sic-mosfet 文章 最新資訊
大國器重 功率半導(dǎo)體小行業(yè)大機(jī)會
- 在傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體分立器件引領(lǐng)工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉(zhuǎn)變，實(shí)現(xiàn)家電工業(yè)轉(zhuǎn)型升級，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，新興領(lǐng)域成為支撐功率半導(dǎo)體分立器件保持較好發(fā)展勢頭的重要市場。
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SiC元件2023年產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)14億美元
- 市場研究單位Yole Développement(Yole)指出，碳化硅(SiC)電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展具高度潛力，包括ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、Infineon Technologies、Littelfuse、Ascatron等廠商都大力投入。Yole預(yù)測到2023年SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計將達(dá)14億美元，2016年至2023年間的復(fù)合成長率(CAGR)為28%，2020~2022年CAGR將進(jìn)一步提升至40%。 包括xEV、xEV充電基
- 關(guān)鍵字： SiC PFC
功率MOSFET關(guān)斷損耗計算攻略
- 本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計算方式，供大家參考。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 關(guān)斷損耗
傳中興急單ODM/OEM抬價20%搶貨：MOSFET全年漲價30%
- MOSFET漲價已經(jīng)很長一段時間，從今年年初至今，其漲價幅度已經(jīng)達(dá)到了5%-10%，相對另外一種被動元器件MLCC，MOSFET漲價幅度還算在可接受范圍之內(nèi)。簡而言之，今年以來MOSFET一直處于供貨吃緊狀態(tài)，包括英飛凌、威世、意法半導(dǎo)體、安森美等國際IDM大廠近些年并沒有新增產(chǎn)能?！ ∮捎谌ツ晗掳肽暌詠恚囯娮?、物聯(lián)網(wǎng)、云端計算等新應(yīng)用加大對MOSFET的需求，導(dǎo)致電腦以及智能手機(jī)等3C電子產(chǎn)品用MOSFET供貨嚴(yán)重不足，價格已經(jīng)從今年年初上漲至今持續(xù)了3個季度!據(jù)市場表示，今年上半年MOSFET
- 關(guān)鍵字： 中興 ODM OEM MOSFET
安森美半導(dǎo)體獲UAES頒發(fā)“年度杰出合作供應(yīng)商獎”
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，宣布獲聯(lián)合汽車電子系統(tǒng)有限公司(United Automotive Electronic Systems，簡稱UAES)頒發(fā)“2017年度杰出合作供應(yīng)商獎”。安森美半導(dǎo)體是UAES最近的供應(yīng)商大會上3家獲獎的半導(dǎo)體供應(yīng)商之一?！ ≡摢?wù)J同安森美半導(dǎo)體寬廣的產(chǎn)品陣容的價值，這些產(chǎn)品用于UAES領(lǐng)先行業(yè)的先進(jìn)汽車系統(tǒng)方案。安森美半導(dǎo)體能提供大量關(guān)鍵器件用于從動力總成到汽車功能電子化、從傳統(tǒng)模塊如發(fā)動機(jī)控制單元(ECU)和點(diǎn)火系統(tǒng)到最新的牽引
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC
汽車級N溝道MOSFET SQJQ480E
- 功率 MOSFET 是眾多汽車子系統(tǒng)的重要組成部分，其能夠幫助實(shí)現(xiàn)各種各樣的功能，包括負(fù)載切換、電機(jī)控制以及DC/DC轉(zhuǎn)換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處
- 關(guān)鍵字： MOSFET DC/DC轉(zhuǎn)換 SQJQ480E
寬禁帶技術(shù)-下一代功率器件
- 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動因素。例如，數(shù)據(jù)中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(yīng)(400千瓦時)的3%，占溫室氣體排放總量的2%。航空業(yè)的碳排放量也一樣。隨著對能源的巨大需求，各國政府正在采取更嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)和新的監(jiān)管措施，以確保所有依賴能源的產(chǎn)品都需具有最高能效?！ ⊥瑫r，我們看到對更高功率密度和更小空間的要求。電動汽車正盡量減輕重量和提高能效，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目
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羅姆首次亮相“2018北京國際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中國國際展覽中心舉辦的“2018北京國際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會”(展位號：2展館T213)。以“用半導(dǎo)體為汽車的未來做貢獻(xiàn)”為理念，帶來了新能源汽車、汽車小型化輕量化、自動駕駛、人機(jī)交互等相關(guān)領(lǐng)先半導(dǎo)體產(chǎn)品?！ ×_姆展臺人頭攢動 在 “Formula E國際汽聯(lián)電動方程式錦標(biāo)賽”特別展示區(qū)以及“xEV”、“環(huán)保/節(jié)能”、“安全/舒適”三大展區(qū)內(nèi)，重點(diǎn)展示了以下產(chǎn)品和技術(shù)： ? 先進(jìn)的SiC(碳化硅)技術(shù)：助力 “Formula
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德州儀器CTO：TI顛覆性技術(shù)將引領(lǐng)我們快速前進(jìn)
- 當(dāng)我坐在電動汽車上踩下加速踏板，時速在3秒之內(nèi)就能從0飆升到近100公里——我非常享受這個過程。正如我駕車疾馳在高速公路快車道上，而新一代技術(shù)將載著我們馳騁在大數(shù)據(jù)公路的快車道上。 暢想一下，新技術(shù)將影響著我們未來的工作和生活： · 汽車組裝生產(chǎn)線上將重新配置協(xié)作機(jī)器人，由它們來組裝不同型號的車輛。這將在降低成本的同時大大提高生產(chǎn)力，發(fā)揮競爭優(yōu)勢。今天，重置一個這樣的工廠可能需要幾年的時間?！ ?機(jī)器視覺技術(shù)將使人們即使在夜間、霧天和灰塵的環(huán)境下，駕駛時也可清晰視物?！ ?充電器尺寸將縮小到信
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 SiC
應(yīng)用角：云電源
- 云電源是描述用于傳輸、存儲和處理云數(shù)據(jù)的設(shè)備的電源的通用術(shù)語。在電信或傳輸應(yīng)用中，云電源將為基帶單元和遠(yuǎn)程無線電單元供電。用于存儲和處理的服務(wù)器機(jī)群還需要大型不間斷電源，以確保在暫時斷電時用戶仍可訪問云。每臺服務(wù)器還將需要一個電源單元(PSU)，以及眾多的DC-DC轉(zhuǎn)換器來提供負(fù)載點(diǎn)電源?！ ∮捎谖锫?lián)網(wǎng)顯著增加了捕獲某種數(shù)據(jù)的端點(diǎn)數(shù)(2017年付運(yùn)約20億臺設(shè)備，比2015年增長54%)，因此需要大量的存儲器來處理和存儲數(shù)據(jù)。為此，正在構(gòu)建大型服務(wù)器機(jī)群，這些機(jī)群將消耗大量電力。電源轉(zhuǎn)換將產(chǎn)生熱量，終
- 關(guān)鍵字： 云電源 SiC
IGBT掃盲文，IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用知識學(xué)習(xí)
- IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用 IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快 的特點(diǎn)(控制和響應(yīng))，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)(功率級較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)。 理想等效電路與實(shí)際等效電路如圖所示： IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時不用考慮，重點(diǎn)考慮動態(tài)特性(開關(guān)特性)?！ 討B(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
- 關(guān)鍵字： IGBT，MOSFET
宜特跨攻MOSFET晶圓后端處理集成服務(wù)
- 隨著電子產(chǎn)品功能愈來愈多元，對于低功耗的要求也愈來愈高， MOSFET成為車用電子、電動車勢不可擋的必備功率組件，而在目前市面上產(chǎn)能不足，客戶龐大需求下，電子產(chǎn)品驗(yàn)證服務(wù)龍頭-iST宜特科技今宣布，正式跨入「MOSFET晶圓后端處理集成服務(wù)」，目前已有20多家海內(nèi)外廠商，包括全球知名晶圓廠、IDM廠商、IC設(shè)計企業(yè)已于今年第一季底，前來宜特進(jìn)行工程試樣，并于第二季初開始進(jìn)行小量產(chǎn)，并在下半年正式量產(chǎn)?！ ∫颂囟麻L 余維斌指出，在車用可靠度驗(yàn)證分析本業(yè)上，已做到亞洲龍頭，然而在服務(wù)客戶的同時，發(fā)現(xiàn)了此
- 關(guān)鍵字： MOSFET 晶圓
低功耗SiC二極管實(shí)現(xiàn)最高功率密度
- 相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。 安森美半導(dǎo)體擴(kuò)展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車(EV / HEV)充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等各類應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時，往往面對在更小尺寸實(shí)現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑
- 關(guān)鍵字： 肖特基二極，SiC
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