據(jù)最新消息，三星電子已制定明確的技術路線圖，計劃在第7代10nm級DRAM內存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術。相關產品預計將在未來2到3年內問世。
在規(guī)劃下一代DRAM工藝時，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術。經過深入研究和對比，三星最終選擇了VCT DRAM技術。相較于1e nm，VCT技術在性能和效率方面表現(xiàn)更優(yōu)。為加快研發(fā)進度，三星電子還將原1e nm的先行研究團隊并入1d nm研發(fā)團隊，集中力量推進1d nm工藝的開發(fā)。
VCT DRAM技術是一種新型存儲技術，采用垂直通道晶體管結構，能夠實現(xiàn)更高的存儲密度和更低的功耗，被廣泛認為是未來DRAM技術的重要發(fā)展方向。這一技術的引入，或將顯著提升三星在DRAM領域的競爭力。