模擬信號(hào)處理及功率管理解決方案供應(yīng)商 Zetex Semiconductors近日推出新型ZXTC2045E6器件，它與互補(bǔ)NPN和PNP晶體管集成在一個(gè)SOT236封裝內(nèi)，可滿足電源設(shè)計(jì)中大功率MOSFET和IGBT所需的驅(qū)動(dòng)要求。

Zetex亞洲副總裁林博文先生指出，在峰值脈沖電流高達(dá)5A的情況下，這款新型雙極器件能加快柵極電容的充電和放電速度，從而提升效率。由于NPN和PNP器件的射極引腳互相分開，有助于設(shè)計(jì)人員自由選擇獨(dú)立的電阻值，更準(zhǔn)確地控制柵極充電和放電周期。

這款雙晶體管采用SOT236封裝，占板面積只有9 mm2 ，板外高度僅為1.3mm，有助于減少電路板尺寸，提高功率密度。器件的額定工作電壓為40V，典型增益為300，適用于各種柵極驅(qū)動(dòng)器電路。