語(yǔ)言處理、代碼生成和多輪對(duì)話等任務(wù)中的出色表現(xiàn)，吸引了眾多開(kāi)發(fā)者和研究者的關(guān)注，甚至登上了不少地區(qū)的app榜單。不過(guò)在使用時(shí)經(jīng)常會(huì)遇到服務(wù)器繁忙的困擾，解決辦法也很簡(jiǎn)單，就是將其部署到本地，無(wú)需依賴云端服務(wù)即可享受AI帶來(lái)的便利。要在本地部署DeepSeek，需要借助運(yùn)行大語(yǔ)言模型的工具，這里我們建議使用LM Studio，這是一款專為本地運(yùn)行大語(yǔ)言模型設(shè)計(jì)的客戶端工具。它支持多種開(kāi)源模型，并提供了簡(jiǎn)單易用的界面，使得用戶無(wú)需編寫復(fù)雜的代碼即可加載
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PCB 設(shè)計(jì)進(jìn)階：PCB熱設(shè)計(jì)優(yōu)化

對(duì)于硬件工程師而言，PCB 設(shè)計(jì)水平直接影響電子產(chǎn)品的性能與穩(wěn)定性。在之前的系列文章中，我們探討了 PCB 設(shè)計(jì)的眾多關(guān)鍵要點(diǎn)，本文將繼續(xù)深入，聚焦一些容易被忽視卻又至關(guān)重要的方面，助力硬件工程師進(jìn)一步提升 PCB 設(shè)計(jì)技能。一、布局設(shè)計(jì)①高功率發(fā)熱元件是否放置在靠近 PCB 邊緣或通風(fēng)口等易于散熱的區(qū)域？可利用 CFD（計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)）模擬軟件，分析不同放置位置的空氣流動(dòng)與散熱效果，從而確定最佳位置。②發(fā)熱元件之間是否保持足夠的間距以避免熱量聚集？可依據(jù)熱仿真分析結(jié)果，設(shè)定合適的間距值，保證熱量有效散發(fā)
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功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）---功率半導(dǎo)體的熱阻

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。散熱功率半導(dǎo)體器件在開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中和導(dǎo)通電流時(shí)會(huì)產(chǎn)生損耗，損失的能量會(huì)轉(zhuǎn)化為熱能，表現(xiàn)為半導(dǎo)體器件發(fā)熱，器件的發(fā)熱會(huì)造成器件各點(diǎn)溫度的升高。半導(dǎo)體器件的溫度升高，取決于產(chǎn)生熱量多少（損耗）和散熱效率（散熱通路的熱阻）。IGBT模塊的風(fēng)冷散熱
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功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（二）---熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。第一講《功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）----功率半導(dǎo)體的熱阻》，已經(jīng)把熱阻和電阻聯(lián)系起來(lái)了，那自然會(huì)想到熱阻也可以通過(guò)串聯(lián)和并聯(lián)概念來(lái)做數(shù)值計(jì)算。熱阻的串聯(lián)首先，我們來(lái)看熱阻的串聯(lián)。當(dāng)兩個(gè)或多個(gè)導(dǎo)熱層依次排列，熱量依次通過(guò)
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（三）----功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)聯(lián)系實(shí)際，比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。功率半導(dǎo)體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導(dǎo)熱脂層串聯(lián)構(gòu)成的。各層都有相應(yīng)的熱阻，這些熱阻是串聯(lián)的，總熱阻等于各熱阻之和，這是因?yàn)闊崃吭趥鬟f過(guò)程中，需要依次克服每一個(gè)熱阻，所以總熱阻就是
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個(gè)很復(fù)雜的問(wèn)題，從芯片表面測(cè)量溫度，可以發(fā)現(xiàn)單個(gè)芯片溫度也是不均勻的。所以工程上設(shè)計(jì)一般可以取加權(quán)平均值或給出設(shè)計(jì)余量。這是一個(gè)MOSFET單管中的芯片，直觀可以看出芯片表面溫度是不一致的，光標(biāo)1的位置與光標(biāo)2位置溫度
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。熱容熱容 C th 像熱阻 R th 一樣是一個(gè)重要的物理量，它們具有相似的量綱結(jié)構(gòu)。熱容和電容，都是描述儲(chǔ)存能力物理量，平板電容器電容和熱容的對(duì)照關(guān)系如圖所示。平板電容器電容和熱容
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（七）——熱等效模型

前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。有了熱阻熱容的概念，自然就會(huì)想到在導(dǎo)熱材料串并聯(lián)時(shí)，就可以用阻容網(wǎng)絡(luò)來(lái)描述。一個(gè)帶銅基板的模塊有7層材料構(gòu)成，各層都有一定的熱阻和熱容，哪怕是散熱器，其本身也有熱阻和熱容。整個(gè)散熱通路還包括導(dǎo)熱脂、散熱器和環(huán)境。不同時(shí)間尺度下
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手機(jī).卡類終端.pcb.熱設(shè)計(jì)介紹

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