歐洲重啟存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)：德國(guó)鐵電FMC押注新非易失性?xún)?nèi)存技術(shù)FeRAM
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4 月 8 日消息，德國(guó)鐵電存儲(chǔ)器公司（FMC）宣布與半導(dǎo)體企業(yè) Neumonda 達(dá)成戰(zhàn)略合作，將在德國(guó)德累斯頓建立新型非易失性存儲(chǔ)芯片（FeRAM）生產(chǎn)線(xiàn)。
本文引用地址：http://yuyingmama.com.cn/article/202504/469181.htm這是繼 2009 年英飛凌、奇夢(mèng)達(dá)德國(guó)DRAM 工廠(chǎng)破產(chǎn)關(guān)停后，歐洲首次嘗試重啟存儲(chǔ)芯片本土化生產(chǎn)。
▲ 圖源：Neumonda
雙方此次合作的核心是 FMC 研發(fā)的 "DRAM+" 技術(shù)。該技術(shù)采用 10nm 以下制程兼容的鉿氧化物（HfO?）作為鐵電層，替代傳統(tǒng)鋯鈦酸鉛 PZT 材料，存儲(chǔ)容量從傳統(tǒng) FeRAM 的 4-8MB 提升至 Gb-GB 級(jí)別，同時(shí)保持?jǐn)嚯姴粊G失數(shù)據(jù)的特性。
注：FeRAM類(lèi)似于 SDRAM，是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器技術(shù)。它使用了一層有鐵電性的材料，取代原有的介電質(zhì)，因此也擁有了非揮發(fā)性?xún)?nèi)存的功能。
FMC 首席執(zhí)行官 Thomas Rueckes 解釋稱(chēng)：“鉿氧化物的鐵電效應(yīng)將 DRAM 電容轉(zhuǎn)變?yōu)榉且资源鎯?chǔ)單元，在保持高性能的同時(shí)實(shí)現(xiàn)低功耗，特別適合 AI 運(yùn)算的持久內(nèi)存需求?！?/p>
合作雙方將依托 Neumonda 開(kāi)發(fā)的 Rhinoe、Octopus、Raptor 三大測(cè)試系統(tǒng)，構(gòu)建從研發(fā)到量產(chǎn)的完整鏈條。
Neumonda 首席執(zhí)行官 Peter Poechmueller 表示：“我們的終極目標(biāo)是重建德國(guó)的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)，本次合作邁出了關(guān)鍵一步。”
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