三星電子 文章 最新資訊
三星據(jù)報道在超大面板上推動 SoP 封裝，挑戰(zhàn)臺積電和英特爾
- 根據(jù)ZDNet 的報道，三星電子正在開發(fā)系統(tǒng)級面板（SoP）這一先進的半導體封裝技術(shù)。報道指出，如果 SoP 技術(shù)快速發(fā)展，三星可能會在特斯拉下一代 Dojo 封裝供應鏈中占據(jù)一席之地。目前，特斯拉計劃將其“AI6”芯片的 Dojo 封裝由三星晶圓廠制造并由英特爾進行封裝，報道顯示。報道中解釋說，SoP 將半導體集成在一個超大型面板上，能夠?qū)崿F(xiàn)比傳統(tǒng)封裝更大的模塊。SoP 不是使用印刷電路板（PCB）或芯片與電路板之間的薄層硅中介層，而是將多個半導體直接安裝在矩形面板上，芯片之間的連接通過每個芯
- 關(guān)鍵字： 三星電子 制程工藝 SoP
三星旨在通過新一代 DRAM 和 HBM4 實現(xiàn)半導體回歸
- Samsung Electronics 第二季度盈利大幅下滑主要源于其半導體業(yè)務(wù)表現(xiàn)不佳，該業(yè)務(wù)占整體利潤的 50-60%。由于持續(xù)的技術(shù)問題，高帶寬內(nèi)存（HBM）和其他高容量、高附加值內(nèi)存產(chǎn)品未能從蓬勃發(fā)展的人工智能（AI）領(lǐng)域獲益。代工（合同芯片制造）和系統(tǒng) LSI 業(yè)務(wù)也因未能爭取到主要客戶而繼續(xù)虧損。然而，隨著 Nvidia 的 HBM 大規(guī)模生產(chǎn)批準的可能性在第三季度增加，以及上半年積累的內(nèi)存庫存得到清理，人們對業(yè)績反彈的預期正在增長。根據(jù)行業(yè)消息，7 月 8 日三星電子的設(shè)備解決方案（DS）部
- 關(guān)鍵字： 三星電子 HBM.半導體產(chǎn)業(yè)
三星電子的半導體困境：HBM苦苦掙扎，競爭對手表現(xiàn)出色
- 三星電子在今年第二季度錄得的營業(yè)利潤明顯低于市場預期，引發(fā)了對其高帶寬內(nèi)存 （HBM） 業(yè)務(wù)失敗的擔憂，這被視為這一缺口背后的最大原因，以及代工業(yè)務(wù)的潛在復蘇。盡管存儲半導體需求低迷，但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引領(lǐng)下取得了不錯的成績，而三星電子卻在性能不佳的泥潭中苦苦掙扎。特別是，三星電子自第四代 HBM （HBM3） 以來，所有代 HBM 產(chǎn)品都未能取得顯著成果，導致 SK 海力士和美光占據(jù)市場領(lǐng)先地位。根據(jù)國內(nèi)證券公司的分析，三星電子的內(nèi)存部門錄得約 3 萬億韓元的營業(yè)利
- 關(guān)鍵字： 三星電子 半導體 HBM
三星電子將引入VCT技術(shù)，未來2到3年推出新型DRAM產(chǎn)品
- 據(jù)最新消息，三星電子已制定明確的技術(shù)路線圖，計劃在第7代10nm級DRAM內(nèi)存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術(shù)。相關(guān)產(chǎn)品預計將在未來2到3年內(nèi)問世。在規(guī)劃下一代DRAM工藝時，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術(shù)。經(jīng)過深入研究和對比，三星最終選擇了VCT DRAM技術(shù)。相較于1e nm，VCT技術(shù)在性能和效率方面表現(xiàn)更優(yōu)。為加快研發(fā)進度，三星電子還將原1e nm的先行研究團隊并入1d nm研發(fā)團隊，集中力量推進1d nm工藝的開發(fā)。VCT DRAM技術(shù)是一種新型存儲
- 關(guān)鍵字： 三星電子 VCT DRAM
地都賣了，三星電子與ASML半導體研發(fā)合作還能繼續(xù)嗎？
- 三星電子和ASML曾于2023年12月宣布共同投資7億歐元（約1萬億韓元），在大都市地區(qū)建立極紫外（EUV）研究中心，致力于打造面向未來的半導體制造設(shè)備以保持三星在先進工藝制程技術(shù)的領(lǐng)先性。針對這次合作，ASML特別與韓國土地住宅公社（LH）簽訂了在京畿道華城購買6個地塊（約 19,000 平方米）的合同以建設(shè)研發(fā)中心。不過最近這項計劃可能出現(xiàn)了一些變動， ASML最近出售了其中的兩塊地塊，并且正在處理另外兩塊地塊。盡管還剩下兩個地塊，但ASML似乎沒有計劃在剩余的空間里與三星建立研發(fā)中心。 ASML 是
- 關(guān)鍵字： 三星電子 ASML EUV
三星電子計劃上調(diào)存儲器價格
- 根據(jù)韓國媒體Pulse的報道，復雜國際形勢下，三星已經(jīng)開始與全球主要客戶進行價格調(diào)整的談判，三星計劃對DRAM和NAND閃存產(chǎn)品進行3%至5%的提價。報道指出，在過去的幾個月里，存儲器芯片的需求因為客戶的儲備行為而急劇上升，這使得三星開始重新考慮其定價策略。此前，該公司由于市場供應過剩和需求疲軟，長期維持穩(wěn)定價格。然而，隨著國際形勢以及存儲市場變化，加上競爭對手宣布提價，三星也開始加入漲價陣營。根據(jù)TrendForce集邦咨詢預測，DRAM價格在第二季度有望上漲3%至8%，而NAND閃存的價格也將隨著需求
- 關(guān)鍵字： 三星電子 存儲器
韓媒：三星智能眼鏡“海岸”項目正開發(fā)中，或于年底面世
- 據(jù)韓國媒體 etnews 最新報道，三星電子在智能穿戴設(shè)備領(lǐng)域又有新動作，除了正在推進的頭顯產(chǎn)品 Project Moohan 外，公司還在秘密研發(fā)一款代號為“??”（海岸）的智能眼鏡。據(jù)悉，這款智能眼鏡預計將于今年年底正式發(fā)布，為市場帶來新的驚喜。雖然具體規(guī)格尚未公布，但據(jù)透露，三星在這款智能眼鏡的人體工學設(shè)計上投入了大量精力，力求為用戶提供極致的佩戴舒適度。值得一提的是，這款智能眼鏡并未配備傳統(tǒng)的遙控器或按鈕，而是可能采用了更為先進的手勢交互技術(shù)。etnews 推測，眼鏡上可能會集成攝像頭和傳感器，以
- 關(guān)鍵字： 三星電子 智能穿戴 智能眼鏡
傳三星2nm SF2工藝初始良率達30%
- 據(jù)韓媒報道，三星電子近日正在為旗下自研處理器Exynos 2600投入大量資源，以確保其按時量產(chǎn)，且已在試產(chǎn)中獲得初步成功，其2nm工藝（SF2）的良率達到了高于預期的30%。這一工藝被預期在今年下半年進行量產(chǎn)，并且這一良品率還有望進一步提升。報道中稱，SF2是三星晶圓代工部門計劃在2025年下半年推出的最新制程技術(shù)，采用第三代GAA技術(shù)。與SF3制程技術(shù)相較，SF2性能有望提高12%，能效提高25%，而芯片面積微縮5%。有消息稱，Exynos 2600預計將用在計劃于2026年第一季發(fā)表的Galaxy
- 關(guān)鍵字： 三星電子 SF2 芯片制程
消息稱三星和 SK 海力士達成合作，聯(lián)手推動 LPDDR6-PIM 內(nèi)存
- 12 月 3 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 昨日報道，三星電子和 SK 海力士正在合作標準化 LPDDR6-PIM 內(nèi)存產(chǎn)品。該合作伙伴關(guān)系旨在加快專門用于人工智能（AI）的低功耗存儲器標準化。報道提到，兩家公司已經(jīng)確定，有必要建立聯(lián)盟，以使下一代存儲器符合這一趨勢。報道還稱，三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段，正在進行向聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會（JEDEC）注冊標準化的初步工作。目前正在討論每一個需要標準化項目的適當規(guī)格?！?圖源三星PIM 內(nèi)存技術(shù)是一種將存儲和計
- 關(guān)鍵字： 三星電子 SK 海力士 內(nèi)存
現(xiàn)代、起亞與三星電子攜手合作，以加強軟件定義汽車的用戶體驗
- 意義：現(xiàn)代汽車和起亞汽車日前已與三星電子建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，旨在加強軟件定義車輛（SDV）與智能手機之間的整合。此次合作將在現(xiàn)代汽車全球軟件中心42dot的技術(shù)支持下，重點開發(fā)下一代信息娛樂系統(tǒng)并打造一個開放的出行生態(tài)系統(tǒng)。目標是開發(fā)一個用戶友好的汽車環(huán)境，將車載信息娛樂系統(tǒng)與三星計劃于2026年推出的SmartThings物聯(lián)網(wǎng)（IoT）平臺進行整合。展望：現(xiàn)代汽車集團計劃打造一個將出行解決方案與基礎(chǔ)設(shè)施相結(jié)合的智慧城市平臺。這一舉措將支持公司向軟件驅(qū)動型出行服務(wù)提供商轉(zhuǎn)型的戰(zhàn)略，旨在構(gòu)建一個連接數(shù)據(jù)
- 關(guān)鍵字： 現(xiàn)代汽車 起亞 三星電子 軟件定義汽車
三星電子開發(fā)出其首款基于第八代V-NAND的車載SSD
- 三星電子今日宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD。三星新款AM9C1車載SSD憑借行業(yè)前沿的速度和更高的可靠性，成為適配車載應用端側(cè)人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車載SSD相比前代產(chǎn)品AM991，能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達4,400MB/s和400MB/s。三星半導體基于第八代V-NAND技術(shù)的車載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲器事業(yè)部汽車業(yè)務(wù)負責人Hyunduk Cho表示：“我們正在與全球自動駕駛汽車廠商合作，為這些企業(yè)提
- 關(guān)鍵字： 三星電子 V-NAND 車載SSD
三星首款！第八代V-NAND車載SSD發(fā)布：讀取4400MB/s
- 9月24日消息，今日，三星電子宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NAND 技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。相比前代產(chǎn)品AM991，AM9C1能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達4400MB/s和400MB/s。三星表示，AM9C1能滿足汽車半導體質(zhì)量標準AEC-Q1003的2級溫度測試標準，在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內(nèi)能保持穩(wěn)定運行。據(jù)介紹，AM9C1采用三星5nm主控，用戶可將TLC狀態(tài)切換至SLC模式，以此大幅提升讀寫速度。其中，讀取速度高達4700MB/s，寫入速度高達1
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND PCIe 4.0 車載SSD
消息稱三星電子確認平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線投資，目標明年 6 月投運
- IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內(nèi)部已確認在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計劃，該產(chǎn)線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 三星電子
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473