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韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK Keyfoundry日前公布了其用于電容器的SK Keyfoundry推出先進(jìn)多層厚金屬間電介質(zhì)電容工藝間電介質(zhì)（IMD）工藝，該工藝具有高擊穿電壓特性，這一特性不僅有助于提升半導(dǎo)體器件的安全性、可靠性與使用壽命，同時(shí)還能增強(qiáng)抗噪聲能力。該工藝可支持堆疊多達(dá)三層金屬間電介質(zhì)，在金屬—絕緣體—金屬結(jié)構(gòu)中，總厚度最高可達(dá)到18微米（μm）。這可提供高達(dá)19,000伏特的高擊穿電壓特性，并有效提升電容性能。預(yù)計(jì)該技術(shù)將用于制造數(shù)字隔離專用電容器，以及用于抑制電子電路中電容耦合的電容器。

采用這種先進(jìn)工藝生產(chǎn)的電容器已成功通過(guò)主要客戶的嚴(yán)格評(píng)估，包括通過(guò)了經(jīng)時(shí)介電層擊穿（TDDB）測(cè)試，并符合AEC-Q100國(guó)際汽車半導(dǎo)體質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，確保在嚴(yán)苛環(huán)境下實(shí)現(xiàn)高可靠性運(yùn)行。值得注意的是，該工藝可集成到0.13微米及0.18微米BCD工藝技術(shù)中，這一特性使其特別適用于汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域。SK Keyfoundry還提供一系列設(shè)計(jì)支持工具，如工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）、設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（DRC）、版圖寄生參數(shù)提?。↙PE）、版圖與電路原理圖一致性檢查（LVS）以及參數(shù)化單元（Pcell），以進(jìn)一步助力客戶加速產(chǎn)品開發(fā)。

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