電介質(zhì) 文章 最新資訊
SK Keyfoundry推出先進(jìn)多層厚金屬間電介質(zhì)電容工藝
- Source: Getty image /Sefa ozel韓國8英寸純晶圓代工廠SK Keyfoundry日前公布了其用于電容器的多層厚金屬間電介質(zhì)（IMD）工藝，該工藝具有高擊穿電壓特性，這一特性不僅有助于提升半導(dǎo)體器件的安全性、可靠性與使用壽命，同時(shí)還能增強(qiáng)抗噪聲能力。該工藝可支持堆疊多達(dá)三層金屬間電介質(zhì)，在金屬—絕緣體—金屬結(jié)構(gòu)中，總厚度最高可達(dá)到18微米（μm）。這可提供高達(dá)19,000伏特的高擊穿電壓特性，并有效提升電容性能。預(yù)計(jì)該技術(shù)將用于制造數(shù)字隔離專用電容器，以及用于抑制電子電路中電容耦
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高介電常數(shù)柵電介質(zhì)/金屬柵極的FA CMP技術(shù)
- 高介電常數(shù)柵電介質(zhì)和金屬柵極技術(shù)(以下簡(jiǎn)稱HKMG)使摩爾定律在45/32納米節(jié)點(diǎn)得以延續(xù)。目前的HKMG工藝有兩 ...
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電介質(zhì)介紹
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