近年來，工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關頻率下實現高功率密度，而MOSFET在相同條件下運行時會產生巨大的熱損耗。在相同條件下，并聯MOSFET并不能節(jié)省空間或提升效率，因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術。業(yè)界對GaN器件性能表現的關注，相應地催生了對各種GaN器件進行準確仿真以優(yōu)化應用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，針對GaN FET驅動進行了優(yōu)化。借助
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ADI LTspice GaN
據相關報道，隨著NVIDIA宣布AI服務器進入800V高電壓供電時代，功率半導體領域迎來了新的技術競爭。氮化鎵（GaN）作為寬能隙半導體的重要代表，正成為市場關注的核心。近年來，多家企業(yè)積極投入GaN技術的研發(fā)，使其應用范圍從傳統的消費性市場逐步拓展到高電壓場景。盡管GaN目前在快速充電領域仍占據主導地位，但其在車用功率模塊和AI服務器中的表現也日益受到重視。部分廠商甚至已開發(fā)出適用于1,000V以上環(huán)境的GaN技術，展現出廣闊的應用前景。歐系廠商指出，GaN相比碳化硅（SiC）更易于與傳統矽材料整合，這
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GaN AI服務器 電源芯片
深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations近日發(fā)布一份新的技術白皮書，詳解其PowiGaN?氮化鎵技術能為下一代AI數據中心帶來的顯著優(yōu)勢。這份白皮書發(fā)布于圣何塞舉行的2025年開放計算項目全球峰會(2025 OCP Global Summit)，其中介紹了1250V和1700V PowiGaN技術適用于800VDC供電架構的功能特性。峰會上，NVIDIA還就800VDC架構的最新進展進行了說明。Power Integrations正與NVIDIA合作，加速推動向8
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Power Integrations 數據中心 GaN
Imec 啟動了一項新的開放式創(chuàng)新計劃，專注于用于低壓和高壓電力電子的 300mm GaN 技術。該計劃旨在提高氮化鎵器件性能，同時降低制造成本，標志著功率半導體行業(yè)向前邁出了重要一步。對于eeNews Europe的讀者來說，尤其是電力電子、半導體和代工生態(tài)系統的讀者，這一發(fā)展凸顯了向300毫米氮化鎵晶圓加工的關鍵轉變，這可能會加速氮化鎵在汽車、數據中心和可再生能源應用中的采用。將氮化鎵擴展到 300 毫米，以提高性能和成本效益300mm GaN 計劃是 imec GaN
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Imec 300mm GaN 下一代功率器件
2025年9月29日，蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡稱：納芯微）、聯合汽車電子有限公司（以下簡稱：聯合電子）與英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱：英諾賽科）共同簽署戰(zhàn)略合作協議。三方將聚焦新能源汽車功率電子系統，聯合研發(fā)智能集成氮化鎵（GaN）相關產品。全新開發(fā)的智能GaN產品將依托三方技術積淀，提供更可靠的驅動及GaN保護集成方案，進一步提升系統功率密度。三方還將協同推動相關解決方案的產業(yè)化落地，助力新能源汽車產業(yè)的可持續(xù)發(fā)展與價值提升。簽約儀式現場合影見證代表：圖中：聯合電子副總經理 郭曉
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納芯微 聯合電子 英諾賽科 汽車功率電子 GaN
摘要微型逆變器和便攜式電源的普及度持續(xù)增長，部分原因是人們對更具可持續(xù)性且靈活的電源解決方案的需求不斷增加。隨著最近推出陽臺型逆變器（該產品將微型逆變器與小型電池儲能系統結合在一起），這兩種技術的普及率可能會進一步提升。本技術文章概述了一種新型單級轉換器（稱為“cyclo 轉換器”），它使微型逆變器和便攜式電源的實施更加高效，體積更小，同時還降低了成本。簡介微型逆變器中的功率轉換系統通常采用兩級式設計，如圖 1 所示。圖 1：微型逆變器兩級拓撲在這種方案中，首先是一個直流/直流級（反激式或推挽式升壓級），
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202509 德州儀器 GaN Cyclo 微型逆變器 便攜式電源
電力電子行業(yè)將進入增長的最后階段，預計到 2025 年評估市場價值將達到 517.3 億美元，到 2030 年將達到 674.2 億美元。5.4% 的穩(wěn)定復合年增長率源于對能源效率、可再生能源集成和半導體先進技術的需求穩(wěn)步增長。增長動力：市場的積極勢頭源于相互關聯的現象：清潔能源勢在必行隨著世界試圖實現碳中和，包括太陽能光伏和風電場在內的可再生能源系統將成為主流。因此，電力電子設備被用于這些系統，以實現高效的能源轉換、電網集成和實時管理。交通電氣化隨著電動汽車和混合動力汽車不再被視為小眾市場，現在對高性能
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SiC GaN 電力電子
_____動態(tài)導通電阻（RDS(on)）是電源轉換器設計人員理解電荷俘獲效應影響的重要參數。然而，關于其測量技術的知識體系仍相對較新。傳統的動態(tài)RDS(on)測量技術依賴于二極管鉗位電路，使示波器能夠以足夠的分辨率測量漏源電壓，而不會使示波器輸入過載。泰克為4、5和6系列MSO示波器推出的寬禁帶雙脈沖測試（WBG-DPT）測量軟件引入了一種新的軟件鉗位方法，采用獨特的雙探頭技術，無需使用鉗位電路。測量動態(tài)RDS(on)的挑戰(zhàn)動態(tài)RDS(on)是指FET在開關過程中導通時，漏極與源極端子之間的平均電阻。漏源
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GaN 是近日半導體市場的熱點詞匯之一。
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GaN
1.簡介微型逆變器中的功率轉換系統通常采用兩級式設計，如圖 1-1 所示。圖1-1 微型逆變器兩級拓撲在這種方案中，首先是一個直流/直流級（反激式或推挽式升壓級），然后是另一個交流/直流級（自換向交流/直流或圖騰柱 PFC），將光伏電池板提供的直流電轉換為通常在 400VDC 左右的臨時直流總線。然后，根據國家或地區(qū)的電網情況，將直流總線轉換為交流電壓 (110VAC..230VAC)。功率級別過去通常在 300-400W 之間，但最近也出現了每個輸入功率高達 600W 以及多輸入系統的實施。微型逆變器傳
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與傳統硅芯片相比，單片集成 GaN 功率 IC 具有顯著優(yōu)勢，包括卓越的效率、更小的尺寸、更高的速度和更低的成本。GaN 的特別之處在于其天然特性，例如更高的臨界電場、更低的導通電阻和更小的寄生電容。半導體工程師現在正在采用一種稱為單片集成的智能方法，該方法涉及將所有電路組件構建在單個芯片上，而不是連接單獨的部件。工程師通常在稱為硅基氮化鎵或 SOI 基氮化鎵晶圓的專用平臺上構建這些系統，這些平臺是構建在其之上的其他一切的基礎。圖 1.GaN功率IC的單片集成方法：（a）從供體晶圓到最終金屬柵極形成的完整
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GaN 功率IC 功率密度
幾十年來，硅一直是電力電子領域無可爭議的領導者。但隨著硅達到其性能極限，氮化鎵 （GaN） 功率器件正在取得進展。憑借更快的開關速度和更高的效率，氮化鎵已經在消費類快速充電器中發(fā)揮了重大作用，與硅相比，實現了系統級成本、空間和功耗節(jié)省。然而，盡管具有所有功率處理特性，但基于氮化鎵的橫向高電子遷移率晶體管 （HEMT） 一直在努力進入千瓦級功率設計。瑞薩電子正試圖通過其最新的高壓氮化鎵功率 FET 來改變這一現狀，該 FET 專為要求苛刻的系統而設計，從數據中心的 AI 服務器電源和不間斷電源 （
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瑞薩電子 功率 FET GaN 千瓦級
隨著全球對能源可持續(xù)性與安全性的關注升溫，住宅太陽能儲能系統需求持續(xù)攀升。當前市場上，2kW級微型逆變器已實現集成儲能功能，而更高功率場景則需依賴串式逆變器或混合串式逆變器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設計，探討其技術優(yōu)勢與核心設計要點，為住宅太陽能應用提供高能效、高密度的解決方案參考?；旌洗侥孀兤骷軜嫞簭哪K到系統典型的混合串式逆變器通過穩(wěn)壓直流母線互聯各功能模塊（圖1），核心子系統包括：●單向DC/DC轉換器：執(zhí)行光伏最大功率點跟蹤（MPPT），優(yōu)化能量捕獲；●雙向DC/
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TI IGBT GaN 串式逆變器
在光伏系統中，充電控制器的效率與體積直接影響太陽能利用率和安裝成本。傳統設計多采用MOSFET方案，而德州儀器（TI）推出的中壓GaN器件LMG2100，通過集成驅動與電源環(huán)路優(yōu)化，為光伏充電控制器帶來了效率、尺寸與成本的全面突破。電子電氣設備快速發(fā)展，需要提供的功率比以往任何時候都大得多。對于許多家庭來說，要縮減電費支出或助力實現綠色可持續(xù)的未來，太陽能都是不錯的選擇，而半導體在其中發(fā)揮著重要作用。適用于光伏應用的緊湊型高效電源轉換器既能幫助用戶減少室內占用面積，又能節(jié)省成本。氮化鎵 (GaN
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TI GaN 光伏充電控制器
拓墣產業(yè)研究院最新報告指出，第三代半導體產業(yè)競爭日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺、航空航天、AI運算等應用領域快速崛起。拓墣預估，2025年全球GaN功率半導體市場規(guī)模將達7.5億美元，年增率高達62.7%，至2030年將擴大至43.8億美元，年復合成長率（CAGR）達42.3%。GaN組件具備優(yōu)異電性能與高可靠性，除了主流通訊以及工業(yè)應用外，也加速滲透至智慧城市、無線充電與醫(yī)療設備等新興場景。隨中國大陸等地積極推動產業(yè)自主，全球GaN供應鏈本土化進程加速，各國
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第三代半導體 GaN 拓墣產業(yè)研究院 SiC
gan 介紹
GaN
即氮化鎵，屬第三代半導體材料。
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