首頁 > 新聞中心 > 測(cè)試測(cè)量 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用
近年來，工業(yè)電源市場(chǎng)對(duì)氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)高功率密度，而MOSFET在相同條件下運(yùn)行時(shí)會(huì)產(chǎn)生巨大的熱損耗......
_____引言受人工智能的快速發(fā)展和電氣化轉(zhuǎn)型的推動(dòng)，半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)的增長要求制造商在不犧牲測(cè)試精度的情況下，提高測(cè)試和驗(yàn)證的吞吐量。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的一種方法是并行測(cè)試，即同時(shí)對(duì)多個(gè)器件進(jìn)行測(cè)試。一旦測(cè)試流程被驗(yàn)證，它就必......
IEEE 5G/6G 創(chuàng)新測(cè)試臺(tái)模擬從無線電到核心的整個(gè)網(wǎng)絡(luò)，使工程師能夠在網(wǎng)絡(luò)中的任何位置插入和測(cè)試 5G 硬件和軟件。EE World 于 2025 年 6 月訪問了 IEEE，在下面的視頻中進(jìn)行了會(huì)議和演示。假設(shè)您......
場(chǎng)設(shè)計(jì)的Titan HP系統(tǒng)級(jí)測(cè)試（SLT）平臺(tái)。隨著工藝節(jié)點(diǎn)不斷微縮、新型架構(gòu)持續(xù)涌現(xiàn)，市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)技術(shù)的需求日益增長，該創(chuàng)新解決方案也應(yīng)運(yùn)而生。由于AI與云基礎(chǔ)設(shè)施部署所用的復(fù)雜芯片在功耗和散熱方面不斷突破極限，SLT......
_____每一次出色的測(cè)量，都始于對(duì)測(cè)試設(shè)備的信賴。工程師所需的不只是速度與帶寬，更需要確信屏幕上呈現(xiàn)的內(nèi)容，與待測(cè)設(shè)備內(nèi)部的實(shí)際情況完全一致。這正是我們研發(fā)定制化專用集成電路（ASIC）的初衷。全新推出的 Tek079......
電容- 電壓（C-V）測(cè)量廣泛用于半導(dǎo)體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)基于SMU 施加電壓并測(cè)量電流的準(zhǔn)靜態(tài)方法適用于硅MOS，但在SiC MOS器件上因電容更大易導(dǎo)致結(jié)果......
全球領(lǐng)先的自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備和先進(jìn)機(jī)器人供應(yīng)商泰瑞達(dá)（NASDAQ: TER）今日宣布，憑借對(duì)臺(tái)積電3DFabric?測(cè)試的貢獻(xiàn)，泰瑞達(dá)榮獲2025年臺(tái)積電Open Innovation Platform?（OIP）年度合作......
1? ?前言自然界中的物理量，例如壓力、溫度等都是模擬量，要對(duì)這些物理量進(jìn)行控制和檢測(cè)，就需要一種能在模擬信號(hào)與數(shù)字信號(hào)之間起轉(zhuǎn)換作用的電路—— 模數(shù)轉(zhuǎn)換器和數(shù)模轉(zhuǎn)換器。能把模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)的電路稱為模數(shù)轉(zhuǎn)換器（簡......
_____9月24日，PCIM Asia 2025在上海新國際博覽中心盛大開幕。泰克（Tektronix）攜手合作伙伴東方中科，重磅亮相N5館F08展位，聚焦模擬半導(dǎo)體與寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用場(chǎng)景，全面展示泰克全棧式半導(dǎo)體測(cè)試......
_____隨著測(cè)量精度要求提升，有效位數(shù)（ENOB）已成為評(píng)估ADC、數(shù)字示波器真實(shí)性能的核心指標(biāo)。ENOB由IEEE定義，綜合了噪聲、抖動(dòng)、非線性失真等誤差，反映設(shè)備在實(shí)際使用中的“有效分辨率”。隨著測(cè)量精度需求的不斷......
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