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SK Keyfoundry推出先進多層厚金屬間電介質電容工藝
- Source: Getty image /Sefa ozel韓國8英寸純晶圓代工廠SK Keyfoundry日前公布了其用于電容器的多層厚金屬間電介質（IMD）工藝，該工藝具有高擊穿電壓特性，這一特性不僅有助于提升半導體器件的安全性、可靠性與使用壽命，同時還能增強抗噪聲能力。該工藝可支持堆疊多達三層金屬間電介質，在金屬—絕緣體—金屬結構中，總厚度最高可達到18微米（μm）。這可提供高達19,000伏特的高擊穿電壓特性，并有效提升電容性能。預計該技術將用于制造數(shù)字隔離專用電容器，以及用于抑制電子電路中電容耦
- 關鍵字： SK Keyfoundry 電介質 電容工藝
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電容工藝介紹
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