臺積電升級 CoWoS 封裝技術(shù)，計劃 2027 推出 12 個 HBM4E 堆棧的 120x120mm 芯片
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4 月 28 日消息，臺積電近日在北美技術(shù)研討會上宣布，正在研發(fā) CoWoS 封裝技術(shù)的下個版本，可以讓系統(tǒng)級封裝（SiP）尺寸增大兩倍以上，實現(xiàn) 120x120mm 的超大封裝，功耗可以達(dá)到千瓦級別。
本文引用地址：http://yuyingmama.com.cn/article/202404/458169.htm
根據(jù)臺積電官方描述，CoWoS 封裝技術(shù)繼任者所創(chuàng)建的硅中介層，其尺寸是光掩模（Photomask，也稱 Reticle，大約為 858 平方毫米）是 3.3 倍。
CoWoS 封裝技術(shù)繼任者可以封裝邏輯電路、8 個 HBM3 / HBM3E 內(nèi)存堆棧、I / O 和其他芯粒（Chiplets），最高可以達(dá)到 2831 平方毫米，最大基板尺寸為 80×80 毫米。消息稱 AMD 的 Instinct MI300X 和 Nvidia 的 B200 都使用這種技術(shù)。IT之家附上截圖如下：
臺積電計劃 2026 年投產(chǎn)下一代 CoWoS_L，硅中介層尺寸可以達(dá)到光掩模的 5.5 倍，可以封裝邏輯電路、 12 個 HBM3 / HBM3E 內(nèi)存堆棧、I / O 和其他芯粒（Chiplets），最高可以達(dá)到 4719 平方毫米。
臺積電還計劃在 2027 年繼續(xù)推進(jìn) CoWoS 封裝技術(shù)，讓硅中介層尺寸達(dá)到光掩模的 8 倍以上，提供 6864 平方毫米的空間，封裝 4 個堆疊式集成系統(tǒng)芯片 (SoIC)，與 12 個 HBM4 內(nèi)存堆棧和額外的 I / O 芯片。
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