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光刻機(jī)
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ASML參展第五屆進(jìn)博會(huì) 以開(kāi)放與專(zhuān)注助力行業(yè)合作共贏
- （中國(guó)上海，2022年11月4日）—— 今年，半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先供應(yīng)商ASML將以“光刻未來(lái)，攜手同行”為主題繼續(xù)亮相第五屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“進(jìn)博會(huì)”）技術(shù)裝備展區(qū)4.1展館A0-01展臺(tái)。屆時(shí)，ASML將首次通過(guò)“元宇宙”平臺(tái)，帶來(lái)沉浸式的光刻體驗(yàn)，彰顯前沿科技，推動(dòng)行業(yè)發(fā)展。 “今年是ASML第四次參展進(jìn)博會(huì)，我們希望借助進(jìn)博會(huì)的平臺(tái)不斷地展現(xiàn)開(kāi)放共贏、合作發(fā)展的理念?！盇SML全球高級(jí)副總裁、中國(guó)區(qū)總裁沈波表示，“ASML一直秉持開(kāi)放與專(zhuān)注，以‘開(kāi)放式創(chuàng)新’和對(duì)光刻技術(shù)的專(zhuān)注，持
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芯片巨頭美光：成功繞過(guò)了EUV光刻技術(shù)
- 本周美光宣布，采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺(tái)合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備?！ ?β工藝可將能效提高約15％，存儲(chǔ)密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)?！ ∫粋€(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱(chēng)，1β繞過(guò)了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）?！ ∵@意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計(jì)方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目
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摩爾定律不死 臺(tái)積電已在謀劃1nm工藝：下代EUV光刻機(jī)是關(guān)鍵
- 在先進(jìn)工藝上，臺(tái)積電今年底量產(chǎn)3nm工藝，2025年則是量產(chǎn)2nm工藝，這一代會(huì)開(kāi)始使用GAA晶體管，放棄現(xiàn)在的FinFET晶體管技術(shù)。 再往后呢？2nm之后是1.4nm工藝，Intel、臺(tái)積電及三星這三大芯片廠商也在沖刺，其中三星首個(gè)宣布2027年量產(chǎn)1.4nm工藝，臺(tái)積電沒(méi)說(shuō)時(shí)間點(diǎn)，預(yù)計(jì)也是在2027年左右?！ ?.4nm之后就是1nm工藝了，這個(gè)節(jié)點(diǎn)曾經(jīng)被認(rèn)為是摩爾定律的物理極限，是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的，但是現(xiàn)在芯片廠商也已經(jīng)在攻關(guān)中?！ ∨_(tái)積電已經(jīng)啟動(dòng)了先導(dǎo)計(jì)劃，傳聞中的1nm晶圓廠將落戶(hù)新竹科技園下
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2028年自研7nm光刻機(jī)！俄羅斯真有這個(gè)能耐？
- 2028年實(shí)現(xiàn)光刻機(jī)自研，可支持7nm芯片制造！俄羅斯真有這個(gè)能耐？在芯片規(guī)則不斷的升級(jí)之下，各個(gè)國(guó)家不再相信基于美技術(shù)體系的國(guó)際產(chǎn)業(yè)鏈，而中、俄是產(chǎn)業(yè)被限制最嚴(yán)重的國(guó)家，因此在技術(shù)的自研上反應(yīng)也是最強(qiáng)烈的，在中企相繼傳出好消息之后，俄科學(xué)院也官宣了好消息。根據(jù)海外傳來(lái)的消息，俄科學(xué)院IPF RAS已經(jīng)全力參與光刻設(shè)備的研發(fā)，后續(xù)將會(huì)有整套的半導(dǎo)體設(shè)備誕生，并且其還高調(diào)宣稱(chēng)：“自研的光刻機(jī)將在2028年商用，并且可用于7nm左右的芯片量產(chǎn)！”這就讓人納悶了，目前俄國(guó)依靠自主化的產(chǎn)業(yè)鏈，就連90nm工藝都無(wú)
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ASML：有望繼續(xù)向中國(guó)出貨非EUV光刻機(jī)
- 近期，全球半導(dǎo)體龍頭設(shè)備企業(yè)阿斯麥（ASML）、泛林（LAM）公布了其最新一季度財(cái)報(bào)，阿斯麥方面，最新一季度銷(xiāo)售額和利潤(rùn)均超出市場(chǎng)預(yù)期，其新的凈預(yù)訂額也創(chuàng)下了紀(jì)錄。此外阿斯麥CEO Peter Wennink表示，ASML有望繼續(xù)向中國(guó)出貨非EUV光刻機(jī)；泛林方面，當(dāng)季公司營(yíng)收創(chuàng)下歷史新高，官方表示，2023年晶圓廠設(shè)備支出將下滑。ASML：有望繼續(xù)向中國(guó)出貨非EUV光刻機(jī)10月19日，光刻機(jī)大廠阿斯麥公布了2022年第三季度財(cái)報(bào)。數(shù)據(jù)顯示，ASML第三季度凈營(yíng)收同比增長(zhǎng)10%至58億歐元，超出此前業(yè)界預(yù)
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精度遠(yuǎn)超EVU！美企造出全球分辨率最高的光刻機(jī)
- 芯研所9月26日消息，近日美國(guó)開(kāi)發(fā)和商業(yè)化原子精密制造技術(shù)公司Zyvex Labs宣布，其推出了全球分辨率最高的光刻系統(tǒng)——ZyvexLitho1TM。它沒(méi)有采用EUV光刻技術(shù)，而是基于STM掃描隧道顯微鏡，使用的是電子束光刻（EBL）方式。實(shí)現(xiàn)了0.768nm的原子級(jí)精密圖案和亞納米級(jí)分辨率芯片的制造，遠(yuǎn)超EVU光刻機(jī)的精度。目前，5nm級(jí)及以下的尖端半導(dǎo)體制程必須采用EUV光刻機(jī)，而精度更高的2nm制程所使用的ASML新一代0.55 NA EUV光刻機(jī)，售價(jià)或?qū)⒏哌_(dá)4億美元。但想要實(shí)現(xiàn)1nm以下更先進(jìn)
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被美國(guó)給打醒！俄羅斯想造光刻機(jī)，全新的技術(shù)，對(duì)標(biāo)了ASML的EUV
- 被美國(guó)給打醒！俄羅斯想造光刻機(jī)，全新的技術(shù)，對(duì)標(biāo)了ASML的EUV誰(shuí)都知道，俄羅斯已經(jīng)被美國(guó)全面打壓了。俄羅斯的晶片需求量并不大，每年的進(jìn)口量，也就是一億美元左右，大部分的晶圓廠，都不會(huì)和美國(guó)競(jìng)爭(zhēng)。但俄羅斯的一億美金，在俄羅斯來(lái)說(shuō)，就是一個(gè)天文數(shù)字。俄羅斯將會(huì)做什么？前段時(shí)間，有消息說(shuō)俄羅斯準(zhǔn)備重新做一臺(tái)光刻機(jī)。他的目標(biāo)很明確，就是要用ASML的最新光刻機(jī)，去挑戰(zhàn)目前最尖端的EUV（UV）。當(dāng)然，ASML也不可能戰(zhàn)勝ASML，因?yàn)锳SML的EUV光刻機(jī)，都是全世界的人幫忙做的，俄羅斯這邊，根本就沒(méi)有人去做
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瞄準(zhǔn) 3D 結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體制造封裝需求，尼康力圖實(shí)現(xiàn)光刻機(jī)出貨量倍增
- 集微網(wǎng)消息，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，尼康公司日前提出半導(dǎo)體光刻設(shè)備新的業(yè)務(wù)發(fā)展目標(biāo)，即到 2026 年 3 月為止的財(cái)年，將光刻機(jī)年出貨量較目前的三年平均水平提高一倍以上。報(bào)道稱(chēng)，尼康將積極開(kāi)拓除英特爾以外的其他客戶(hù)，特別是日本本土和中國(guó)地區(qū)客戶(hù)，計(jì)劃將英特爾在光刻機(jī)設(shè)備營(yíng)收中所占比重從 80% 降低到 50%。尼康還將推出適應(yīng) 3D 堆疊結(jié)構(gòu)器件如存儲(chǔ)半導(dǎo)體、圖像傳感器制造需求的光刻機(jī)新產(chǎn)品，已提高其在成熟制程設(shè)備市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力，目前，該公司平均每年售出 16 臺(tái) ArF 光刻機(jī)（含二手翻新）。
- 關(guān)鍵字： 尼康 光刻機(jī) 半導(dǎo)體
俄羅斯7萬(wàn)名IT專(zhuān)家出走！芯片儲(chǔ)備告警，俄羅斯自主研發(fā)光刻機(jī)
- 在俄羅斯開(kāi)始對(duì)烏克蘭的特別軍事行動(dòng)之后，西方國(guó)家開(kāi)始對(duì)俄羅斯施加各種各樣的制裁。俄羅斯當(dāng)前面臨嚴(yán)峻的商業(yè)環(huán)境和政治環(huán)境，許多信息產(chǎn)業(yè)的科技人才紛紛出走，尋找更加安全且有保障的就業(yè)環(huán)境。根據(jù)美媒1日的報(bào)道，烏克蘭戰(zhàn)爭(zhēng)爆發(fā)以來(lái)已經(jīng)多7萬(wàn)多名IT技術(shù)專(zhuān)家從俄羅斯離開(kāi)，一些國(guó)家向俄羅斯的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人才招手，充實(shí)自己的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。俄羅斯大量信息技術(shù)人才流失的情況已經(jīng)得到俄羅斯電子通訊協(xié)會(huì)方面的承認(rèn)，該協(xié)會(huì)上周向俄羅斯杜馬委員會(huì)遞交的報(bào)告之中指出，當(dāng)前俄羅斯已經(jīng)流失了5萬(wàn)到7萬(wàn)人的科技人才。盡管當(dāng)前俄羅斯的人才
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顯卡、內(nèi)存全在跌 ASML的EUV光刻機(jī)賣(mài)不動(dòng)：一下少了15臺(tái)
- 全球半導(dǎo)體市場(chǎng)從產(chǎn)能緊張已經(jīng)轉(zhuǎn)向過(guò)剩，部分領(lǐng)域跌價(jià)跌得厲害，比如顯卡、內(nèi)存及SSD等，這一波芯片價(jià)格下滑也會(huì)影響廠商的生產(chǎn)計(jì)劃，結(jié)果就是ASML一度供不應(yīng)求的EUV光刻機(jī)賣(mài)不動(dòng)了，今年出貨量減少15臺(tái)。ASML昨天發(fā)布了2022年Q2季度財(cái)報(bào)，當(dāng)季凈銷(xiāo)售額為54.31億歐元，好于市場(chǎng)預(yù)期的52.6億歐元，上年同期為40.20億歐元，同比增長(zhǎng)35%。凈利潤(rùn)為14.11億歐元，上年同期為10.38億歐元，同比增長(zhǎng)36%。雖然業(yè)績(jī)大漲，但是ASML對(duì)全年的預(yù)期更加悲觀，從之前預(yù)期增長(zhǎng)20%下調(diào)到了增長(zhǎng)10%，其
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卡脖子也沒(méi)用 國(guó)內(nèi)廠商芯片新技術(shù)繞過(guò)EUV光刻機(jī)
- 毫無(wú)疑問(wèn)，如今國(guó)內(nèi)芯片廠商面前最大的障礙就是EUV光刻機(jī)，不過(guò)EUV光刻機(jī)是研制先進(jìn)芯片的一條路徑，但并非唯一解。 對(duì)于國(guó)內(nèi)廠商來(lái)說(shuō)，當(dāng)前在3D NAND閃存的發(fā)展上，就因?yàn)椴恍枰狤UV機(jī)器，從而找到了技術(shù)追趕的機(jī)會(huì)。而在DRAM內(nèi)存芯片領(lǐng)域，盡管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV，可來(lái)自浙江海寧的芯盟則開(kāi)辟出繞過(guò)EUV光刻的新方案。芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技術(shù)的3D 4F2 DRAM架構(gòu)問(wèn)世。他指出，基于HITOC技術(shù)所開(kāi)發(fā)的全新架構(gòu)3D 4F2 DRA
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臺(tái)積電高管：將在2024年引入阿斯麥最新極紫外光刻機(jī)
- 6月17日消息，據(jù)外媒報(bào)道，臺(tái)積電高管周四表示，該公司將在2024年引入荷蘭廠商阿斯麥的最新一代光刻機(jī)?！ ∨_(tái)積電研發(fā)高級(jí)副總裁米玉杰在硅谷舉行的技術(shù)研討會(huì)上表示，“展望未來(lái)，臺(tái)積電將在2024年引入高數(shù)值孔徑的極紫外光刻機(jī)，為的是開(kāi)發(fā)客戶(hù)所需相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施和模式解決方案，進(jìn)一步推動(dòng)創(chuàng)新?！薄 ∶子窠懿⑽赐嘎缎乱淮饪虣C(jī)引入后何時(shí)用于大規(guī)模生產(chǎn)芯片。阿斯麥推出的第二代極紫外線(xiàn)光刻機(jī)能用于制造尺寸更小、處理速度更快的芯片。臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾公司此前表示，將在2025年之前開(kāi)始使用新一代光刻機(jī)生產(chǎn)芯片，并
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佳能新發(fā)售KrF半導(dǎo)體光刻機(jī)“FPA-6300ES6a”Grade10升級(jí)包
- 佳能將于2022年8月初發(fā)售KrF ※1半導(dǎo)體光刻機(jī)“FPA-6300ES6a”的“Grade10”產(chǎn)能升級(jí)配件包（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“Grade10”升級(jí)包）。KrF半導(dǎo)體光刻機(jī)“FPA-6300ES6a” 自發(fā)售至今，已經(jīng)在生產(chǎn)存儲(chǔ)器和邏輯電路的大型半導(dǎo)體器件制造廠商中收獲良好口碑，此次發(fā)布的“Grade10”升級(jí)包將助力該設(shè)備在300mm晶圓規(guī)格基礎(chǔ)上，以每小時(shí)高達(dá)300片※2晶圓的加工能力實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體光刻行業(yè)內(nèi)的更高水平※3。
- 關(guān)鍵字： 光刻機(jī) KrF
ASML 分享 High-NA EUV 光刻機(jī)最新進(jìn)展：目標(biāo) 2024-2025 年進(jìn)廠
- 5 月 29 日消息，半導(dǎo)體行業(yè)花了十多年的時(shí)間來(lái)準(zhǔn)備極紫外線(xiàn) (EUV) 光刻技術(shù)，而新的高數(shù)值孔徑 EUV 光刻（High-NA EUV）技術(shù)將會(huì)比這更快。目前，最先進(jìn)的芯片是 4/5 納米級(jí)工藝，下半年三星和臺(tái)積電還能量產(chǎn) 3nm 技術(shù)，而對(duì)于使用 ASML EUV 光刻技術(shù)的 Twinscan NXE:3400C 及類(lèi)似系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，它們大都具有 0.33 NA（數(shù)值孔徑）的光學(xué)器件，可提供 13 nm 分辨率。目前來(lái)看，這種分辨率尺寸對(duì)于 7 nm / 6 nm 節(jié)點(diǎn) (36 nm ~ 38 nm)
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業(yè)績(jī)超預(yù)期：日本佳能光刻機(jī)銷(xiāo)售火爆
- 光刻機(jī)是半導(dǎo)體芯片制造中的核心設(shè)備，日本佳能公司也有光刻機(jī)，現(xiàn)在賣(mài)得也不錯(cuò)，推動(dòng)業(yè)績(jī)大漲。很多人都知道佳能主業(yè)是相機(jī)，不過(guò)這幾年全球數(shù)碼相機(jī)業(yè)務(wù)持續(xù)下滑，佳能也難免受到?jīng)_擊，最近幾年增長(zhǎng)的反而是其他業(yè)務(wù)，該公司即將發(fā)布2022財(cái)年（2021年4月到今年3月），預(yù)計(jì)全年利潤(rùn)可達(dá)2500億日元，約合19億美元或者126億人民幣，比1月份公布的指引高出50億日元，同比大漲20%。推動(dòng)佳能業(yè)績(jī)大漲的業(yè)務(wù)主要是安全攝像頭以及光刻機(jī)，而且隨著半導(dǎo)體設(shè)備投資的增加，佳能的光刻機(jī)業(yè)務(wù)還會(huì)持續(xù)增長(zhǎng)。從佳能官網(wǎng)上可以查到，該
- 關(guān)鍵字： 佳能 光刻機(jī)
光刻機(jī)介紹
國(guó)外半導(dǎo)體設(shè)備
我公司擁有國(guó)外半導(dǎo)體設(shè)備,包括臺(tái)灣3S公司生產(chǎn)的光刻機(jī),涂膠臺(tái),
金絲球焊機(jī),電子束蒸發(fā)臺(tái)。
濺射臺(tái)及探針臺(tái)等各種設(shè)備,世界知名劃片機(jī)企業(yè)英國(guó)Loadpoint公司生產(chǎn)的6英寸--12英寸
精密劃片機(jī)，300毫米清洗機(jī),。
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