NVIDIA領(lǐng)頭的AI浪潮，正快速顛覆服務(wù)器設(shè)計(jì)，更包括了散熱系統(tǒng)。

熟悉系統(tǒng)供應(yīng)鏈業(yè)者表示，服務(wù)器散熱設(shè)計(jì)正從氣冷轉(zhuǎn)向液冷，如今傳出，因應(yīng)NVIDIA下一代Rubin架構(gòu)GPU的散熱需求，液冷板將被「微通道蓋」（Microchannel lid）取代，散熱大廠已正式送樣，然而NVIDIA是否會(huì)采用？ 傳出最快2025年第4季將揭曉。

所謂微通道蓋，是將原本覆蓋在芯片上的Lid，與上方的液冷板（coldplate）整合，并有流體微通道，讓液冷散熱的冷卻液，可直接通過芯片，中間少了介質(zhì)，散熱效果更佳，體積更小，更符合AI服務(wù)器設(shè)計(jì)方向。

若采用此設(shè)計(jì)，現(xiàn)在因應(yīng)液冷散熱的coldplate，將與Lid整合。 臺(tái)系散熱大廠諸如健策、雙鴻、奇鋐傳已送樣，然已簽NDA，公司發(fā)言體系皆不予評(píng)論。

散熱相關(guān)業(yè)界人士則指出，NVIDIA是否在2026年下半要推出的Rubin架構(gòu)導(dǎo)入微通道蓋設(shè)計(jì)，仍在未定之天，卻不能不先卡位。

熟悉散熱業(yè)者分析，微通道蓋的設(shè)計(jì)要導(dǎo)入服務(wù)器，需要各方面配套，并非推出即用，若按照NVIDIA預(yù)計(jì)在2026年下半推出Rubin架構(gòu)GPU的時(shí)程，必須在2026年第3季前備妥產(chǎn)能，即使下一季散熱廠通過驗(yàn)證，時(shí)程也非常急迫。

業(yè)界人士指出，即使NVIDIA并未在2026年下半導(dǎo)入微通道蓋，以NVIDIA的GPU熱功耗跳增速度，也是遲早的問題。 NVIDIA上一代的Hopper架構(gòu)芯片熱功耗，以突破過去多年來的500瓦天花板，達(dá)到700瓦，這一代的Blackwell的B200已達(dá)到1,000瓦。

NVIDIA下一代的Rubin的雙芯片版本傳達(dá)2,300瓦，遠(yuǎn)超過原本傳的1,800瓦。 業(yè)者指出，即使沒到此瓦數(shù)，以NVIDIA「熱功耗三級(jí)跳」的趨勢(shì)，3,000瓦或甚至4,000瓦也指日可待。 因應(yīng)此趨勢(shì)，散熱廠必須積極投入新散熱設(shè)計(jì)，微通道蓋是其一。

然業(yè)界也點(diǎn)出，微通道蓋散熱需要多方配合，除了服務(wù)器硬體空間設(shè)計(jì)外，制程也與過去大不同。 比如，過去芯片封測(cè)在測(cè)試產(chǎn)品時(shí)，并不需要測(cè)試液冷環(huán)境，若采用液冷散熱的微通道設(shè)計(jì)，機(jī)臺(tái)與設(shè)備也需配合，系統(tǒng)組裝也不同。

對(duì)散熱廠本身也是大挑戰(zhàn)。 首先，生產(chǎn)制程與過去大不同，比如微通道蓋需要電鍍，就考驗(yàn)廠商技術(shù)，其次產(chǎn)品須與芯片貼合，精度也較以往高，在此情況下，如何提高生產(chǎn)良率，并非易事。 最后，微通道蓋需要冷卻液流過，壓力是否會(huì)導(dǎo)致漏液，亦須防范。

因此，散熱業(yè)者也指出，微通道蓋的技術(shù)與產(chǎn)品不少廠商都有開發(fā)，然產(chǎn)品可靠度與良率尚難提升，客戶導(dǎo)入意愿有限，然如今NVIDIA傳有意推動(dòng)，是否會(huì)帶動(dòng)新的散熱設(shè)計(jì)變革，讓人拭目以待。

在此同時(shí)，因應(yīng)AI服務(wù)器散熱需求快速拉升，液冷散熱導(dǎo)入速度加快之外，業(yè)界也持續(xù)推出不同產(chǎn)品來提供客戶選擇，比如將原本純銅的coldplate，改為導(dǎo)熱系數(shù)更高的鉆石銅，或VC Lid（Vapor Chamber Lid），工研院已開發(fā)出此技術(shù)，號(hào)稱解熱系數(shù)已超過1,000瓦。