sic-mosfet 文章最新資訊

8種噪聲測(cè)試技術(shù)的實(shí)現(xiàn)，包括模塊電源、MOSFET等

　　噪聲通常指任意的隨機(jī)干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲，是由處在一定溫度下的各種物質(zhì)內(nèi)部微粒作無(wú)規(guī)律的隨機(jī)熱運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的，常用統(tǒng)計(jì)數(shù)學(xué)的方法進(jìn)行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)中，因此噪聲測(cè)量主要指電子元件和器件、網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)的熱噪聲和特性的測(cè)量?！　「郊酉辔辉肼暅y(cè)試技術(shù)及注意事項(xiàng)　　本文簡(jiǎn)單介紹了相位噪聲的定義，詳細(xì)介紹了附加相位噪聲的測(cè)試過(guò)程，給出了實(shí)際的測(cè)試結(jié)果，指出了附加相位噪聲測(cè)試過(guò)程中的一些注意事項(xiàng)，希望對(duì)附加相位噪聲測(cè)試人員有一定的借鑒意義?！　∮糜?G-LTE頻段噪聲測(cè)試
關(guān)鍵字： MOSFET 噪聲

新型激光材料加工專利大幅提升SiC生產(chǎn)率

　　日本 DISCO 公司的科學(xué)家們使用一種稱為關(guān)鍵無(wú)定形黑色重復(fù)吸收(key amorphous-black repetitive absorption，KABRA)的專利和正在申請(qǐng)專利的激光材料加工技術(shù)，可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產(chǎn)率提升到原來(lái)的四倍，并且在提高產(chǎn)量的同時(shí)減少材料損耗。該技術(shù)適用于單晶和多晶錠，不管晶體層的取向如何。目前，SiC 功率器件在市場(chǎng)中的滲透較慢，主要是因?yàn)槠洚a(chǎn)量小、且生產(chǎn)成本高。然而，KABRA 方法能夠顯著提高 SiC 器件的產(chǎn)量，并且應(yīng)該能夠使 SiC 器件作為功率
關(guān)鍵字： SiC

MOSFET晶體管在移相ZVS全橋直流-直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)的工作特性: 設(shè)計(jì)考慮因素和實(shí)驗(yàn)結(jié)果

　　摘要 – 近幾年來(lái)，開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)對(duì)高能效、大功率系統(tǒng)的需求不斷提高，在此拉動(dòng)下，設(shè)計(jì)人員轉(zhuǎn)向?qū)ふ译娔軗p耗更低的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?。PWM移相控制全橋轉(zhuǎn)換器就是其中一個(gè)深受歡迎的軟硬結(jié)合的開(kāi)關(guān)電源拓?fù)?，能夠在大功率條件下達(dá)取得高能效。本文旨在于探討MOSFET開(kāi)關(guān)管在零壓開(kāi)關(guān)(ZVS)轉(zhuǎn)換器內(nèi)的工作特性。　　1. 前言　　零壓開(kāi)關(guān)移相轉(zhuǎn)換器的市場(chǎng)定位包括電信設(shè)備電源、大型計(jì)算機(jī)或服務(wù)器以及其它的要求功率密度和能效兼?zhèn)涞碾娮釉O(shè)備。要想實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)，就必須最大限度降低功率損耗和無(wú)功功率
關(guān)鍵字： MOSFET ZVS

“十三五”期間，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)有怎樣的路線圖？

　　如果說(shuō)中央處理器(CPU)是一臺(tái)計(jì)算機(jī)的心臟，功率半導(dǎo)體就是電機(jī)的心臟，它可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)和控制。我國(guó)發(fā)布《中國(guó)制造2025》，勾勒出未來(lái)十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的整體方向與發(fā)展規(guī)劃，在此過(guò)程中，功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。　　然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國(guó)際先進(jìn)水平也存在著巨大差距。人們常拿我國(guó)每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較，其實(shí)如果按比例計(jì)算，我國(guó)功率半導(dǎo)體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開(kāi)發(fā)綠色
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
關(guān)鍵字： GaN SiC

【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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MOSFET驅(qū)動(dòng)及工作區(qū)的問(wèn)題分析

　　問(wèn)題1：最近，我們公司的技術(shù)專家在調(diào)試中發(fā)現(xiàn)，MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓過(guò)高，會(huì)導(dǎo)致電路過(guò)載時(shí)，MOSFET中電流過(guò)大，于是把降低了驅(qū)動(dòng)電壓到6.5V，之前我們都是在12V左右。這種做法感覺(jué)和您在文章里第四部份似乎很相似，這樣做可行么?　　問(wèn)題分析：　　系統(tǒng)短路的時(shí)候，功率MOSFET相當(dāng)于工作在放大的線性區(qū)，降低驅(qū)動(dòng)電壓，可以降低跨導(dǎo)限制的最大電流，從而降低系統(tǒng)的短路電流，從短路保護(hù)的角度而言，確實(shí)有一定的效果。然后，降低驅(qū)動(dòng)電壓，正常工作時(shí)候，RDSON會(huì)增大，系統(tǒng)效率會(huì)降低，MOSFET的溫度會(huì)升高，
關(guān)鍵字： MOSFET 芯片

淺談MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

　　MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路?！　≡谑褂肕OSFET設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。更細(xì)致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對(duì)一個(gè)確定的MOSFET，其驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì)影響MOSFET的
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【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
關(guān)鍵字： GaN SiC

功率器件心得——功率MOSFET心得

　　功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時(shí)輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載，帶載能力要強(qiáng)?！　」β蔒OSFET是較常使用的一類功率器件?！癕OSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功
關(guān)鍵字： MOSFET 功率放大電路

第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用、市場(chǎng)全解析

第一代半導(dǎo)體材料是元素半導(dǎo)體的天下，第一代半導(dǎo)體材料是化合物半導(dǎo)體材料，然而隨著半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大，特別是特殊場(chǎng)合要求半導(dǎo)體能夠在高溫、強(qiáng)輻射、大功率等環(huán)境下依然堅(jiān)挺，第一、二代半導(dǎo)體材料便無(wú)能為力，于是賦予使命的第三代半導(dǎo)體材料——寬禁帶半導(dǎo)體材料誕生了。
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無(wú)畏氮化鎵角逐中功率市場(chǎng)　碳化硅功率元件/模組商機(jī)涌現(xiàn)

　　有鑒于全球環(huán)保意識(shí)抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開(kāi)發(fā)優(yōu)勢(shì)，其功率模組在再生能源與車用電子領(lǐng)域，商機(jī)已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場(chǎng)的氮化鎵，則將緩步進(jìn)軍中功率市場(chǎng)。　　可以彌補(bǔ)天然能源不足缺口的再生能源設(shè)備，為聚焦于中功率、高功率應(yīng)用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動(dòng)車中導(dǎo)入碳化矽(SiC)元件的測(cè)試結(jié)果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過(guò)矽元件。　　臺(tái)達(dá)電技術(shù)長(zhǎng)暨總
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11月8日：ROHM為汽車推出新一代SiC、LED方案

　　ROHM新聞發(fā)布會(huì)上，首先宣布最新的第三代SiC技術(shù)，包括SiC MOSFET、SiC SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)、SiC模塊，提供更高的功率密度可靠性和更高的能效。據(jù)悉，相比平面(planar)柵型SiC MOSFET，新一代SiC MOSFET在整個(gè)溫度范圍內(nèi)減少Rdson 50%，在同樣芯片尺寸下減少35%輸入電容器。　　ROHM的德國(guó)發(fā)言人(左1)介紹了車用外部LED燈,ROHM方案精度更高，用于車前燈。還有LED矩陣控制器，使電路配置更容易、
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世界各國(guó)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展情況

技術(shù)創(chuàng)新是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的永恒動(dòng)力，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料憑借著其優(yōu)異的特性得到了世界各國(guó)的高度重視，從國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)角度看，美、日、歐等發(fā)達(dá)國(guó)家已將第三代半導(dǎo)體材料列入國(guó)家計(jì)劃，并展開(kāi)全面戰(zhàn)略部署，欲搶占戰(zhàn)略制高點(diǎn)。
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意法半導(dǎo)體提升車用40V MOSFET的噪聲性能和能效

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)發(fā)布兩款40V汽車級(jí)MOSFET。新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體最新的STripFET? F7制造技術(shù)，開(kāi)關(guān)性能優(yōu)異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導(dǎo)通能力強(qiáng)。新產(chǎn)品最大輸出電流達(dá)到120A，主要目標(biāo)應(yīng)用包括高電流的動(dòng)力總成、車身或底盤和安全系統(tǒng)，同時(shí)優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性使其特別適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置，例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)。　　意法半導(dǎo)體的STripFET系列采用DeepGATE?技
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET